Contribution à l'analyse de transistor Bipolaire à Hétrojonction (TBH) Si/SiGe à Multi-émetteurs(milti finger)) / Khireddine Mehdi 

Public ISBD Titre : Contribution à l'analyse de transistor Bipolaire à Hétrojonction (TBH) Si/SiGe à Multi-émetteurs(milti finger)) Type de document : texte imprimé Auteurs : Khireddine Mehdi, Auteur ; Abdelmaoula Aissaoui, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2020 Importance : 79 f. Format : 30cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible au BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : TBH  sige  BiCMOS9MW  multi émetteurs  l'auto échauffement. Index. décimale : 610 Electronique Résumé : le travail presenté dans ce memoire se place dans le cadre de la modélisation numérique du transistor bipolaire à hétérojonction. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14290 Contribution à l'analyse de transistor Bipolaire à Hétrojonction (TBH) Si/SiGe à Multi-émetteurs(milti finger)) [texte imprimé] / Khireddine Mehdi, Auteur ; Abdelmaoula Aissaoui, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2020 . - 79 f. ; 30cm. Une copie electronique PDF disponible au BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : TBH  sige  BiCMOS9MW  multi émetteurs  l'auto échauffement. Index. décimale : 610 Electronique Résumé : le travail presenté dans ce memoire se place dans le cadre de la modélisation numérique du transistor bipolaire à hétérojonction. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14290

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Etude et Optimisation d’un Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) SiGe Réalisé en Technologie BiCMOS55nm sur Substrat Isolant (SOI) / Houssem Eddine Mehanaoui 

