Etude de transistors bipolaires à émetteur poly silicium autoaligné réalisés en technologie CMOS / Saida Lassoued

Public ISBD Titre : Etude de transistors bipolaires à émetteur poly silicium autoaligné réalisés en technologie CMOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Saida Lassoued ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 1998 Importance : 150 f. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistors bipolaire  CMOS Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2356 Etude de transistors bipolaires à émetteur poly silicium autoaligné réalisés en technologie CMOS [texte imprimé] / Saida Lassoued ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 1998 . - 150 f. 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistors bipolaire  CMOS Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2356

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LAS/3145	LAS/3145	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Influence des effets quantiques sur les caractéruistiques de transistors DGMOS nanométrique / Mourad Bella  

Public ISBD Titre : Influence des effets quantiques sur les caractéruistiques de transistors DGMOS nanométrique Type de document : texte imprimé Auteurs : Mourad Bella ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Saida Lassoued, Directeur de thèse Année de publication : 2009 Importance : 62 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Effets quantiques  Transistors DGMOS nanométrique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEL5380.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2829 Influence des effets quantiques sur les caractéruistiques de transistors DGMOS nanométrique [texte imprimé] / Mourad Bella ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Saida Lassoued, Directeur de thèse . - 2009 . - 62 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Effets quantiques  Transistors DGMOS nanométrique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEL5380.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2829

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