Titre :	Etude de la structure ZnO/Si(n)
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Imadeddine Bellili, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2012
Importance :	43 f.
Format :	30 cm.
Note générale :	Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences Exactes:Physique
Tags :	ZnO  Couche Mince  Spray ultrasonique  hétérojonction  Caractérisation électrique.
Résumé :	Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation d’une hétérojonction à base de ZnO. Nous avons étudié l’influence du dopage des couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Nous avons utilisé la technique spray ultrasonique, à partir d’une solution d’acétate de zinc en utilisant une source de dopant InCl3, la concentration se solution est de (0,05 mole/l). Nous avons préparé deux séries de couches (ZnO/Si(N) et ZnO/Si(p)) à déférentes températures de 250 °C jusqu'à 400 °C et déférents taux de dopages (pur, 1%, 2%, 4%). La caractérisation des structures réalisées a été menée à l’aide de deux méthodes, I(V) et C(V) pour déterminer les paramètres électriques des hétérojonctions réalisées. Les allures I(V) et C(V) sont typiques d’une diode, le dopage influe le facteur d’idéalité, la barrière de potentiel et le courant de fuite qui est élevé a cause de la présence des états d’interfaces ZnO-Si. Pour obtenir une meilleure qualité des structures, il faut les réaliser dans une salle blanche.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6449

Etude de la structure ZnO/Si(n) [texte imprimé] / Imadeddine Bellili, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2012 . - 43 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences Exactes:Physique
Tags :	ZnO  Couche Mince  Spray ultrasonique  hétérojonction  Caractérisation électrique.
Résumé :	Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation d’une hétérojonction à base de ZnO. Nous avons étudié l’influence du dopage des couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Nous avons utilisé la technique spray ultrasonique, à partir d’une solution d’acétate de zinc en utilisant une source de dopant InCl3, la concentration se solution est de (0,05 mole/l). Nous avons préparé deux séries de couches (ZnO/Si(N) et ZnO/Si(p)) à déférentes températures de 250 °C jusqu'à 400 °C et déférents taux de dopages (pur, 1%, 2%, 4%). La caractérisation des structures réalisées a été menée à l’aide de deux méthodes, I(V) et C(V) pour déterminer les paramètres électriques des hétérojonctions réalisées. Les allures I(V) et C(V) sont typiques d’une diode, le dopage influe le facteur d’idéalité, la barrière de potentiel et le courant de fuite qui est élevé a cause de la présence des états d’interfaces ZnO-Si. Pour obtenir une meilleure qualité des structures, il faut les réaliser dans une salle blanche.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6449