Public ISBD Titre : Etude et Optimisation d’un Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) SiGe Réalisé en Technologie BiCMOS55nm sur Substrat Isolant (SOI) Type de document : texte imprimé Auteurs : Houssem Eddine Mehanaoui, Auteur ; Sabrina Mokrani, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2021 Importance : 92 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible au BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : TBH  SiGe  BiCMOS55  SOI  STMicroelectronics  BOX Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Ce travail s’attache plus particulièrement aux simulations électriques du Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) à base SiGe avec une architecture DPSA-SEG (DoublePoly silicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth) issu la filière BiCMOS55 fabriquée par STMicroelectronics. Dans le but de voir l’impact de la couche SOI (Silicon On Insulator), composé d’une couche de silicium sur une fine couche d’oxyde appelée (BOX). sur les caractéristiques statiques et dynamiques du TBH. Pour cela nous avons utilisé le logiciel commercial COMSOL Multiphysics. Nos simulations ont été élaborées, sur des TBH ayants deux types de substrats, un substrat de type SOI un substrat de type silicium massif, nous avons remarqué que les caractéristiques électriques statiques courant de collecteur, courant de base et gain, ainsi que les performances dynamiques se trouve améliorés pour un TBH ayant un substrat de type SOI que pour un TBH ayant un substrat de type de silicium massif. La technologie SOI est capable de réduire les capacités parasites et d'avoir des courants de fuite plus faibles. L'objectif principal de l'introduction de l'oxyde enterré est d'apporter une solution en termes de hautes performances et de faible consommation. Ceci est obtenu grâce à l'isolement de l'oxyde enterré et à la réduction des capacités de jonction, qui permettent d'augmenter les performances statiques et dynamiques. En outre, afin d’analyser et optimiser en premier lieu l’impact du dopage de la couche enterrée N++ du collecteur, la partie active se trouvant juste au au-dessus de la couche SOI du TBH. Les simulations font apparaitre pour des dopages élevés la couche enterrée N++ du collecteur 9.1020 les performances statiques et dynamiques s’améliorent considérablement. En outre, dans un premier temps nous optimisons l’impact du dopage de la couche enterrée N++ du collecteur, couche active se trouvant juste sur le BOX: (Buried OXide) d’oxyde, avec des dopages de l’ordre de 5.1019cm-3, 5.1020 cm-3, 9.1020 cm-3. . Les simulations font apparaitre pour des dopages élevés la couche enterrée N++ du collecteur 9.1020 les performances statiques et dynamiques s’améliorent considérablement. Dans un second temps, nous avons optimisé l’impact de l’épaisseur du (BOX : Buried OXide) de la couche (SOI) plus précisément du (BOX) d’oxyde avec des épaisseurs (dox=200nm et (dox=400nm). L’augmentation de l’épaisseur du BOX d’oxyde, améliore les performances statiques et dynamiques du composant, pour (dox =400nm) la fréquence maximale d’oscillation vaut ((fT/ f max= 385GHz 480GGHz). Ceci à pour conséquence augmentation des performances du transistor et atteindre une fréquence de l’ordre du Tétra hertz (0.5THz). Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=15921 Etude et Optimisation d’un Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) SiGe Réalisé en Technologie BiCMOS55nm sur Substrat Isolant (SOI) [texte imprimé] / Houssem Eddine Mehanaoui, Auteur ; Sabrina Mokrani, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2021 . - 92 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible au BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : TBH  SiGe  BiCMOS55  SOI  STMicroelectronics  BOX Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Ce travail s’attache plus particulièrement aux simulations électriques du Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) à base SiGe avec une architecture DPSA-SEG (DoublePoly silicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth) issu la filière BiCMOS55 fabriquée par STMicroelectronics. Dans le but de voir l’impact de la couche SOI (Silicon On Insulator), composé d’une couche de silicium sur une fine couche d’oxyde appelée (BOX). sur les caractéristiques statiques et dynamiques du TBH. Pour cela nous avons utilisé le logiciel commercial COMSOL Multiphysics. Nos simulations ont été élaborées, sur des TBH ayants deux types de substrats, un substrat de type SOI un substrat de type silicium massif, nous avons remarqué que les caractéristiques électriques statiques courant de collecteur, courant de base et gain, ainsi que les performances dynamiques se trouve améliorés pour un TBH ayant un substrat de type SOI que pour un TBH ayant un substrat de type de silicium massif. La technologie SOI est capable de réduire les capacités parasites et d'avoir des courants de fuite plus faibles. L'objectif principal de l'introduction de l'oxyde enterré est d'apporter une solution en termes de hautes performances et de faible consommation. Ceci est obtenu grâce à l'isolement de l'oxyde enterré et à la réduction des capacités de jonction, qui permettent d'augmenter les performances statiques et dynamiques. En outre, afin d’analyser et optimiser en premier lieu l’impact du dopage de la couche enterrée N++ du collecteur, la partie active se trouvant juste au au-dessus de la couche SOI du TBH. Les simulations font apparaitre pour des dopages élevés la couche enterrée N++ du collecteur 9.1020 les performances statiques et dynamiques s’améliorent considérablement. En outre, dans un premier temps nous optimisons l’impact du dopage de la couche enterrée N++ du collecteur, couche active se trouvant juste sur le BOX: (Buried OXide) d’oxyde, avec des dopages de l’ordre de 5.1019cm-3, 5.1020 cm-3, 9.1020 cm-3. . Les simulations font apparaitre pour des dopages élevés la couche enterrée N++ du collecteur 9.1020 les performances statiques et dynamiques s’améliorent considérablement. Dans un second temps, nous avons optimisé l’impact de l’épaisseur du (BOX : Buried OXide) de la couche (SOI) plus précisément du (BOX) d’oxyde avec des épaisseurs (dox=200nm et (dox=400nm). L’augmentation de l’épaisseur du BOX d’oxyde, améliore les performances statiques et dynamiques du composant, pour (dox =400nm) la fréquence maximale d’oscillation vaut ((fT/ f max= 385GHz 480GGHz). Ceci à pour conséquence augmentation des performances du transistor et atteindre une fréquence de l’ordre du Tétra hertz (0.5THz). Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=15921

