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Titre : Caractérisation électrique des HEMTs à base de nitrure de gallium AlGaN/GaN Type de document : texte imprimé Auteurs : Zakia Abdelaziz Fares ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2005 Importance : 59 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 CDLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : HEMTs Nitrure de Gallium AlGaN/GaN Index. décimale : 621 Electronique Résumé : These last years, transistor HEMT (High Electron Mobility Transistors) AlGaN/GaN is the object of intense research. Those showed the effectiveness of this component for various applications requiring with an other higher tensions, temperatures and powers. However, the HEMTs structures containing nitride are limited by a combination of mechanisms such as dislocations and the many structural defects in the volume and in the surface of material degrading thus the electric performances of the transistor. The first study repported in this memory show the behavior of the HEMT AlGaN/GaN.
The concentration of the free carriers of the 2-DEG in the channel reaches values about 1013cm -2
for various levels of doping. The values of calculated currents are a direct consequence.
A second study of the electric characteristics (capacity and conductance) of the structure Schottky (grid source) of type HEMT (High Electron Mobility Transistors) AlxGa1-x N/GaN noted A242 measured at various frequencies, tensions and temperature allowed the quantification of the interface states in the interface of AlGaN/GaN heterostructure.Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/ABD4304.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2792 Caractérisation électrique des HEMTs à base de nitrure de gallium AlGaN/GaN [texte imprimé] / Zakia Abdelaziz Fares ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse . - 2005 . - 59 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : HEMTs Nitrure de Gallium AlGaN/GaN Index. décimale : 621 Electronique Résumé : These last years, transistor HEMT (High Electron Mobility Transistors) AlGaN/GaN is the object of intense research. Those showed the effectiveness of this component for various applications requiring with an other higher tensions, temperatures and powers. However, the HEMTs structures containing nitride are limited by a combination of mechanisms such as dislocations and the many structural defects in the volume and in the surface of material degrading thus the electric performances of the transistor. The first study repported in this memory show the behavior of the HEMT AlGaN/GaN.
The concentration of the free carriers of the 2-DEG in the channel reaches values about 1013cm -2
for various levels of doping. The values of calculated currents are a direct consequence.
A second study of the electric characteristics (capacity and conductance) of the structure Schottky (grid source) of type HEMT (High Electron Mobility Transistors) AlxGa1-x N/GaN noted A242 measured at various frequencies, tensions and temperature allowed the quantification of the interface states in the interface of AlGaN/GaN heterostructure.Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/ABD4304.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2792 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ABD/4304 ABD/4304 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Etude des effets du Field plate sur les caractéristiques électriques des transistors HEMTs à base de GaN / Mourad Kaddeche
Titre : Etude des effets du Field plate sur les caractéristiques électriques des transistors HEMTs à base de GaN Type de document : texte imprimé Auteurs : Mourad Kaddeche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2008 Importance : 63 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Field plate Transisrors HEMTs Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/KAD5133.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2654 Etude des effets du Field plate sur les caractéristiques électriques des transistors HEMTs à base de GaN [texte imprimé] / Mourad Kaddeche ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse . - 2008 . - 63 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
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ElectroniqueTags : Field plate Transisrors HEMTs Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/KAD5133.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2654 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KAD/5133 KAD/5133 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude par simulation des phénomènes de polarisations et les contacts ohmiques dans les transistors HEMTS base de GAN Type de document : texte imprimé Auteurs : Chahrazed Djimli ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2005 Importance : 64 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 CDLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Simulation Transistors HEMTs Phénomènes de polarisations Contacts ohmiques Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/DJI4307.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2769 Etude par simulation des phénomènes de polarisations et les contacts ohmiques dans les transistors HEMTS base de GAN [texte imprimé] / Chahrazed Djimli ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse . - 2005 . - 64 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 CD
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Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Simulation Transistors HEMTs Phénomènes de polarisations Contacts ohmiques Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/DJI4307.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2769 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DJI/4307 DJI/4307 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN Type de document : texte imprimé Auteurs : Majdi Alshaikh-Eid ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2006 Importance : 77 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C.
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ElectroniqueTags : Transistor HEMTs Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2273 Etude par simulation des propriétés électriques des transistors HEMTs à base d'AlGaN/GaN [texte imprimé] / Majdi Alshaikh-Eid ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse . - 2006 . - 77 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C.
