Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN
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| ALS/4434 | ALS/4434 | Thèse | Bibliothèque principale | Thèses | Disponible |
Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN
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