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Auteur Mourad Kaddeche |
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Affiner la recherche Interroger des sources externesEtude des effets du Field plate sur les caractéristiques électriques des transistors HEMTs à base de GaN / Mourad Kaddeche
Titre : Etude des effets du Field plate sur les caractéristiques électriques des transistors HEMTs à base de GaN Type de document : texte imprimé Auteurs : Mourad Kaddeche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2008 Importance : 63 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Field plate Transisrors HEMTs Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/KAD5133.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2654 Etude des effets du Field plate sur les caractéristiques électriques des transistors HEMTs à base de GaN [texte imprimé] / Mourad Kaddeche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse . - 2008 . - 63 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Field plate Transisrors HEMTs Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/KAD5133.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2654 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KAD/5133 KAD/5133 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : "Modelisation et analyse de l’effet du field plate avec couche dielectrique High- K sur les proprietes electriques des Hemts AlmGa1-mN/GaN " Type de document : texte imprimé Auteurs : Mourad Kaddeche, Auteur ; A. Telia, Directeur de thèse Editeur : constantine [Algérie] : Université Constantine 1 Année de publication : 2014 Importance : 113 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Hétérostructure de AlGaN/GaN plaque de champs GCFPS-HEMTs
AlGaN/GaN heterostructure Field-plate GCFPS-HEMTs
البنیات المتعددة AlGaN/GaN-لوحة حقل(FP)GCFPS-HEMTs - -Index. décimale : 621 Electronique Résumé : "This work was devoted to the study and the modelling of the Field-Plate HEMTs
structure based on AlmGa1-mN/GaN heterostructure considered these last years as promising
devices for high voltage and high power applications. We presented a new design of this
device for high power applications, based on the use of a Field Plate combined with a high-k
material above an oxide layer AlGaN/GaN GCFPS-HEMTs. In order to study the electrical
properties and to predict the performances of the device, a two dimensional analytical model
was developed in which the analytical expressions for the potential distribution, the electric
field profile and the concentration control «ns» in channel 2DEG are calculated according to
the applied voltage and the technological parameters of the studied structure by including the
effects of spontaneous and piezoelectric polarization."
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/KAD6564.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9682 "Modelisation et analyse de l’effet du field plate avec couche dielectrique High- K sur les proprietes electriques des Hemts AlmGa1-mN/GaN " [texte imprimé] / Mourad Kaddeche, Auteur ; A. Telia, Directeur de thèse . - constantine [Algérie] : Université Constantine 1, 2014 . - 113 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Hétérostructure de AlGaN/GaN plaque de champs GCFPS-HEMTs
AlGaN/GaN heterostructure Field-plate GCFPS-HEMTs
البنیات المتعددة AlGaN/GaN-لوحة حقل(FP)GCFPS-HEMTs - -Index. décimale : 621 Electronique Résumé : "This work was devoted to the study and the modelling of the Field-Plate HEMTs
structure based on AlmGa1-mN/GaN heterostructure considered these last years as promising
devices for high voltage and high power applications. We presented a new design of this
device for high power applications, based on the use of a Field Plate combined with a high-k
material above an oxide layer AlGaN/GaN GCFPS-HEMTs. In order to study the electrical
properties and to predict the performances of the device, a two dimensional analytical model
was developed in which the analytical expressions for the potential distribution, the electric
field profile and the concentration control «ns» in channel 2DEG are calculated according to
the applied voltage and the technological parameters of the studied structure by including the
effects of spontaneous and piezoelectric polarization."
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/KAD6564.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9682 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KAD/6564 KAD/6564 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
