optimisation du profil de germanium dans la basa pour une nouvelle génération de transistor bipolaire à hétérojonction siGe BiCMOS55mm / Amina Boughdiri 

Public ISBD Titre : optimisation du profil de germanium dans la basa pour une nouvelle génération de transistor bipolaire à hétérojonction siGe BiCMOS55mm Type de document : texte imprimé Auteurs : Amina Boughdiri, Auteur ; Ilhem Boulhouchet, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2020 Importance : 83 f. Format : 30cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible au BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : TBH  SiGe  BICMOS55mm . Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Ce travail s'attache plus particulièrement aux simulations éléctriques du transistor bipolaire à hétérojonction TBH. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14442 optimisation du profil de germanium dans la basa pour une nouvelle génération de transistor bipolaire à hétérojonction siGe BiCMOS55mm [texte imprimé] / Amina Boughdiri, Auteur ; Ilhem Boulhouchet, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2020 . - 83 f. ; 30cm. Une copie electronique PDF disponible au BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : TBH  SiGe  BICMOS55mm . Index. décimale : 610 Electronique Résumé : Ce travail s'attache plus particulièrement aux simulations éléctriques du transistor bipolaire à hétérojonction TBH. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14442

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