Titre :	Etude et simulation COMSOL multiphysics d’un capteur de pression PSFET
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Mohamed Tayeb Boulcherab, Auteur ; Zouleikha Benhamouda, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2016
Importance :	39 f.
Format :	30 cm.
Note générale :	Une copie électronique PDF disponible en BUC.
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences de la technologie:Electronique
Index. décimale :	610 Electronique
Résumé :	L’objectif de ce travail est l’étude et la simulation d’un capteur de pression à transistor à effet de champ à (PSFET) piézorésistif. Ce dispositif est composé de trois fonctions principales, le premier mécanique permettant de transformer la pression appliquée en contraintes, la seconde consiste dans le couplage piézorésistif déterminant les variations de résistance, qui en fait, dans notre cas devient une variation de mobilité, et enfin la troisième électrique permettant l’obtention du courant de sortie en fonction de la pression appliquée. Le modèle est établi sous environnement COMSOL multi-physiques version 5.2. En premier temps, une étude particulière du comportement mécanique de la membrane nous a permis de localiser la position optimale des jauges (MOSFET). Par la suite simulation 3D du dispositif (PSFET) nous a permis d’obtenir sa réponse Idsat =f(P). Les résultats obtenus sont semblables à ceux de la littérature.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8799

Etude et simulation COMSOL multiphysics d’un capteur de pression PSFET [texte imprimé] / Mohamed Tayeb Boulcherab, Auteur ; Zouleikha Benhamouda, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 39 f. ; 30 cm.
Une copie électronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences de la technologie:Electronique
Index. décimale :	610 Electronique
Résumé :	L’objectif de ce travail est l’étude et la simulation d’un capteur de pression à transistor à effet de champ à (PSFET) piézorésistif. Ce dispositif est composé de trois fonctions principales, le premier mécanique permettant de transformer la pression appliquée en contraintes, la seconde consiste dans le couplage piézorésistif déterminant les variations de résistance, qui en fait, dans notre cas devient une variation de mobilité, et enfin la troisième électrique permettant l’obtention du courant de sortie en fonction de la pression appliquée. Le modèle est établi sous environnement COMSOL multi-physiques version 5.2. En premier temps, une étude particulière du comportement mécanique de la membrane nous a permis de localiser la position optimale des jauges (MOSFET). Par la suite simulation 3D du dispositif (PSFET) nous a permis d’obtenir sa réponse Idsat =f(P). Les résultats obtenus sont semblables à ceux de la littérature.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8799