Titre :	Etude et modélisation du comportement dynamique d’un composant de puissance
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	kenza Benyahia, Auteur ; Abdelmalek Khezzar, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2016
Importance :	41 f.
Format :	30 cm.
Note générale :	Une copie électronique PDF disponible en BUC.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences de la technologie:Electronique
Tags :	IGBT  commutation  temps d’ouverture  temps de fermeture  surtension  surintensité  convertisseur statique
Index. décimale :	610 Electronique
Résumé :	Les applications de l’électronique de puissance s’étendent aujourd’hui à tous les domaines d’activités économiques utilisant l’électricité comme source d’énergie. En effet, quasiment tous les systèmes utilisent des convertisseurs statiques pour traiter l’énergie électrique. Or, compte tenu du rôle majeur attribué aujourd’hui aux convertisseurs statiques en tant qu’organe d’alimentation, de traitement et d’adaptation, il est clair qu’ils conditionnent largement la sûreté de fonctionnement des systèmes auxquels ils sont raccordés. Sachant que les convertisseurs statiques sont construits principalement par des composants de puissance comme le MOSFET et l’IGBT, ce qui donne une importance à la tache d’étude de comportement dynamique de ces composants de puissance. Ce mémoire est consacré pour l’étude et la modélisation du comportement dynamique de l’IGBT. Dans un premier temps, nous avons présenté des généralités sur les semi-conducteurs (IGBT). Ensuite, nous avons analysé et modélisé une cellule de commutation élémentaire du composant de puissance l’IGBT afin de contourner les différents aspects de la commutation, le temps de commutation, les surtensions, les surintensités afin de réduire le risque d’un claquage thermique. Enfin, l’étude par expérimentation s’avérer nécessaire afin de consolider l’ensemble de conclusions
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8615

Etude et modélisation du comportement dynamique d’un composant de puissance [texte imprimé] / kenza Benyahia, Auteur ; Abdelmalek Khezzar, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 41 f. ; 30 cm.
Une copie électronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences de la technologie:Electronique
Tags :	IGBT  commutation  temps d’ouverture  temps de fermeture  surtension  surintensité  convertisseur statique
Index. décimale :	610 Electronique
Résumé :	Les applications de l’électronique de puissance s’étendent aujourd’hui à tous les domaines d’activités économiques utilisant l’électricité comme source d’énergie. En effet, quasiment tous les systèmes utilisent des convertisseurs statiques pour traiter l’énergie électrique. Or, compte tenu du rôle majeur attribué aujourd’hui aux convertisseurs statiques en tant qu’organe d’alimentation, de traitement et d’adaptation, il est clair qu’ils conditionnent largement la sûreté de fonctionnement des systèmes auxquels ils sont raccordés. Sachant que les convertisseurs statiques sont construits principalement par des composants de puissance comme le MOSFET et l’IGBT, ce qui donne une importance à la tache d’étude de comportement dynamique de ces composants de puissance. Ce mémoire est consacré pour l’étude et la modélisation du comportement dynamique de l’IGBT. Dans un premier temps, nous avons présenté des généralités sur les semi-conducteurs (IGBT). Ensuite, nous avons analysé et modélisé une cellule de commutation élémentaire du composant de puissance l’IGBT afin de contourner les différents aspects de la commutation, le temps de commutation, les surtensions, les surintensités afin de réduire le risque d’un claquage thermique. Enfin, l’étude par expérimentation s’avérer nécessaire afin de consolider l’ensemble de conclusions
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8615