Catalogue des Mémoires de master

Titre : |
Etude des transformations microstructurales et de phases induites dans les couches minces de silicium amorphe par faisceau Laser : Effet des contraintes thermiques sur la cristallisation |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Nassima Lamari, Auteur ; K. Mirouh, Directeur de thèse |
Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
Année de publication : |
2018 |
Importance : |
69 f. |
Format : |
30 cm. |
Note générale : |
Une copie elelctronique PDF disponible en Buc |
Langues : |
Français (fre) |
Catégories : |
Sciences Exactes:Physique
|
Tags : |
transformations microstructurales couches minces |
Index. décimale : |
530 Physique |
Résumé : |
Le travail de ce mémoire de master porte sur l’étude des transformations de phase et
microstructurales dans les couches minces de silicium amorphe renfermant des champs
de contraintes très importants.Ces couches ont été déposées sur un substrat de quartz par
la méthode CVD (Chemical Vapor Deposition) et recouvertes par un film mince de SiO2.
Trois types de dépôt ont été étudiés : SiO2/a-Si/quartz, SiO2/a-Si :H/quartz et aSi :H/quartz. Les couches a-Si et a-Si :H ont été obtenues, respectivement, par LPCVD et
PECVD, pour des températures de dépôt respectives de 550 et 250°C.Les moyens de
caractérisation sont la microspectroscopie raman et la microscopie électronique Ã
transmission. La couche a-Si:H recouverte par le film SiO2 renferme les contraintes plus
élevées. L’irradiation de cette couche par le laser d’excitation raman, de quelques mW, a
entrainé la formation de la phase hexagonale de silicium.Les phénomènes anormaux de
cristallisation ont été étudiés. Ils se manifestent dans les régions de la couche mince aSi:H, loin de la zone irradiée par le laser excimère KrF de densité d’énergie de 2.9 J/cm |
Diplome : |
Master 2 |
Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=9435 |
Etude des transformations microstructurales et de phases induites dans les couches minces de silicium amorphe par faisceau Laser : Effet des contraintes thermiques sur la cristallisation [texte imprimé] / Nassima Lamari, Auteur ; K. Mirouh, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2018 . - 69 f. ; 30 cm. Une copie elelctronique PDF disponible en Buc Langues : Français ( fre)
Catégories : |
Sciences Exactes:Physique
|
Tags : |
transformations microstructurales couches minces |
Index. décimale : |
530 Physique |
Résumé : |
Le travail de ce mémoire de master porte sur l’étude des transformations de phase et
microstructurales dans les couches minces de silicium amorphe renfermant des champs
de contraintes très importants.Ces couches ont été déposées sur un substrat de quartz par
la méthode CVD (Chemical Vapor Deposition) et recouvertes par un film mince de SiO2.
Trois types de dépôt ont été étudiés : SiO2/a-Si/quartz, SiO2/a-Si :H/quartz et aSi :H/quartz. Les couches a-Si et a-Si :H ont été obtenues, respectivement, par LPCVD et
PECVD, pour des températures de dépôt respectives de 550 et 250°C.Les moyens de
caractérisation sont la microspectroscopie raman et la microscopie électronique Ã
transmission. La couche a-Si:H recouverte par le film SiO2 renferme les contraintes plus
élevées. L’irradiation de cette couche par le laser d’excitation raman, de quelques mW, a
entrainé la formation de la phase hexagonale de silicium.Les phénomènes anormaux de
cristallisation ont été étudiés. Ils se manifestent dans les régions de la couche mince aSi:H, loin de la zone irradiée par le laser excimère KrF de densité d’énergie de 2.9 J/cm |
Diplome : |
Master 2 |
Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=9435 |
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