| Titre : |
Simulation et Optimisation d’une Génération de Transistor Bipolaire SiGe Intégré dans une Filière BiCMOS55nm |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Chems El Ghizlane Lachkhab, Auteur ; Aya Benlaksira, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse |
| Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
| Année de publication : |
2019 |
| Importance : |
81 f. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Une copie électronique PDF disponible au BUC |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Tags : |
STMicroelectronics , Hautes températures ,
optimisation du dopage de la base, poly |
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
Le travail présenté porte sur la modélisation et l’optimisation des Transistors Bipolaires à
Hétérojonction (TBH) à base SiGe intégrés, dans une nouvelle technologie BiCMOS55nm
fabriqués par STMicroelectronics, avec une architecture DPSA-SEG(Double-Poly silicium
Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth). Le but de notre, travail étant la simulation et
l’analyse des caractéristiques statiques et dynamiques des TBH de la technologie
BiCMOS055 en plateforme 300 mm, la première technologie BiCMOS en nœud 55 nm avec
des fréquences caractéristiques (fT / fMAX = 320 / 370 GHz).
Le premier chapitre présente un état de l’art sur le domaine de la technologie SiGe et de ses
applications. Une synthèse sur les propriétés physiques de l’alliage SiGe a été faite,
permettant de cerner au mieux l’impact du germanium dans l’alliage SiGe.
Par ailleurs, dans le second chapitre, nous nous sommes intéressés plus particulièrement à la
technologie BiCMOS55 avec un nœud CMOS de 55nm. C’est dans ce contexte que nous
avons présentés les principales étapes de fabrication des TBH données par
STMicroelectronics Dans la deuxième partie, nous avons présentés une description didactique
du logiciel utilisé lors de notre simulation (COMSOL Multiphysics) et ces différents modules.
Le dernier chapitre regroupe, les résultats de simulations obtenus par le logiciel COMSOL,
dans un premier temps nous avons simulé les caractéristiques statiques et dynamiques du
TBH (courant de collecteur IC, courant de base IB, gain en courant β, fréquence de transition fT
et fréquence maximale d’oscillation fmax). Nousavons jugé opportun de comparer l’ordre de
grandeur de nos résultats avec la littérature spécialisée.
Ensuite, nous avons présenté les résultats de simulations relatives aux caractéristiques
statiques et dynamiques des TBH SiGe en fonction des hautes températures. Cependant, dans
le but d’augmenter les performances dynamiques du TBH SiGe intégré dans la filière
BiCMOS55 simulée, nous avons fait une optimisation du dopage de la base intrinsèque en
SiGe et celle du dopage de la base extrinsèque en polysilicium afin de réduire la résistance de
base et d’augmenter les a fréquences de coupure fTet fmax |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=12100 |
Simulation et Optimisation d’une Génération de Transistor Bipolaire SiGe Intégré dans une Filière BiCMOS55nm [texte imprimé] / Chems El Ghizlane Lachkhab, Auteur ; Aya Benlaksira, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2019 . - 81 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible au BUC Langues : Français ( fre)
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Tags : |
STMicroelectronics , Hautes températures ,
optimisation du dopage de la base, poly |
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
Le travail présenté porte sur la modélisation et l’optimisation des Transistors Bipolaires à
Hétérojonction (TBH) à base SiGe intégrés, dans une nouvelle technologie BiCMOS55nm
fabriqués par STMicroelectronics, avec une architecture DPSA-SEG(Double-Poly silicium
Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth). Le but de notre, travail étant la simulation et
l’analyse des caractéristiques statiques et dynamiques des TBH de la technologie
BiCMOS055 en plateforme 300 mm, la première technologie BiCMOS en nœud 55 nm avec
des fréquences caractéristiques (fT / fMAX = 320 / 370 GHz).
Le premier chapitre présente un état de l’art sur le domaine de la technologie SiGe et de ses
applications. Une synthèse sur les propriétés physiques de l’alliage SiGe a été faite,
permettant de cerner au mieux l’impact du germanium dans l’alliage SiGe.
Par ailleurs, dans le second chapitre, nous nous sommes intéressés plus particulièrement à la
technologie BiCMOS55 avec un nœud CMOS de 55nm. C’est dans ce contexte que nous
avons présentés les principales étapes de fabrication des TBH données par
STMicroelectronics Dans la deuxième partie, nous avons présentés une description didactique
du logiciel utilisé lors de notre simulation (COMSOL Multiphysics) et ces différents modules.
Le dernier chapitre regroupe, les résultats de simulations obtenus par le logiciel COMSOL,
dans un premier temps nous avons simulé les caractéristiques statiques et dynamiques du
TBH (courant de collecteur IC, courant de base IB, gain en courant β, fréquence de transition fT
et fréquence maximale d’oscillation fmax). Nousavons jugé opportun de comparer l’ordre de
grandeur de nos résultats avec la littérature spécialisée.
Ensuite, nous avons présenté les résultats de simulations relatives aux caractéristiques
statiques et dynamiques des TBH SiGe en fonction des hautes températures. Cependant, dans
le but d’augmenter les performances dynamiques du TBH SiGe intégré dans la filière
BiCMOS55 simulée, nous avons fait une optimisation du dopage de la base intrinsèque en
SiGe et celle du dopage de la base extrinsèque en polysilicium afin de réduire la résistance de
base et d’augmenter les a fréquences de coupure fTet fmax |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=12100 |
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