Modélisation de l'hétérostructure HFET AiGaN/GaN incluant les éffets électriques / Fatiha Djefdjouf  

Public ISBD Titre : Modélisation de l'hétérostructure HFET AiGaN/GaN incluant les éffets électriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Fatiha Djefdjouf ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2007 Importance : 73 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistor HEMT AlGaN/GaN Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/DJE5033.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2847 Modélisation de l'hétérostructure HFET AiGaN/GaN incluant les éffets électriques [texte imprimé] / Fatiha Djefdjouf ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse . - 2007 . - 73 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistor HEMT AlGaN/GaN Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/DJE5033.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2847

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DJE/5033	DJE/5033	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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