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Affiner la recherche Interroger des sources externesContribution à l’étude du transport quantique et des performances fréquentielles de DGMOS nanométriques / Mourad Bella
Titre : Contribution à l’étude du transport quantique et des performances fréquentielles de DGMOS nanométriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Mourad Bella, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2017 Importance : 123 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Transistor double grille DGMOS effet tunnel technologie High-k Oscillateur radio
fréquence Oscillateur Colpitts bruit de phase modèle Hajimiri fonction de
sensibilité ISF Double gate transistor DGMOS tunneling effect High-k technology radiofrequency
oscillator Oscillator Colpitts phase noise Hajimiri model sensitivity function ISF الترانزستور مزدوج البوابة DGMOSتأثير النفق، تكنولوجيا High-kمذبذب
ISF دالة الحساسيةHajimiri ضجيج الطور نموذجColpitts منذبذradiofréquenceIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : The work developed in this thesis correspond to the modeling of MOS transistor
double gate DGMOS and its potential for radio frequency applications. Our study
extends the characterization / modeling DGMOS optimization Colpitts oscillator type
where this component forms the amplifier element.
The first part, we are interested in modeling nanometer DGMOS in order to best
optimize their electrical performance. DGMOS modeling is performed using a
simulation code based on the Newton-Raphson algorithm for solving the Poisson and
Schrödinger equations which are discretized by finite difference method. however, the
constant decrease in the size of the MOS transistors engenders parasitic phenomena
such as: tunnel effect, DIBL effect …, that affect the static and dynamic performance
of component. La The solution most commonly used to reduce these effect is to
replace the SiO2 layer by an insulating layer high permittivity says'high-k'. In our
study, we considered oxides Zirconium and Hafnium represent that the materials with
high permittivity most used. Results of the analysis that we conducted using the Highk materials in the transistor DGMOS can significantly reduce the tunneling current.
The second part of this thesis is devoted a study on the phase noise a VCO
oscillator Coplpitts type integrating considered DGMOS. This study is based on the
model of Hajimiri which proposes a technique for noise calculation based on a study
of the oscillator phase sensitivity. We therefore developed a method for determining
the phase noise in an oscillator LC resonator type Based on the model of Hajimiri.
We were able to Montres the variant nature of phase noise in the oscillator. This led
us to identify noise sensitive areas and times when the system is most vulnerable to
parasitic noise source.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BEL7065.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10536 Contribution à l’étude du transport quantique et des performances fréquentielles de DGMOS nanométriques [texte imprimé] / Mourad Bella, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2017 . - 123 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Transistor double grille DGMOS effet tunnel technologie High-k Oscillateur radio
fréquence Oscillateur Colpitts bruit de phase modèle Hajimiri fonction de
sensibilité ISF Double gate transistor DGMOS tunneling effect High-k technology radiofrequency
oscillator Oscillator Colpitts phase noise Hajimiri model sensitivity function ISF الترانزستور مزدوج البوابة DGMOSتأثير النفق، تكنولوجيا High-kمذبذب
ISF دالة الحساسيةHajimiri ضجيج الطور نموذجColpitts منذبذradiofréquenceIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : The work developed in this thesis correspond to the modeling of MOS transistor
double gate DGMOS and its potential for radio frequency applications. Our study
extends the characterization / modeling DGMOS optimization Colpitts oscillator type
where this component forms the amplifier element.
The first part, we are interested in modeling nanometer DGMOS in order to best
optimize their electrical performance. DGMOS modeling is performed using a
simulation code based on the Newton-Raphson algorithm for solving the Poisson and
Schrödinger equations which are discretized by finite difference method. however, the
constant decrease in the size of the MOS transistors engenders parasitic phenomena
such as: tunnel effect, DIBL effect …, that affect the static and dynamic performance
of component. La The solution most commonly used to reduce these effect is to
replace the SiO2 layer by an insulating layer high permittivity says'high-k'. In our
study, we considered oxides Zirconium and Hafnium represent that the materials with
high permittivity most used. Results of the analysis that we conducted using the Highk materials in the transistor DGMOS can significantly reduce the tunneling current.
The second part of this thesis is devoted a study on the phase noise a VCO
oscillator Coplpitts type integrating considered DGMOS. This study is based on the
model of Hajimiri which proposes a technique for noise calculation based on a study
of the oscillator phase sensitivity. We therefore developed a method for determining
the phase noise in an oscillator LC resonator type Based on the model of Hajimiri.
We were able to Montres the variant nature of phase noise in the oscillator. This led
us to identify noise sensitive areas and times when the system is most vulnerable to
parasitic noise source.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BEL7065.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10536 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEL/7065 BEL/7065 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Influence des effets quantiques sur les caractéruistiques de transistors DGMOS nanométrique Type de document : texte imprimé Auteurs : Mourad Bella ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Saida Lassoued, Directeur de thèse Année de publication : 2009 Importance : 62 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Effets quantiques Transistors DGMOS nanométrique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEL5380.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2829 Influence des effets quantiques sur les caractéruistiques de transistors DGMOS nanométrique [texte imprimé] / Mourad Bella ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Saida Lassoued, Directeur de thèse . - 2009 . - 62 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Effets quantiques Transistors DGMOS nanométrique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEL5380.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2829 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEL/5380 BEL/5380 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
