Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN / Majdi Alshaikh-Eid

Public ISBD Titre : Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN Type de document : texte imprimé Auteurs : Majdi Alshaikh-Eid ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2006 Importance : 77 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 Disquette Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistor HEMTs Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2273 Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN [texte imprimé] / Majdi Alshaikh-Eid ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse . - 2006 . - 77 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 Disquette Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistor HEMTs Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2273

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ALS/4434	ALS/4434	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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