Catalogue des Mémoires de master

Titre : |
Layout et simulation de la réponse d’un additionneur complet dynamique en technologie CMOS 0.1 µm par MICROWIND |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Mehdi zineeddine BENTOUNSI, Auteur ; youcef LAKEHAL, Auteur ; A. Saouli, Directeur de thèse |
Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
Année de publication : |
2021 |
Importance : |
56 f. |
Format : |
30 cm. |
Note générale : |
Une copie electronique PDF disponible au BUC |
Langues : |
Français (fre) |
Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
Tags : |
CMOS 0.1 MICROWIND |
Index. décimale : |
610 Electronique |
Résumé : |
Les travaux que nous présentons dans ce mémoire portent sur la conception et la réalisation
du dessin de masque (layout) de l’additionneur complet dynamique en technologie CMOS
0.1μm par MICROWIND. Le corps de ce mémoire consiste à la miniaturisation de la surface
du système, une optimisation logique en simplifiant les équations logiques et une optimisation
électronique en utilisant les règles de dessins, sont les deux contributions de ce travail.
En exploitant les équations simplifiées des sorties Somme et Retenue de l’additionneur
complet, nous somme arrivé a réalisé l’additionneur complet statique en technologie CMOS
0.1μm par 28 transistors.
Finalement, nous nous somme pas arrêté la, on a réalisé le système en opérateur dynamique Ã
partir du statique des 28 transistors et on est arrivé à un système dynamique plus rapide et plus
performent qui se constitue de 26 transistors qui peut faire l’acquisition série des sorties S et
Rn
par une seul sortie. |
Diplome : |
Master 2 |
Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=15457 |
Layout et simulation de la réponse d’un additionneur complet dynamique en technologie CMOS 0.1 µm par MICROWIND [texte imprimé] / Mehdi zineeddine BENTOUNSI, Auteur ; youcef LAKEHAL, Auteur ; A. Saouli, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2021 . - 56 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible au BUC Langues : Français ( fre)
Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
Tags : |
CMOS 0.1 MICROWIND |
Index. décimale : |
610 Electronique |
Résumé : |
Les travaux que nous présentons dans ce mémoire portent sur la conception et la réalisation
du dessin de masque (layout) de l’additionneur complet dynamique en technologie CMOS
0.1μm par MICROWIND. Le corps de ce mémoire consiste à la miniaturisation de la surface
du système, une optimisation logique en simplifiant les équations logiques et une optimisation
électronique en utilisant les règles de dessins, sont les deux contributions de ce travail.
En exploitant les équations simplifiées des sorties Somme et Retenue de l’additionneur
complet, nous somme arrivé a réalisé l’additionneur complet statique en technologie CMOS
0.1μm par 28 transistors.
Finalement, nous nous somme pas arrêté la, on a réalisé le système en opérateur dynamique Ã
partir du statique des 28 transistors et on est arrivé à un système dynamique plus rapide et plus
performent qui se constitue de 26 transistors qui peut faire l’acquisition série des sorties S et
Rn
par une seul sortie. |
Diplome : |
Master 2 |
Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=15457 |
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