Détail de l'auteur
Auteur Saida Latreche |
Documents disponibles écrits par cet auteur (8)
Affiner la recherche Interroger des sources externesContribution à l’étude du transistor bipolaire à hétérojonction TBH Pour les applications hautes fréquences / Manel Bouhouche
Titre : Contribution à l’étude du transistor bipolaire à hétérojonction TBH Pour les applications hautes fréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Manel Bouhouche, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2012 Importance : 164 f. Format : 30 cm. Note générale : Doctorat en sciences
2 copies imprimées disponiblesLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Technologie BiCMOS transistor bipolaire à hétérojonction TBH l’alliage SiGe défauts d’implantation Carbone(C) bruit basse fréquence oscillateur (RF) bruit de phase pureté spectrale Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU6311.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=6253 Contribution à l’étude du transistor bipolaire à hétérojonction TBH Pour les applications hautes fréquences [texte imprimé] / Manel Bouhouche, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2012 . - 164 f. ; 30 cm.
Doctorat en sciences
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Technologie BiCMOS transistor bipolaire à hétérojonction TBH l’alliage SiGe défauts d’implantation Carbone(C) bruit basse fréquence oscillateur (RF) bruit de phase pureté spectrale Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BOU6311.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=6253 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BOU/6311 BOU/6311 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l’étude du transport électrique à travers des oxydes très minces (<10nm) dans des structures MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Rachida Bensegueni, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse Année de publication : 2016 Importance : 166 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Semi-conducteurs Microelectronic down-scaling strained Si channel high-k dielectric mobility gate leakage currents direct tunneling current Microélectronique miniaturisation MOSFET Silicium contraint diélectrique haute
permittivité mobilité courants de fuites courant tunnel direct الالكترونيات الدقيقة التصغير السيليكون المتوترة ثنائية المحور العازل عالي السماحية التىقل الالكتروني التسربات تيار تونالIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : The continuous down-scaling of MOS transistors dimensions over the last years allowed a significant revolution in the semiconductor industry. However, in order to maintain this trend, shrinking of conventional n MOS dimensions is no more sufficient enough and replacement of some transistor materials is one of the alternative ways currently under study to solve this issue. In this context, the work presented here, on the study of the transport properties of the nMOS architectures combining both new technology options; a high-k gate dielectric in place of the SiO2 and a biaxialy tensile strained channel.
Firstly, the influence of biaxial tensile strain on the electrical properties of the n-MOS transistor has been investigated using a numerical solution of drift diffusion partial equations.
The simulation results showed a significant improvement in electrons mobility and an increase in current ID (VD).
Then, we study the impact of the incorporation of a high-k gate stack on improving leakage through the oxide. The calculation results obtained from the ATLAS (SILVACOTCAD) simulator have shown that the use of high dielectric constant oxides significantly reduces the tunneling leakage current through increased physical thickness of the stack.
However, we noted a decrease of the electron mobility in the channel If MOS transistors with a high-k dielectric HfO2 hafnium relative to SiO2 Finally, the feasibility and interest to introduce a strained silicon channel to counteract the degradation of mobility associated with stacking metal / HfO2 are then discussed.
Note de contenu :
Annexe I: discrétisation des équations par la méthode des différences finies
Annexe II: simulation électrique par ATLAS (SILVACO-TCAD)Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BEN6980.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10415 Contribution à l’étude du transport électrique à travers des oxydes très minces (<10nm) dans des structures MOS [texte imprimé] / Rachida Bensegueni, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse . - 2016 . - 166 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Semi-conducteurs Microelectronic down-scaling strained Si channel high-k dielectric mobility gate leakage currents direct tunneling current Microélectronique miniaturisation MOSFET Silicium contraint diélectrique haute
permittivité mobilité courants de fuites courant tunnel direct الالكترونيات الدقيقة التصغير السيليكون المتوترة ثنائية المحور العازل عالي السماحية التىقل الالكتروني التسربات تيار تونالIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : The continuous down-scaling of MOS transistors dimensions over the last years allowed a significant revolution in the semiconductor industry. However, in order to maintain this trend, shrinking of conventional n MOS dimensions is no more sufficient enough and replacement of some transistor materials is one of the alternative ways currently under study to solve this issue. In this context, the work presented here, on the study of the transport properties of the nMOS architectures combining both new technology options; a high-k gate dielectric in place of the SiO2 and a biaxialy tensile strained channel.
Firstly, the influence of biaxial tensile strain on the electrical properties of the n-MOS transistor has been investigated using a numerical solution of drift diffusion partial equations.
The simulation results showed a significant improvement in electrons mobility and an increase in current ID (VD).
Then, we study the impact of the incorporation of a high-k gate stack on improving leakage through the oxide. The calculation results obtained from the ATLAS (SILVACOTCAD) simulator have shown that the use of high dielectric constant oxides significantly reduces the tunneling leakage current through increased physical thickness of the stack.
However, we noted a decrease of the electron mobility in the channel If MOS transistors with a high-k dielectric HfO2 hafnium relative to SiO2 Finally, the feasibility and interest to introduce a strained silicon channel to counteract the degradation of mobility associated with stacking metal / HfO2 are then discussed.
Note de contenu :
Annexe I: discrétisation des équations par la méthode des différences finies
Annexe II: simulation électrique par ATLAS (SILVACO-TCAD)Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BEN6980.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10415 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/6980 BEN/6980 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l’étude du transport quantique et des performances fréquentielles de DGMOS nanométriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Mourad Bella, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2017 Importance : 123 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Transistor double grille DGMOS effet tunnel technologie High-k Oscillateur radio
fréquence Oscillateur Colpitts bruit de phase modèle Hajimiri fonction de
sensibilité ISF Double gate transistor DGMOS tunneling effect High-k technology radiofrequency
oscillator Oscillator Colpitts phase noise Hajimiri model sensitivity function ISF الترانزستور مزدوج البوابة DGMOSتأثير النفق، تكنولوجيا High-kمذبذب
ISF دالة الحساسيةHajimiri ضجيج الطور نموذجColpitts منذبذradiofréquenceIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : The work developed in this thesis correspond to the modeling of MOS transistor
double gate DGMOS and its potential for radio frequency applications. Our study
extends the characterization / modeling DGMOS optimization Colpitts oscillator type
where this component forms the amplifier element.
The first part, we are interested in modeling nanometer DGMOS in order to best
optimize their electrical performance. DGMOS modeling is performed using a
simulation code based on the Newton-Raphson algorithm for solving the Poisson and
Schrödinger equations which are discretized by finite difference method. however, the
constant decrease in the size of the MOS transistors engenders parasitic phenomena
such as: tunnel effect, DIBL effect …, that affect the static and dynamic performance
of component. La The solution most commonly used to reduce these effect is to
replace the SiO2 layer by an insulating layer high permittivity says'high-k'. In our
study, we considered oxides Zirconium and Hafnium represent that the materials with
high permittivity most used. Results of the analysis that we conducted using the Highk materials in the transistor DGMOS can significantly reduce the tunneling current.
The second part of this thesis is devoted a study on the phase noise a VCO
oscillator Coplpitts type integrating considered DGMOS. This study is based on the
model of Hajimiri which proposes a technique for noise calculation based on a study
of the oscillator phase sensitivity. We therefore developed a method for determining
the phase noise in an oscillator LC resonator type Based on the model of Hajimiri.
