Catalogue des Mémoires de master
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Auteur K. Mirouh |
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Affiner la rechercheElaboration et étude de couches minces de a-SiC:H déposées par pulvérisation DC magnétron / Imene Abdennebi
Titre : Elaboration et étude de couches minces de a-SiC:H déposées par pulvérisation DC magnétron Type de document : texte imprimé Auteurs : Imene Abdennebi, Auteur ; K. Mirouh, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2011 Importance : 99 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches Minces pulvérisation DC magnétron Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l‟étude des propriétés physico-chimiques, structurales et optiques des couches minces de carbure de silicium amorphe hydrogéné. Ces couches ont été déposées par pulvérisation magnétron sur deux types se substrats, le silicium monocristallin de type p et le verre Corning pour étudier respectivement leurs caractéristiques physico-chimiques et optiques. Trois températures de dépôt ont été utilisées 150, 250 et 350°C. Les couches ainsi préparées ont été caractérisées, principalement, par DRX, ellipsométrie, UV-Visible, Infrarouge et photoluminescence. L‟analyse par DRX a montré que tous échantillons déposés sont complètement amorphes. L‟investigation infrarouge confirme l‟aspect amorphe du matériau et a révélé l‟existence de plusieurs liaisons chimiques existent (Si-H, C-H, C-C, Si-Hn). L‟épaisseur, l‟indice de réfraction ainsi que le gap optique de chaque couche mince ont été déterminés par l‟ellipsométrie. Les mesures de photoluminescence ont montré un caractère plus photoluminescent pour carbure de silicium amorphe hydrogéné déposé à 250°C. Enfin l‟effet du recuit thermique des couches a-SiC : H a été étudié. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6394 Elaboration et étude de couches minces de a-SiC:H déposées par pulvérisation DC magnétron [texte imprimé] / Imene Abdennebi, Auteur ; K. Mirouh, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2011 . - 99 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches Minces pulvérisation DC magnétron Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail porte sur l‟étude des propriétés physico-chimiques, structurales et optiques des couches minces de carbure de silicium amorphe hydrogéné. Ces couches ont été déposées par pulvérisation magnétron sur deux types se substrats, le silicium monocristallin de type p et le verre Corning pour étudier respectivement leurs caractéristiques physico-chimiques et optiques. Trois températures de dépôt ont été utilisées 150, 250 et 350°C. Les couches ainsi préparées ont été caractérisées, principalement, par DRX, ellipsométrie, UV-Visible, Infrarouge et photoluminescence. L‟analyse par DRX a montré que tous échantillons déposés sont complètement amorphes. L‟investigation infrarouge confirme l‟aspect amorphe du matériau et a révélé l‟existence de plusieurs liaisons chimiques existent (Si-H, C-H, C-C, Si-Hn). L‟épaisseur, l‟indice de réfraction ainsi que le gap optique de chaque couche mince ont été déterminés par l‟ellipsométrie. Les mesures de photoluminescence ont montré un caractère plus photoluminescent pour carbure de silicium amorphe hydrogéné déposé à 250°C. Enfin l‟effet du recuit thermique des couches a-SiC : H a été étudié. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6394 Réservation
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Titre : Etude des transformations microstructurales et de phases induites dans les couches minces de silicium amorphe par faisceau Laser : Effet des contraintes thermiques sur la cristallisation Type de document : texte imprimé Auteurs : Nassima Lamari, Auteur ; K. Mirouh, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2018 Importance : 69 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie elelctronique PDF disponible en Buc Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : transformations microstructurales couches minces Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le travail de ce mémoire de master porte sur l’étude des transformations de phase et
microstructurales dans les couches minces de silicium amorphe renfermant des champs
de contraintes très importants.Ces couches ont été déposées sur un substrat de quartz par
la méthode CVD (Chemical Vapor Deposition) et recouvertes par un film mince de SiO2.
Trois types de dépôt ont été étudiés : SiO2/a-Si/quartz, SiO2/a-Si :H/quartz et aSi :H/quartz. Les couches a-Si et a-Si :H ont été obtenues, respectivement, par LPCVD et
PECVD, pour des températures de dépôt respectives de 550 et 250°C.Les moyens de
caractérisation sont la microspectroscopie raman et la microscopie électronique Ã
transmission. La couche a-Si:H recouverte par le film SiO2 renferme les contraintes plus
élevées. L’irradiation de cette couche par le laser d’excitation raman, de quelques mW, a
entrainé la formation de la phase hexagonale de silicium.Les phénomènes anormaux de
cristallisation ont été étudiés. Ils se manifestent dans les régions de la couche mince aSi:H, loin de la zone irradiée par le laser excimère KrF de densité d’énergie de 2.9 J/cmDiplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=9435 Etude des transformations microstructurales et de phases induites dans les couches minces de silicium amorphe par faisceau Laser : Effet des contraintes thermiques sur la cristallisation [texte imprimé] / Nassima Lamari, Auteur ; K. Mirouh, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2018 . - 69 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : transformations microstructurales couches minces Index. décimale : 530 Physique Résumé : Le travail de ce mémoire de master porte sur l’étude des transformations de phase et
microstructurales dans les couches minces de silicium amorphe renfermant des champs
de contraintes très importants.Ces couches ont été déposées sur un substrat de quartz par
la méthode CVD (Chemical Vapor Deposition) et recouvertes par un film mince de SiO2.
Trois types de dépôt ont été étudiés : SiO2/a-Si/quartz, SiO2/a-Si :H/quartz et aSi :H/quartz. Les couches a-Si et a-Si :H ont été obtenues, respectivement, par LPCVD et
PECVD, pour des températures de dépôt respectives de 550 et 250°C.Les moyens de
caractérisation sont la microspectroscopie raman et la microscopie électronique Ã
transmission. La couche a-Si:H recouverte par le film SiO2 renferme les contraintes plus
élevées. L’irradiation de cette couche par le laser d’excitation raman, de quelques mW, a
entrainé la formation de la phase hexagonale de silicium.Les phénomènes anormaux de
cristallisation ont été étudiés. Ils se manifestent dans les régions de la couche mince aSi:H, loin de la zone irradiée par le laser excimère KrF de densité d’énergie de 2.9 J/cmDiplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=9435 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MSPHY180002 MSPHY180002 Document électronique Bibliothèque principale Mémoires Disponible Documents numériques
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