Modèlisation de la diffusion des impuretés dopantes dans un silicium sous atmosphère oxydante / Mohamed-Cherif Chelloul

Public ISBD Titre : Modèlisation de la diffusion des impuretés dopantes dans un silicium sous atmosphère oxydante : cas du bore Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohamed-Cherif Chelloul ; Mohamed Remram, Directeur de thèse ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique Année de publication : 1999 Importance : 61 f. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modélisation  Sillicium Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2344 Modèlisation de la diffusion des impuretés dopantes dans un silicium sous atmosphère oxydante : cas du bore [texte imprimé] / Mohamed-Cherif Chelloul ; Mohamed Remram, Directeur de thèse ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique . - 1999 . - 61 f. 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modélisation  Sillicium Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2344

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CHE/3232	CHE/3232	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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