We were able to Montres the variant nature of phase noise in the oscillator. This led
us to identify noise sensitive areas and times when the system is most vulnerable to
parasitic noise source.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BEL7065.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10536 Contribution à l’étude du transport quantique et des performances fréquentielles de DGMOS nanométriques [texte imprimé] / Mourad Bella, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2017 . - 123 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Transistor double grille DGMOS effet tunnel technologie High-k Oscillateur radio
fréquence Oscillateur Colpitts bruit de phase modèle Hajimiri fonction de
sensibilité ISF Double gate transistor DGMOS tunneling effect High-k technology radiofrequency
oscillator Oscillator Colpitts phase noise Hajimiri model sensitivity function ISF الترانزستور مزدوج البوابة DGMOSتأثير النفق، تكنولوجيا High-kمذبذب
ISF دالة الحساسيةHajimiri ضجيج الطور نموذجColpitts منذبذradiofréquenceIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : The work developed in this thesis correspond to the modeling of MOS transistor
double gate DGMOS and its potential for radio frequency applications. Our study
extends the characterization / modeling DGMOS optimization Colpitts oscillator type
where this component forms the amplifier element.
The first part, we are interested in modeling nanometer DGMOS in order to best
optimize their electrical performance. DGMOS modeling is performed using a
simulation code based on the Newton-Raphson algorithm for solving the Poisson and
Schrödinger equations which are discretized by finite difference method. however, the
constant decrease in the size of the MOS transistors engenders parasitic phenomena
such as: tunnel effect, DIBL effect …, that affect the static and dynamic performance
of component. La The solution most commonly used to reduce these effect is to
replace the SiO2 layer by an insulating layer high permittivity says'high-k'. In our
study, we considered oxides Zirconium and Hafnium represent that the materials with
high permittivity most used. Results of the analysis that we conducted using the Highk materials in the transistor DGMOS can significantly reduce the tunneling current.
The second part of this thesis is devoted a study on the phase noise a VCO
oscillator Coplpitts type integrating considered DGMOS. This study is based on the
model of Hajimiri which proposes a technique for noise calculation based on a study
of the oscillator phase sensitivity. We therefore developed a method for determining
the phase noise in an oscillator LC resonator type Based on the model of Hajimiri.
We were able to Montres the variant nature of phase noise in the oscillator. This led
us to identify noise sensitive areas and times when the system is most vulnerable to
parasitic noise source.Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/BEL7065.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10536 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEL/7065 BEL/7065 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l’intégration globale des systèmes de puissance et de commande d’une machine asynchrone Type de document : texte imprimé Auteurs : Redha Benachour, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse ; Mohamed El Hadi Latreche, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2012 Importance : 171 Format : 31 cm. Note générale : Docteur en sciences
2 copies imprimées disponiblesLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : ASIPM modèle comportemental IGBT modèle moyen non linéaire prototypage virtuel onduleur de tension système de commande HVIC VHDL-AMS Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEN6130.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=6008 Contribution à l’intégration globale des systèmes de puissance et de commande d’une machine asynchrone [texte imprimé] / Redha Benachour, Auteur ; Saida Latreche, Directeur de thèse ; Mohamed El Hadi Latreche, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2012 . - 171 ; 31 cm.
Docteur en sciences
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : ASIPM modèle comportemental IGBT modèle moyen non linéaire prototypage virtuel onduleur de tension système de commande HVIC VHDL-AMS Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BEN6130.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=6008 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/6130 BEN/6130 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à la modélisation et à l’optimisation des effets d’auto- échauffement dans les TBHs Si/SiGe. Type de document : texte imprimé Auteurs : Nousra Kherief, Auteur ; Saida Latreche, Auteur Mention d'édition : 31/10/2021 Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2021 Importance : 128 f. Format : 30 cm. Note générale : Doctorat 3éme CYCLE LMD.
1 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Electronique :Micro-Nanoélectronique et Photonique Modélisation SILVACO-Tcad Transistor Bipolaire à Hétérojonction modèle DDM modèle de bilan énergétique isotherme EB le modèle de bilan énergétique non-isotherme NEB Auto- échauffement Modeling Heterojunction Bipolar Transistor DDM model Energy balance model EB Non-isothermal Energy Balance model NEB Self-heating النمذجة المقحل ثنائي القطب ذو الوصلة غير متجانسة نموذج DDMنموذج توازن الطاقة متساوي
الحرارة EBنموذج توازن الطاقة غير متساوي الحرارة التسخين الذاتيIndex. décimale : 621 Electronique Résumé :
The subject of this thesis is the 2D numerical modeling of an SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) using the SILVACO-TCAD software. A simulation of the technological process was first adapted and carried out, and then we were interested in the electrical simulation. For this, we considered three electrical models: the DDM model (Drift Diffusion Model), the isothermal Energy Balance model (EB) and the Non-isothermal Energy Balance model (NEB). Due to the carrier’s overshoot and the non-isothermal effects present in the considered HBT, the NEB model was retained. In addition, the HBT SiGe produced in advanced technologies uses the Superficial and Deep Trenches Isolation (STI and DTI) as isolation between the different devices existing on the same chip. We have studied their impacts on the self-heating phenomenon and the static and dynamic performance of TBH SiGe. The results obtained showed that the self-heating phenomenon is accentuated in this case. In order to improve the electrical and thermal performance of the device, we were interested in analyzing other technological variants.Thus,we start by observing the beneficial effect of the ‘scaling’and the type of Si or SOI (Silicon On Insulate) substrate on the performances of the SiGe heterojunction bipolar transistor. Their effect is very significant on the improvement of electrical performances but an increase of the lattice temperature of the device is also observed. A technological solution to reduce this self-heating phenomenon is ""multi-emitter"" or multi-finger technology. An analysis of this solution was carried out and optimized and its benefit proven.
Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/electronique/KHE7838.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=11670 Contribution à la modélisation et à l’optimisation des effets d’auto- échauffement dans les TBHs Si/SiGe. [texte imprimé] / Nousra Kherief, Auteur ; Saida Latreche, Auteur . - 31/10/2021 . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2021 . - 128 f. ; 30 cm.
Doctorat 3éme CYCLE LMD.
1 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Electronique :Micro-Nanoélectronique et Photonique Modélisation SILVACO-Tcad Transistor Bipolaire à Hétérojonction modèle DDM modèle de bilan énergétique isotherme EB le modèle de bilan énergétique non-isotherme NEB Auto- échauffement Modeling Heterojunction Bipolar Transistor DDM model Energy balance model EB Non-isothermal Energy Balance model NEB Self-heating النمذجة المقحل ثنائي القطب ذو الوصلة غير متجانسة نموذج DDMنموذج توازن الطاقة متساوي
الحرارة EBنموذج توازن الطاقة غير متساوي الحرارة التسخين الذاتيIndex. décimale : 621 Electronique Résumé :
The subject of this thesis is the 2D numerical modeling of an SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) using the SILVACO-TCAD software. A simulation of the technological process was first adapted and carried out, and then we were interested in the electrical simulation. For this, we considered three electrical models: the DDM model (Drift Diffusion Model), the isothermal Energy Balance model (EB) and the Non-isothermal Energy Balance model (NEB). Due to the carrier’s overshoot and the non-isothermal effects present in the considered HBT, the NEB model was retained. In addition, the HBT SiGe produced in advanced technologies uses the Superficial and Deep Trenches Isolation (STI and DTI) as isolation between the different devices existing on the same chip. We have studied their impacts on the self-heating phenomenon and the static and dynamic performance of TBH SiGe. The results obtained showed that the self-heating phenomenon is accentuated in this case. In order to improve the electrical and thermal performance of the device, we were interested in analyzing other technological variants.Thus,we start by observing the beneficial effect of the ‘scaling’and the type of Si or SOI (Silicon On Insulate) substrate on the performances of the SiGe heterojunction bipolar transistor. Their effect is very significant on the improvement of electrical performances but an increase of the lattice temperature of the device is also observed. A technological solution to reduce this self-heating phenomenon is ""multi-emitter"" or multi-finger technology. An analysis of this solution was carried out and optimized and its benefit proven.
Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/electronique/KHE7838.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=11670 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KHE/7838 KHE/7838 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Permalink
PermalinkPermalink
