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Auteur Toufik Mouet |
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Etude et caractérisation des structures MIS sur InP et des nanostructures à base de ZnO / Toufik Mouet
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Titre : Etude et caractérisation des structures MIS sur InP et des nanostructures à base de ZnO Type de document : texte imprimé Auteurs : Toufik Mouet, Auteur ; Azzedine Telia, Directeur de thèse ; Thierry Devers, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2011 Importance : 134 f. Format : 31 cm Note générale : Doctorat en sciences
2 copies imprimées disponiblesLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Electronique Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/MOU5889.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=5683 Etude et caractérisation des structures MIS sur InP et des nanostructures à base de ZnO [texte imprimé] / Toufik Mouet, Auteur ; Azzedine Telia, Directeur de thèse ; Thierry Devers, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2011 . - 134 f. ; 31 cm.
Doctorat en sciences
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Electronique Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/MOU5889.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=5683 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MOU/5889 MOU/5889 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude de l'interface oxyde natif - (n) InP par Ac admittance Type de document : texte imprimé Auteurs : Toufik Mouet ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Azzedine Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2000 Importance : 70 f. Note générale : 01 disponible dans la salle de recherche
02 disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : InP(n) Composants III-V contact métal semiconducteur Structure métal Isolant semiconducteur Interface isolat InP Etats d'interface Impédance Circuit equivalent Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2511 Etude de l'interface oxyde natif - (n) InP par Ac admittance [texte imprimé] / Toufik Mouet ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Azzedine Telia, Directeur de thèse . - 2000 . - 70 f.
01 disponible dans la salle de recherche
02 disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : InP(n) Composants III-V contact métal semiconducteur Structure métal Isolant semiconducteur Interface isolat InP Etats d'interface Impédance Circuit equivalent Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2511 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MOU/3462 MOU/3462 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible