Titre : |
Elaboration et caractérisation des couches minces d’Oxyde de Cuivre CuO par spray pyrolyse |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Amina Khelifi, Auteur ; Khadidja Benameur, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse |
Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
Année de publication : |
2014 |
Importance : |
60 f. |
Format : |
30 cm. |
Note générale : |
Une copie electronique PDF disponible en BUC. |
Langues : |
Français (fre) |
Catégories : |
Sciences Exactes:Physique
|
Tags : |
CuO Couche absorbant Spray ultrasonique couche mince cellules
Solaire SCLC. |
Index. décimale : |
530 Physique |
Résumé : |
L’oxyde de cuivre (CuO) est un semi-conducteur de gap direct (1.2 eV).a
cause de leurs incroyables propriétés les couches minces utilisent en plusieurs
application : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs…etc. il ya plusieurs
techniques d’élaboration des films minces de CuO : spray pyrolyse, évaporation
thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation laser…ect.
Dans notre travail, ont été déposées des couches minces d'oxyde cuivre par la
technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. L’objectif dans cet exposé
est l’étude de l’influence de température de substrat et débit de la solution sur les
propriétés optiques, électriques et structurales après d’obtenir des couches
absorbantes.
Pour préparer notre solution nous avons utilisé le chlorure de cuivre comme un
produit source pour Cu et varions la température de dépôt (300 °C ,400 °C) et le débit
de la solution (5 ml/h ,30 ml/h). Les propriétés optiques ont été fondées sur la
spectroscopie de transmission dans l'UV-Visible, nous pouvons calculer le gap
optique d’après l’utilisation des spectres tel que Selon les conditions d’élaboration les
valeurs des gaps obtenues varient de 1.37 à 1.59 eV. Pour l’étude de la structure nous
avons utilisé la spectroscopie Raman, ces spectres Raman confirment la présence de
la phase CuO. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la mesure de la
conductivité par l’effet hall. Enfin Nous exposons les résultats des mesures de la
densité d’états dans la bande interdite par la méthode du courant limité par la charge
d’espace (SCLC), tel que la densité d’états dans la bande interdite proche du niveau
de Fermi est de l’ordre de 1013 à 1014 cm-3 eV-1 dans le modèle de Den Boer et varie
de 1014 à 1017 dans le cas de modèle de weisfield. |
Diplome : |
Master 2 |
Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7159 |
Elaboration et caractérisation des couches minces d’Oxyde de Cuivre CuO par spray pyrolyse [texte imprimé] / Amina Khelifi, Auteur ; Khadidja Benameur, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2014 . - 60 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français ( fre)
Catégories : |
Sciences Exactes:Physique
|
Tags : |
CuO Couche absorbant Spray ultrasonique couche mince cellules
Solaire SCLC. |
Index. décimale : |
530 Physique |
Résumé : |
L’oxyde de cuivre (CuO) est un semi-conducteur de gap direct (1.2 eV).a
cause de leurs incroyables propriétés les couches minces utilisent en plusieurs
application : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs…etc. il ya plusieurs
techniques d’élaboration des films minces de CuO : spray pyrolyse, évaporation
thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation laser…ect.
Dans notre travail, ont été déposées des couches minces d'oxyde cuivre par la
technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. L’objectif dans cet exposé
est l’étude de l’influence de température de substrat et débit de la solution sur les
propriétés optiques, électriques et structurales après d’obtenir des couches
absorbantes.
Pour préparer notre solution nous avons utilisé le chlorure de cuivre comme un
produit source pour Cu et varions la température de dépôt (300 °C ,400 °C) et le débit
de la solution (5 ml/h ,30 ml/h). Les propriétés optiques ont été fondées sur la
spectroscopie de transmission dans l'UV-Visible, nous pouvons calculer le gap
optique d’après l’utilisation des spectres tel que Selon les conditions d’élaboration les
valeurs des gaps obtenues varient de 1.37 à 1.59 eV. Pour l’étude de la structure nous
avons utilisé la spectroscopie Raman, ces spectres Raman confirment la présence de
la phase CuO. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la mesure de la
conductivité par l’effet hall. Enfin Nous exposons les résultats des mesures de la
densité d’états dans la bande interdite par la méthode du courant limité par la charge
d’espace (SCLC), tel que la densité d’états dans la bande interdite proche du niveau
de Fermi est de l’ordre de 1013 à 1014 cm-3 eV-1 dans le modèle de Den Boer et varie
de 1014 à 1017 dans le cas de modèle de weisfield. |
Diplome : |
Master 2 |
Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7159 |
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