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Etude des Transistors Bipolaires à hétérojonction à base SiGe à l'aide du modèle hydrodynamique (EB) / sabrina Chibani 

Public ISBD Titre : Etude des Transistors Bipolaires à hétérojonction à base SiGe à l'aide du modèle hydrodynamique (EB) Type de document : texte imprimé Auteurs : sabrina Chibani, Auteur ; khadidja Belhadj, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2016 Importance : 47 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Hétérojonction  l’alliage SiGe  TBH  Bilan Energétique(EB)  dérive diffusion(DD)  hautes température  Auto-échauffement. Index. décimale : 610 Electronique Résumé : le but de notre travail, l’étude des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) SiGe à l’aide du modèle hydrodynamique (EBM) considéré comme un modèle microscopique donnant une description plus précise des effets de dispositifs physiques, en particulier la température du réseau cristallin les interactions avec les particules et l'ionisation par impact.qui ne sont pas traités par le modèle classique de Dérive-Diffusion Model (DDM) et qui reste un modèle déterministe le plus populaire de nos jours pour décrire les composants à semi-conducteur. Le premier chapitre, nous avons mis en évidence, d’une part, le principe de fonctionnement d’un transistor bipolaire à homojonction, ainsi que les contraintes et les limites de ce dernier ayant amené à l’utilisation de l’hétérojonction, D’autre part, on ferra une étude sur les transistors bipolaires à hétérojonction à base d’un alliage Si/SiGe. A l’issue de ces deux étapes, nous aborderons l’intégration d’un TBH dans une technologie BiCMOS0.13μm. Le deuxième chapitre est consacré, au logiciel de simulation Silvaco-TCAD, nous présentons les modèles physiques utilisés en l’occurrence le modèle macroscopique « Drift Diffusion Model » DDM) et le modèle hydrodynamique « Energy Balance ». En utilisera, par la suite le module ATHENA du logiciel SILVACO pour la simulation du process de fabrication technologique d’un TBH à base d’un alliage SiGe. Dans le dernier chapitre, nous présentons dans un premier temps les résultats de simulations statiques et dynamiques à température ambiante réalisées pour des TBH SiGe à l’aide du modèle EBM. Dans un second temps nous comparons ces mêmes caractéristiques avec le modèle DDM afin, de mieux cerner l’impact de ce modèle sur les performances du composant. Afin, dans le but de prendre en compte ces phénomènes qui peuvent causer des effets d’auto échauffement, nous avons simulé les performances de ce même TBH SiGe pour des températures élevées à l’aide du modèle hydrodynamique EB, qui prend en considération l'effet de dépassement de la vitesse et de l'ionisation d'impact non-local Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8581 Etude des Transistors Bipolaires à hétérojonction à base SiGe à l'aide du modèle hydrodynamique (EB) [texte imprimé] / sabrina Chibani, Auteur ; khadidja Belhadj, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 47 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Hétérojonction  l’alliage SiGe  TBH  Bilan Energétique(EB)  dérive diffusion(DD)  hautes température  Auto-échauffement. Index. décimale : 610 Electronique Résumé : le but de notre travail, l’étude des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) SiGe à l’aide du modèle hydrodynamique (EBM) considéré comme un modèle microscopique donnant une description plus précise des effets de dispositifs physiques, en particulier la température du réseau cristallin les interactions avec les particules et l'ionisation par impact.qui ne sont pas traités par le modèle classique de Dérive-Diffusion Model (DDM) et qui reste un modèle déterministe le plus populaire de nos jours pour décrire les composants à semi-conducteur. Le premier chapitre, nous avons mis en évidence, d’une part, le principe de fonctionnement d’un transistor bipolaire à homojonction, ainsi que les contraintes et les limites de ce dernier ayant amené à l’utilisation de l’hétérojonction, D’autre part, on ferra une étude sur les transistors bipolaires à hétérojonction à base d’un alliage Si/SiGe. A l’issue de ces deux étapes, nous aborderons l’intégration d’un TBH dans une technologie BiCMOS0.13μm. Le deuxième chapitre est consacré, au logiciel de simulation Silvaco-TCAD, nous présentons les modèles physiques utilisés en l’occurrence le modèle macroscopique « Drift Diffusion Model » DDM) et le modèle hydrodynamique « Energy Balance ». En utilisera, par la suite le module ATHENA du logiciel SILVACO pour la simulation du process de fabrication technologique d’un TBH à base d’un alliage SiGe. Dans le dernier chapitre, nous présentons dans un premier temps les résultats de simulations statiques et dynamiques à température ambiante réalisées pour des TBH SiGe à l’aide du modèle EBM. Dans un second temps nous comparons ces mêmes caractéristiques avec le modèle DDM afin, de mieux cerner l’impact de ce modèle sur les performances du composant. Afin, dans le but de prendre en compte ces phénomènes qui peuvent causer des effets d’auto échauffement, nous avons simulé les performances de ce même TBH SiGe pour des températures élevées à l’aide du modèle hydrodynamique EB, qui prend en considération l'effet de dépassement de la vitesse et de l'ionisation d'impact non-local Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8581

