Etude de l’effet de la température Sur les caractéristiques du transistor MESFET / Yakoub Reboudji 

Public ISBD Titre : Etude de l’effet de la température Sur les caractéristiques du transistor MESFET Type de document : texte imprimé Auteurs : Yakoub Reboudji, Auteur ; Wahiba El Mansouri, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 45 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Micro électronique  température  caractéristiques  transistor MESFET Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Les transistors à effet de champ sont des composants unipolaires, ne mettant en jeu qu'un seul type de porteurs, et dans lesquels le courant circulant entre les électrodes de source et de drain est contrôlé par variation de la conductivité d'un canal conducteur c’est ce qu’on l’appelle le MESFET(Metal Semi Conductor Field EffectTranistor). Les MESFET en GaAs, à cause de leur grille très étroite, présentent des tensions de fonctionnement faibles, Ils sont principalement utilisés dans l'amplification très haute fréquence et faible bruit ainsi que pour les logiques ultra-rapides. L’objectif de ce mémoire est de faire une étude sur le transistor MESFET GaAs et de déterminer l’influence de la température sur ses performances Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8194 Etude de l’effet de la température Sur les caractéristiques du transistor MESFET [texte imprimé] / Yakoub Reboudji, Auteur ; Wahiba El Mansouri, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2015 . - 45 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Micro électronique  température  caractéristiques  transistor MESFET Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Les transistors à effet de champ sont des composants unipolaires, ne mettant en jeu qu'un seul type de porteurs, et dans lesquels le courant circulant entre les électrodes de source et de drain est contrôlé par variation de la conductivité d'un canal conducteur c’est ce qu’on l’appelle le MESFET(Metal Semi Conductor Field EffectTranistor). Les MESFET en GaAs, à cause de leur grille très étroite, présentent des tensions de fonctionnement faibles, Ils sont principalement utilisés dans l'amplification très haute fréquence et faible bruit ainsi que pour les logiques ultra-rapides. L’objectif de ce mémoire est de faire une étude sur le transistor MESFET GaAs et de déterminer l’influence de la température sur ses performances Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8194

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