| Titre : |
Etude et Optimisation d’un Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) SiGe Réalisé en Technologie BiCMOS55nm sur Substrat Isolant (SOI) |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Houssem Eddine Mehanaoui, Auteur ; Sabrina Mokrani, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse |
| Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
| Année de publication : |
2021 |
| Importance : |
92 f. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Une copie electronique PDF disponible au BUC |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Tags : |
TBH SiGe BiCMOS55 SOI STMicroelectronics BOX |
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
Ce travail s’attache plus particulièrement aux simulations électriques du Transistor
Bipolaire à Hétérojonction (TBH) à base SiGe avec une architecture DPSA-SEG (DoublePoly silicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth) issu la filière BiCMOS55 fabriquée
par STMicroelectronics. Dans le but de voir l’impact de la couche SOI (Silicon On
Insulator), composé d’une couche de silicium sur une fine couche d’oxyde appelée (BOX).
sur les caractéristiques statiques et dynamiques du TBH. Pour cela nous avons utilisé le
logiciel commercial COMSOL Multiphysics.
Nos simulations ont été élaborées, sur des TBH ayants deux types de substrats, un
substrat de type SOI un substrat de type silicium massif, nous avons remarqué que les
caractéristiques électriques statiques courant de collecteur, courant de base et gain, ainsi que
les performances dynamiques se trouve améliorés pour un TBH ayant un substrat de type
SOI que pour un TBH ayant un substrat de type de silicium massif. La technologie SOI est
capable de réduire les capacités parasites et d'avoir des courants de fuite plus faibles.
L'objectif principal de l'introduction de l'oxyde enterré est d'apporter une solution en termes
de hautes performances et de faible consommation. Ceci est obtenu grâce à l'isolement de
l'oxyde enterré et à la réduction des capacités de jonction, qui permettent d'augmenter les
performances statiques et dynamiques.
En outre, afin d’analyser et optimiser en premier lieu l’impact du dopage de la couche
enterrée N++ du collecteur, la partie active se trouvant juste au au-dessus de la couche SOI du
TBH. Les simulations font apparaitre pour des dopages élevés la couche enterrée N++ du
collecteur 9.1020 les performances statiques et dynamiques s’améliorent considérablement.
En outre, dans un premier temps nous optimisons l’impact du dopage de la couche
enterrée N++ du collecteur, couche active se trouvant juste sur le BOX: (Buried OXide)
d’oxyde, avec des dopages de l’ordre de 5.1019cm-3, 5.1020 cm-3, 9.1020 cm-3. . Les simulations
font apparaitre pour des dopages élevés la couche enterrée N++ du collecteur 9.1020 les
performances statiques et dynamiques s’améliorent considérablement. Dans un second temps,
nous avons optimisé l’impact de l’épaisseur du (BOX : Buried OXide) de la couche (SOI)
plus précisément du (BOX) d’oxyde avec des épaisseurs (dox=200nm et (dox=400nm).
L’augmentation de l’épaisseur du BOX d’oxyde, améliore les performances statiques et
dynamiques du composant, pour (dox =400nm) la fréquence maximale d’oscillation vaut ((fT/
f
max= 385GHz 480GGHz). Ceci à pour conséquence augmentation des performances du
transistor et atteindre une fréquence de l’ordre du Tétra hertz (0.5THz). |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=15921 |
Etude et Optimisation d’un Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) SiGe Réalisé en Technologie BiCMOS55nm sur Substrat Isolant (SOI) [texte imprimé] / Houssem Eddine Mehanaoui, Auteur ; Sabrina Mokrani, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2021 . - 92 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible au BUC Langues : Français ( fre)
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Tags : |
TBH SiGe BiCMOS55 SOI STMicroelectronics BOX |
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
Ce travail s’attache plus particulièrement aux simulations électriques du Transistor
Bipolaire à Hétérojonction (TBH) à base SiGe avec une architecture DPSA-SEG (DoublePoly silicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth) issu la filière BiCMOS55 fabriquée
par STMicroelectronics. Dans le but de voir l’impact de la couche SOI (Silicon On
Insulator), composé d’une couche de silicium sur une fine couche d’oxyde appelée (BOX).
sur les caractéristiques statiques et dynamiques du TBH. Pour cela nous avons utilisé le
logiciel commercial COMSOL Multiphysics.
Nos simulations ont été élaborées, sur des TBH ayants deux types de substrats, un
substrat de type SOI un substrat de type silicium massif, nous avons remarqué que les
caractéristiques électriques statiques courant de collecteur, courant de base et gain, ainsi que
les performances dynamiques se trouve améliorés pour un TBH ayant un substrat de type
SOI que pour un TBH ayant un substrat de type de silicium massif. La technologie SOI est
capable de réduire les capacités parasites et d'avoir des courants de fuite plus faibles.
L'objectif principal de l'introduction de l'oxyde enterré est d'apporter une solution en termes
de hautes performances et de faible consommation. Ceci est obtenu grâce à l'isolement de
l'oxyde enterré et à la réduction des capacités de jonction, qui permettent d'augmenter les
performances statiques et dynamiques.
En outre, afin d’analyser et optimiser en premier lieu l’impact du dopage de la couche
enterrée N++ du collecteur, la partie active se trouvant juste au au-dessus de la couche SOI du
TBH. Les simulations font apparaitre pour des dopages élevés la couche enterrée N++ du
collecteur 9.1020 les performances statiques et dynamiques s’améliorent considérablement.
En outre, dans un premier temps nous optimisons l’impact du dopage de la couche
enterrée N++ du collecteur, couche active se trouvant juste sur le BOX: (Buried OXide)
d’oxyde, avec des dopages de l’ordre de 5.1019cm-3, 5.1020 cm-3, 9.1020 cm-3. . Les simulations
font apparaitre pour des dopages élevés la couche enterrée N++ du collecteur 9.1020 les
performances statiques et dynamiques s’améliorent considérablement. Dans un second temps,
nous avons optimisé l’impact de l’épaisseur du (BOX : Buried OXide) de la couche (SOI)
plus précisément du (BOX) d’oxyde avec des épaisseurs (dox=200nm et (dox=400nm).
L’augmentation de l’épaisseur du BOX d’oxyde, améliore les performances statiques et
dynamiques du composant, pour (dox =400nm) la fréquence maximale d’oscillation vaut ((fT/
f
max= 385GHz 480GGHz). Ceci à pour conséquence augmentation des performances du
transistor et atteindre une fréquence de l’ordre du Tétra hertz (0.5THz). |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=15921 |
|
Affiner la rechercheEtude et Optimisation d’un Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH) SiGe Réalisé en Technologie BiCMOS55nm sur Substrat Isolant (SOI) / Houssem Eddine Mehanaoui