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optimisation du profil de germanium dans la basa pour une nouvelle génération de transistor bipolaire à hétérojonction siGe BiCMOS55mm / Amina Boughdiri 

Public ISBD Titre : optimisation du profil de germanium dans la basa pour une nouvelle génération de transistor bipolaire à hétérojonction siGe BiCMOS55mm Type de document : texte imprimé Auteurs : Amina Boughdiri, Auteur ; Ilhem Boulhouchet, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2020 Importance : 83 f. Format : 30cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible au BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : TBH  SiGe  BICMOS55mm . Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Ce travail s'attache plus particulièrement aux simulations éléctriques du transistor bipolaire à hétérojonction TBH. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14442 optimisation du profil de germanium dans la basa pour une nouvelle génération de transistor bipolaire à hétérojonction siGe BiCMOS55mm [texte imprimé] / Amina Boughdiri, Auteur ; Ilhem Boulhouchet, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2020 . - 83 f. ; 30cm. Une copie electronique PDF disponible au BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : TBH  SiGe  BICMOS55mm . Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Ce travail s'attache plus particulièrement aux simulations éléctriques du transistor bipolaire à hétérojonction TBH. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14442

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Simulation et Optimisation d’une Génération de Transistor Bipolaire SiGe Intégré dans une Filière BiCMOS55nm / Chems El Ghizlane Lachkhab 

