Titre :	Etude des Transistors Bipolaires à hétérojonction à base SiGe à l'aide du modèle hydrodynamique (EB)
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	sabrina Chibani, Auteur ; khadidja Belhadj, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2016
Importance :	47 f.
Format :	30 cm.
Note générale :	Une copie électronique PDF disponible en BUC.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences de la technologie:Electronique
Tags :	Hétérojonction  l’alliage SiGe  TBH  Bilan Energétique(EB)  dérive diffusion(DD)  hautes température  Auto-échauffement.
Index. décimale :	610 Electronique
Résumé :	le but de notre travail, l’étude des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) SiGe à l’aide du modèle hydrodynamique (EBM) considéré comme un modèle microscopique donnant une description plus précise des effets de dispositifs physiques, en particulier la température du réseau cristallin les interactions avec les particules et l'ionisation par impact.qui ne sont pas traités par le modèle classique de Dérive-Diffusion Model (DDM) et qui reste un modèle déterministe le plus populaire de nos jours pour décrire les composants à semi-conducteur. Le premier chapitre, nous avons mis en évidence, d’une part, le principe de fonctionnement d’un transistor bipolaire à homojonction, ainsi que les contraintes et les limites de ce dernier ayant amené à l’utilisation de l’hétérojonction, D’autre part, on ferra une étude sur les transistors bipolaires à hétérojonction à base d’un alliage Si/SiGe. A l’issue de ces deux étapes, nous aborderons l’intégration d’un TBH dans une technologie BiCMOS0.13μm. Le deuxième chapitre est consacré, au logiciel de simulation Silvaco-TCAD, nous présentons les modèles physiques utilisés en l’occurrence le modèle macroscopique « Drift Diffusion Model » DDM) et le modèle hydrodynamique « Energy Balance ». En utilisera, par la suite le module ATHENA du logiciel SILVACO pour la simulation du process de fabrication technologique d’un TBH à base d’un alliage SiGe. Dans le dernier chapitre, nous présentons dans un premier temps les résultats de simulations statiques et dynamiques à température ambiante réalisées pour des TBH SiGe à l’aide du modèle EBM. Dans un second temps nous comparons ces mêmes caractéristiques avec le modèle DDM afin, de mieux cerner l’impact de ce modèle sur les performances du composant. Afin, dans le but de prendre en compte ces phénomènes qui peuvent causer des effets d’auto échauffement, nous avons simulé les performances de ce même TBH SiGe pour des températures élevées à l’aide du modèle hydrodynamique EB, qui prend en considération l'effet de dépassement de la vitesse et de l'ionisation d'impact non-local
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8581

Etude des Transistors Bipolaires à hétérojonction à base SiGe à l'aide du modèle hydrodynamique (EB) [texte imprimé] / sabrina Chibani, Auteur ; khadidja Belhadj, Auteur ; Maya Lakhdara, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 47 f. ; 30 cm.
Une copie électronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences de la technologie:Electronique
Tags :	Hétérojonction  l’alliage SiGe  TBH  Bilan Energétique(EB)  dérive diffusion(DD)  hautes température  Auto-échauffement.
Index. décimale :	610 Electronique
Résumé :	le but de notre travail, l’étude des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) SiGe à l’aide du modèle hydrodynamique (EBM) considéré comme un modèle microscopique donnant une description plus précise des effets de dispositifs physiques, en particulier la température du réseau cristallin les interactions avec les particules et l'ionisation par impact.qui ne sont pas traités par le modèle classique de Dérive-Diffusion Model (DDM) et qui reste un modèle déterministe le plus populaire de nos jours pour décrire les composants à semi-conducteur. Le premier chapitre, nous avons mis en évidence, d’une part, le principe de fonctionnement d’un transistor bipolaire à homojonction, ainsi que les contraintes et les limites de ce dernier ayant amené à l’utilisation de l’hétérojonction, D’autre part, on ferra une étude sur les transistors bipolaires à hétérojonction à base d’un alliage Si/SiGe. A l’issue de ces deux étapes, nous aborderons l’intégration d’un TBH dans une technologie BiCMOS0.13μm. Le deuxième chapitre est consacré, au logiciel de simulation Silvaco-TCAD, nous présentons les modèles physiques utilisés en l’occurrence le modèle macroscopique « Drift Diffusion Model » DDM) et le modèle hydrodynamique « Energy Balance ». En utilisera, par la suite le module ATHENA du logiciel SILVACO pour la simulation du process de fabrication technologique d’un TBH à base d’un alliage SiGe. Dans le dernier chapitre, nous présentons dans un premier temps les résultats de simulations statiques et dynamiques à température ambiante réalisées pour des TBH SiGe à l’aide du modèle EBM. Dans un second temps nous comparons ces mêmes caractéristiques avec le modèle DDM afin, de mieux cerner l’impact de ce modèle sur les performances du composant. Afin, dans le but de prendre en compte ces phénomènes qui peuvent causer des effets d’auto échauffement, nous avons simulé les performances de ce même TBH SiGe pour des températures élevées à l’aide du modèle hydrodynamique EB, qui prend en considération l'effet de dépassement de la vitesse et de l'ionisation d'impact non-local
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8581