Titre :	Etude de la siliciuration à l’état solide dans le système Ni/Co/Si
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Rokeia Haddad, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2015
Importance :	51 f.
Format :	30 cm.
Note générale :	Une copie electronique PDF disponible au BUC.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences Exactes:Physique
Tags :	Couches minces, nickel, cobalt, siliciures, résistivité électrique.  Physique
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Ce travail porte sur l’étude de la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Ni/Co/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de la bicouche Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits à l’air dans l’intervalle des températures de 300-800 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), la spectroscopie de rétrodiffusion de Rutherford (RBS), la spectroscopie Raman et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons. L’analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases CoSi et Co2Si à 300 °C, la formation du siliciure riche en nickel Ni2Si et du mono-siliciure NiSi à 400 °C, la formation du mono-siliciure NiSi et CoSi à 700 et la formation des di-siliciures NiSi2 et CoSi2 à 800°C. L’apparition de la phase ternaire CoxNi1-xSi a lieu dans la température 700°C et CoxNi1-xSi2 à 800 °C. Ces siliciures sont caractérisés par une faible résistivité électrique.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=426

Etude de la siliciuration à l’état solide dans le système Ni/Co/Si [texte imprimé] / Rokeia Haddad, Auteur ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2015 . - 51 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible au BUC.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences Exactes:Physique
Tags :	Couches minces, nickel, cobalt, siliciures, résistivité électrique.  Physique
Index. décimale :	530 Physique
Résumé :	Ce travail porte sur l’étude de la formation des siliciures par réaction à l’état solide dans le système Ni/Co/Si(100). Les échantillons sont obtenus par évaporation thermique sous vide de la bicouche Ni-Co sur un substrat de silicium monocristallin (100). Ils subissent ensuite différents recuits à l’air dans l’intervalle des températures de 300-800 °C afin de promouvoir la formation et la croissance des siliciures. La diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXDR), la spectroscopie de rétrodiffusion de Rutherford (RBS), la spectroscopie Raman et la mesure de la résistivité électrique sont les techniques utilisées pour la caractérisation des échantillons. L’analyse nous a permis de remarquer la formation de différents siliciures à différentes températures. En effet, il est mis en évidence la coexistence des deux phases CoSi et Co2Si à 300 °C, la formation du siliciure riche en nickel Ni2Si et du mono-siliciure NiSi à 400 °C, la formation du mono-siliciure NiSi et CoSi à 700 et la formation des di-siliciures NiSi2 et CoSi2 à 800°C. L’apparition de la phase ternaire CoxNi1-xSi a lieu dans la température 700°C et CoxNi1-xSi2 à 800 °C. Ces siliciures sont caractérisés par une faible résistivité électrique.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=426