01 Disquette
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Transistor HEMTs Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2273 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ALS/4434 ALS/4434 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude des propriétés électriques et optiques des diodes électroluminescentes organiques « OLED » à base de films minces en polymère. Type de document : texte imprimé Auteurs : Khaoula Benatia, Auteur ; A. Telia, Directeur de thèse Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2018 Importance : 90 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : diode électroluminescente organique OLED DP-PPV Matlab AtlasSilvaco caractéristiques électriques et optiques Organic light emitting diode OLED Atlas-Silvaco electrical and optical characteristics الصمامات الثنائیة العضویة الباعثة للضوء OLEDطریقة الفروق المحدودة الخصائص
الكھربائیة والبصریةIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : In this work, Organic Light Emitting diodes “OLEDS” optoelectronic properties are investigated. These organic diodes are made of the polymer DP-PPV. An in-depth study of the electrical and optical characteristics of bipolar monolayer and two-layer organic light emitting diodes are presented. In the monolayer organic diodes, the organic layer (P1, P2 or P3) is sandwiched between a semitransparent anode ITO/PEDOT: PSS and a metallic cathode. As regards to the bi-layer organic diodes, two organic layers TFB and (D1, D2 or D3) are sandwiched between a semitransparent anode ITO/PEDOT: PSS and a metallic cathode. The J-V characteristics, the charge balance factor CBF, the external quantum efficiency EQE, the Langevin recombination rates and the singlet exciton densities profiles are investigated using two different methods of simulation. The first one is based on a numerical computing in Matlab by using a device model which includes the injection, transport, and recombination mechanisms. The second one is based on the simulation of these characteristics by Atlas-Silvaco. Electrical and optical characteristics obtained by modeling and simulation are found to be in a good agreement with data obtained experimentally from literature. These results indicate that an OLED’s good performance is guaranteed by the balance between injection and transport mechanisms which is found in monolayer and bi-layer OLEDs. The results show also that adding a second organic layer to the monolayer OLEDs improves greatly the different electrical and optical properties.
Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/electronique/BEN7393.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=11043 Etude des propriétés électriques et optiques des diodes électroluminescentes organiques « OLED » à base de films minces en polymère. [texte imprimé] / Khaoula Benatia, Auteur ; A. Telia, Directeur de thèse . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2018 . - 90 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
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ElectroniqueTags : diode électroluminescente organique OLED DP-PPV Matlab AtlasSilvaco caractéristiques électriques et optiques Organic light emitting diode OLED Atlas-Silvaco electrical and optical characteristics الصمامات الثنائیة العضویة الباعثة للضوء OLEDطریقة الفروق المحدودة الخصائص
الكھربائیة والبصریةIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : In this work, Organic Light Emitting diodes “OLEDS” optoelectronic properties are investigated. These organic diodes are made of the polymer DP-PPV. An in-depth study of the electrical and optical characteristics of bipolar monolayer and two-layer organic light emitting diodes are presented. In the monolayer organic diodes, the organic layer (P1, P2 or P3) is sandwiched between a semitransparent anode ITO/PEDOT: PSS and a metallic cathode. As regards to the bi-layer organic diodes, two organic layers TFB and (D1, D2 or D3) are sandwiched between a semitransparent anode ITO/PEDOT: PSS and a metallic cathode. The J-V characteristics, the charge balance factor CBF, the external quantum efficiency EQE, the Langevin recombination rates and the singlet exciton densities profiles are investigated using two different methods of simulation. The first one is based on a numerical computing in Matlab by using a device model which includes the injection, transport, and recombination mechanisms. The second one is based on the simulation of these characteristics by Atlas-Silvaco. Electrical and optical characteristics obtained by modeling and simulation are found to be in a good agreement with data obtained experimentally from literature. These results indicate that an OLED’s good performance is guaranteed by the balance between injection and transport mechanisms which is found in monolayer and bi-layer OLEDs. The results show also that adding a second organic layer to the monolayer OLEDs improves greatly the different electrical and optical properties.
Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/electronique/BEN7393.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=11043 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/7393 BEN/7393 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
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