Public ISBD Titre : Simulation et Optimisation d’une Génération de Transistor Bipolaire SiGe Intégré dans une Filière BiCMOS55nm Type de document : texte imprimé Auteurs : Chems El Ghizlane Lachkhab, Auteur ; Aya Benlaksira, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2019 Importance : 81 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie électronique PDF disponible au BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : STMicroelectronics , Hautes températures , optimisation du dopage de la base, poly Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Le travail présenté porte sur la modélisation et l’optimisation des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) à base SiGe intégrés, dans une nouvelle technologie BiCMOS55nm fabriqués par STMicroelectronics, avec une architecture DPSA-SEG(Double-Poly silicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth). Le but de notre, travail étant la simulation et l’analyse des caractéristiques statiques et dynamiques des TBH de la technologie BiCMOS055 en plateforme 300 mm, la première technologie BiCMOS en nÅ“ud 55 nm avec des fréquences caractéristiques (fT / fMAX = 320 / 370 GHz). Le premier chapitre présente un état de l’art sur le domaine de la technologie SiGe et de ses applications. Une synthèse sur les propriétés physiques de l’alliage SiGe a été faite, permettant de cerner au mieux l’impact du germanium dans l’alliage SiGe. Par ailleurs, dans le second chapitre, nous nous sommes intéressés plus particulièrement à la technologie BiCMOS55 avec un nÅ“ud CMOS de 55nm. C’est dans ce contexte que nous avons présentés les principales étapes de fabrication des TBH données par STMicroelectronics Dans la deuxième partie, nous avons présentés une description didactique du logiciel utilisé lors de notre simulation (COMSOL Multiphysics) et ces différents modules. Le dernier chapitre regroupe, les résultats de simulations obtenus par le logiciel COMSOL, dans un premier temps nous avons simulé les caractéristiques statiques et dynamiques du TBH (courant de collecteur IC, courant de base IB, gain en courant β, fréquence de transition fT et fréquence maximale d’oscillation fmax). Nousavons jugé opportun de comparer l’ordre de grandeur de nos résultats avec la littérature spécialisée. Ensuite, nous avons présenté les résultats de simulations relatives aux caractéristiques statiques et dynamiques des TBH SiGe en fonction des hautes températures. Cependant, dans le but d’augmenter les performances dynamiques du TBH SiGe intégré dans la filière BiCMOS55 simulée, nous avons fait une optimisation du dopage de la base intrinsèque en SiGe et celle du dopage de la base extrinsèque en polysilicium afin de réduire la résistance de base et d’augmenter les a fréquences de coupure fTet fmax Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=12100 Simulation et Optimisation d’une Génération de Transistor Bipolaire SiGe Intégré dans une Filière BiCMOS55nm [texte imprimé] / Chems El Ghizlane Lachkhab, Auteur ; Aya Benlaksira, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2019 . - 81 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible au BUC Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : STMicroelectronics , Hautes températures , optimisation du dopage de la base, poly Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Le travail présenté porte sur la modélisation et l’optimisation des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) à base SiGe intégrés, dans une nouvelle technologie BiCMOS55nm fabriqués par STMicroelectronics, avec une architecture DPSA-SEG(Double-Poly silicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth). Le but de notre, travail étant la simulation et l’analyse des caractéristiques statiques et dynamiques des TBH de la technologie BiCMOS055 en plateforme 300 mm, la première technologie BiCMOS en nÅ“ud 55 nm avec des fréquences caractéristiques (fT / fMAX = 320 / 370 GHz). Le premier chapitre présente un état de l’art sur le domaine de la technologie SiGe et de ses applications. Une synthèse sur les propriétés physiques de l’alliage SiGe a été faite, permettant de cerner au mieux l’impact du germanium dans l’alliage SiGe. Par ailleurs, dans le second chapitre, nous nous sommes intéressés plus particulièrement à la technologie BiCMOS55 avec un nÅ“ud CMOS de 55nm. C’est dans ce contexte que nous avons présentés les principales étapes de fabrication des TBH données par STMicroelectronics Dans la deuxième partie, nous avons présentés une description didactique du logiciel utilisé lors de notre simulation (COMSOL Multiphysics) et ces différents modules. Le dernier chapitre regroupe, les résultats de simulations obtenus par le logiciel COMSOL, dans un premier temps nous avons simulé les caractéristiques statiques et dynamiques du TBH (courant de collecteur IC, courant de base IB, gain en courant β, fréquence de transition fT et fréquence maximale d’oscillation fmax). Nousavons jugé opportun de comparer l’ordre de grandeur de nos résultats avec la littérature spécialisée. Ensuite, nous avons présenté les résultats de simulations relatives aux caractéristiques statiques et dynamiques des TBH SiGe en fonction des hautes températures. Cependant, dans le but d’augmenter les performances dynamiques du TBH SiGe intégré dans la filière BiCMOS55 simulée, nous avons fait une optimisation du dopage de la base intrinsèque en SiGe et celle du dopage de la base extrinsèque en polysilicium afin de réduire la résistance de base et d’augmenter les a fréquences de coupure fTet fmax Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=12100

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Simulation des performances dynamiques d’un Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) à base SiGe avec SILVACO_ TCAD 

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