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Auteur Manel Bouhouche |
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Affiner la recherche Interroger des sources externesEtude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT / Manel Bouhouche
Titre : Etude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT Type de document : texte imprimé Auteurs : Manel Bouhouche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse Année de publication : 2006 Importance : 83 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : TBH Alliage SiGe Défaults profonds Courant de fuite Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4511.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2806 Etude de l'influence des défaults technologiques sur les caractéristiques électriques des transistors bipolaires à HBT [texte imprimé] / Manel Bouhouche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; S. Latreche, Directeur de thèse . - 2006 . - 83 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : TBH Alliage SiGe Défaults profonds Courant de fuite Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4511.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2806 Exemplaires
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Titre : Contribution à l’étude du transistor bipolaire à hétérojonction TBH Pour les applications hautes fréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Manel Bouhouche, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2012 Importance : 164 f. Format : 30 cm. Note générale : Doctorat en sciences
2 copies imprimées disponiblesLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Technologie BiCMOS transistor bipolaire à hétérojonction TBH l’alliage SiGe défauts d’implantation Carbone(C) bruit basse fréquence oscillateur (RF) bruit de phase pureté spectrale Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU6311.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=6253 Contribution à l’étude du transistor bipolaire à hétérojonction TBH Pour les applications hautes fréquences [texte imprimé] / Manel Bouhouche, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2012 . - 164 f. ; 30 cm.
Doctorat en sciences
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Technologie BiCMOS transistor bipolaire à hétérojonction TBH l’alliage SiGe défauts d’implantation Carbone(C) bruit basse fréquence oscillateur (RF) bruit de phase pureté spectrale Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU6311.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=6253 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire
