Titre :	optimisation du profil de germanium dans la basa pour une nouvelle génération de transistor bipolaire à hétérojonction siGe BiCMOS55mm
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Amina Boughdiri, Auteur ; Ilhem Boulhouchet, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2020
Importance :	83 f.
Format :	30cm.
Note générale :	Une copie electronique PDF disponible au BUC.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences de la technologie:Electronique
Tags :	TBH  SiGe  BICMOS55mm .
Index. décimale :	610 Electronique
Résumé :	Ce travail s'attache plus particulièrement aux simulations éléctriques du transistor bipolaire à hétérojonction TBH.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14442

optimisation du profil de germanium dans la basa pour une nouvelle génération de transistor bipolaire à hétérojonction siGe BiCMOS55mm [texte imprimé] / Amina Boughdiri, Auteur ; Ilhem Boulhouchet, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2020 . - 83 f. ; 30cm.
Une copie electronique PDF disponible au BUC.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences de la technologie:Electronique
Tags :	TBH  SiGe  BICMOS55mm .
Index. décimale :	610 Electronique
Résumé :	Ce travail s'attache plus particulièrement aux simulations éléctriques du transistor bipolaire à hétérojonction TBH.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14442