Modélisation des mécanismes de dégradation de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS / Ramdane Mahamdi

Public ISBD Titre : Modélisation des mécanismes de dégradation de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Ramdane Mahamdi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Djahèi, Directeur de thèse Année de publication : 1997 Importance : 120 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modélisation  Interface  Mécanisme  Dégradation Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2370 Modélisation des mécanismes de dégradation de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS [texte imprimé] / Ramdane Mahamdi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Djahèi, Directeur de thèse . - 1997 . - 120 f. 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modélisation  Interface  Mécanisme  Dégradation Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2370

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
MAH/3012	MAH/3012	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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