Etude des profiles de diffusion de deux impuretés dopantes BORT et AZOT introduites à forte concentration dans le polysilicium / Hachemi Bouridah

Public ISBD Titre : Etude des profiles de diffusion de deux impuretés dopantes BORT et AZOT introduites à forte concentration dans le polysilicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Hachemi Bouridah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Farida Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 1999 Importance : 94 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Pollysilicium Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2297 Etude des profiles de diffusion de deux impuretés dopantes BORT et AZOT introduites à forte concentration dans le polysilicium [texte imprimé] / Hachemi Bouridah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Farida Mansour, Directeur de thèse . - 1999 . - 94 f. 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Pollysilicium Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2297

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BOU/3196	BOU/3196	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS / Hachemi Bouridah  

Public ISBD Titre : Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Hachemi Bouridah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2005 Importance : 177 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : DRX  Silicium dopé azote  Résistivité  Stucture CMOS  Analyses IRTF  Image MEB  Croissance cristalline  Cinétique de cristallisation  Structure polycristalline  Taille des grains Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4400.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2739 Etude des propriétés de couches minces de silicium dopé azote obtenues par LPCVD et implantées au bore pour grille polycilicium de transistors MOS [texte imprimé] / Hachemi Bouridah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2005 . - 177 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : DRX  Silicium dopé azote  Résistivité  Stucture CMOS  Analyses IRTF  Image MEB  Croissance cristalline  Cinétique de cristallisation  Structure polycristalline  Taille des grains Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4400.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2739

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BOU/4400	BOU/4400	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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