Titre :	Etude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Manel Bouhouche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse
Année de publication :	2006
Importance :	83 f.
Note générale :	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Français - Anglais Electronique
Tags :	TBH  Alliage SiGe  Défaults profonds  Courant de fuite
Index. décimale :	621 Electronique
En ligne :	../theses/electronique/BOU4511.pdf
Permalink :	index.php?lvl=notice_display&id=2806

Etude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT [texte imprimé] / Manel Bouhouche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse . - 2006 . - 83 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)

Catégories :	Français - Anglais Electronique
Tags :	TBH  Alliage SiGe  Défaults profonds  Courant de fuite
Index. décimale :	621 Electronique
En ligne :	../theses/electronique/BOU4511.pdf
Permalink :	index.php?lvl=notice_display&id=2806