Titre :	Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Hachemi Bouridah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse
Année de publication :	2005
Importance :	177 f.
Note générale :	01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Français - Anglais Electronique
Tags :	DRX  Silicium dopé azote  Résistivité  Stucture CMOS  Analyses IRTF  Image MEB  Croissance cristalline  Cinétique de cristallisation  Structure polycristalline  Taille des grains
Index. décimale :	621 Electronique
En ligne :	../theses/electronique/BOU4400.pdf
Permalink :	index.php?lvl=notice_display&id=2739

Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS [texte imprimé] / Hachemi Bouridah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2005 . - 177 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)

Catégories :	Français - Anglais Electronique
Tags :	DRX  Silicium dopé azote  Résistivité  Stucture CMOS  Analyses IRTF  Image MEB  Croissance cristalline  Cinétique de cristallisation  Structure polycristalline  Taille des grains
Index. décimale :	621 Electronique
En ligne :	../theses/electronique/BOU4400.pdf
Permalink :	index.php?lvl=notice_display&id=2739