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Auteur Fella Boulgamh |
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Titre : Contribution à la caractérisation électrique des matériaux semiconducteurs : modèles théoriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Fella Boulgamh ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Mohamed Ramram, Directeur de thèse Année de publication : 1996 Importance : 89 f. Note générale : 1 Disponible au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Semi-conducteur Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/BOU2942.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2557 Contribution à la caractérisation électrique des matériaux semiconducteurs : modèles théoriques [texte imprimé] / Fella Boulgamh ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Mohamed Ramram, Directeur de thèse . - 1996 . - 89 f.
1 Disponible au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Semi-conducteur Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/BOU2942.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2557 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/2942 BOU/2942 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Etude du comportement electrique des semiconducteurs multicristallins à base de silicium – effet des joints de grains. / Fella Boulgamh
Titre : Etude du comportement electrique des semiconducteurs multicristallins à base de silicium – effet des joints de grains. Type de document : texte imprimé Auteurs : Fella Boulgamh, Auteur ; Mohamed Remram, Directeur de thèse Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2018 Importance : 117 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Silicium multicristallin caractérisation I(V) et C(V) méthode itérative diodes Schottky et pn ac-small signal identification système fractionnaire système entier Multicrystalline silicon I(V) and C(V) characterization iterative method Schottky and ݊pn diodes fractional systems integer systems السيليسيوم المتعدد البلورات التوصيف I(V)و C(V)و ܥ الطرق التكرارية للصمامات الثنائية pnو
شوتكي الأنظمة ذات الدرجة الجزئية الأنظمة ذات الدرجة الصحيحةIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : This thesis deals with two principle axes :
• Statistical characterization • And dynamical characterization of pn and Schottky (Al/mc-Si) diodes.
Statistical characterization is done through experimental ܫሺܸሻ and ܥሺܸሻ measures using Polix-Photowatt multicristalline silicon structures. Parameters taken into account were the Aluminium plot position, the metal nature and the operating temperature. We used an iterative ܫሺܸሻ method and we developed a ܥሺܸሻ method to extract diode parameters. Results obtained indicated the presence of trap levels in the grain boundaries, an
important effect of the metal position and operating temperature. Dynamical characterization is carried out by the ac-small signal measurements applied to Shottky and ݊diodes. These structures identification showed a fractional behavior of the ݊diode and an integer behavior of the Schottky one. The main contributions of this work were then:
• The electrical characterization of multicrystalline silicon through Schottky Al/mc-Si diodes;
• Development of an iterative method based on ܥሺܸሻ measurements to extract active doping densities;
• Proposition of an electrical equivalent circuit to explain polycrystalline silicon electrical behavior;
• Proposition of an identification diode method based on ac-small signal measurements;
• Experimental demonstration that ݊diode is a fractional system and Schottky diode is an integer one.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU7322.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10972 Etude du comportement electrique des semiconducteurs multicristallins à base de silicium – effet des joints de grains. [texte imprimé] / Fella Boulgamh, Auteur ; Mohamed Remram, Directeur de thèse . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2018 . - 117 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Silicium multicristallin caractérisation I(V) et C(V) méthode itérative diodes Schottky et pn ac-small signal identification système fractionnaire système entier Multicrystalline silicon I(V) and C(V) characterization iterative method Schottky and ݊pn diodes fractional systems integer systems السيليسيوم المتعدد البلورات التوصيف I(V)و C(V)و ܥ الطرق التكرارية للصمامات الثنائية pnو
شوتكي الأنظمة ذات الدرجة الجزئية الأنظمة ذات الدرجة الصحيحةIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : This thesis deals with two principle axes :
• Statistical characterization • And dynamical characterization of pn and Schottky (Al/mc-Si) diodes.
Statistical characterization is done through experimental ܫሺܸሻ and ܥሺܸሻ measures using Polix-Photowatt multicristalline silicon structures. Parameters taken into account were the Aluminium plot position, the metal nature and the operating temperature. We used an iterative ܫሺܸሻ method and we developed a ܥሺܸሻ method to extract diode parameters. Results obtained indicated the presence of trap levels in the grain boundaries, an
important effect of the metal position and operating temperature. Dynamical characterization is carried out by the ac-small signal measurements applied to Shottky and ݊diodes. These structures identification showed a fractional behavior of the ݊diode and an integer behavior of the Schottky one. The main contributions of this work were then:
• The electrical characterization of multicrystalline silicon through Schottky Al/mc-Si diodes;
• Development of an iterative method based on ܥሺܸሻ measurements to extract active doping densities;
• Proposition of an electrical equivalent circuit to explain polycrystalline silicon electrical behavior;
• Proposition of an identification diode method based on ac-small signal measurements;
• Experimental demonstration that ݊diode is a fractional system and Schottky diode is an integer one.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU7322.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10972 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/7322 BOU/7322 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
