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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externesElaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces / Kamel Mirouh
Titre : Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces Type de document : texte imprimé Auteurs : Kamel Mirouh ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Année de publication : 2001 Importance : 100 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Interface Réaction Diffusion Couches minces Silicium amorphe MET Carbure de silicium Coupes transversales Siliciums de chrome Recuit laser Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3058 Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces [texte imprimé] / Kamel Mirouh ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - 2001 . - 100 f.
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PhysiqueTags : Interface Réaction Diffusion Couches minces Silicium amorphe MET Carbure de silicium Coupes transversales Siliciums de chrome Recuit laser Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3058 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MIR/3691 MIR/3691 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Application du théorème variationnel de Helinger- Reissner à la méthode des éléments finis pour l'évaluation de contraintes à l'interface de matériaux composites Type de document : texte imprimé Auteurs : Benabdellah Chouchaoui ; A. Shirazi-Adl, Directeur de thèse ; Univ. de Montréal, Éditeur scientifique Année de publication : 1990 Importance : 182 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
Génie MécaniqueTags : Interface Contrainte Elément finis Materiaux composites Index. décimale : 620 Génie Mécanique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=846 Application du théorème variationnel de Helinger- Reissner à la méthode des éléments finis pour l'évaluation de contraintes à l'interface de matériaux composites [texte imprimé] / Benabdellah Chouchaoui ; A. Shirazi-Adl, Directeur de thèse ; Univ. de Montréal, Éditeur scientifique . - 1990 . - 182 f.
01 Disponible à la salle de recherche
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Génie MécaniqueTags : Interface Contrainte Elément finis Materiaux composites Index. décimale : 620 Génie Mécanique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=846 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité CHO/2342 CHO/2342 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à la modélisation de l'interface isolant / Polysilicim dans une structure MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Samira Dib ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2002 Importance : 83 f. Note générale : 01 disponible dans la salle de recherche
02 disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Interface Silicium polycristallin Bumps Fowler-Nordheim Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2500 Contribution à la modélisation de l'interface isolant / Polysilicim dans une structure MOS [texte imprimé] / Samira Dib ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2002 . - 83 f.
01 disponible dans la salle de recherche
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ElectroniqueTags : Interface Silicium polycristallin Bumps Fowler-Nordheim Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2500 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité DIB/3799 DIB/3799 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude de l'interface de l'equation des milieux poreux Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohammed Aiffa, Auteur ; Said Benachour, Directeur de thèse Editeur : U.S.T.H.B. Année de publication : 1982 Importance : 98 f. Note générale : 02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
MathématiquesTags : Milieux poreux Interface Equation Index. décimale : 510 Mathématiques Diplôme : Magistère Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=1103 Etude de l'interface de l'equation des milieux poreux [texte imprimé] / Mohammed Aiffa, Auteur ; Said Benachour, Directeur de thèse . - U.S.T.H.B., 1982 . - 98 f.
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Langues : Français (fre)
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MathématiquesTags : Milieux poreux Interface Equation Index. décimale : 510 Mathématiques Diplôme : Magistère Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=1103 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité AIF/1255 AIF/1255 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible 
Titre : Interaction elastique dislocation-interface dans des aux bicristaux elastiquement anisotropes de structure hexagonale Type de document : texte imprimé Auteurs : Aicha Ayadi, Auteur ; Omar Khalfallah, Directeur de thèse Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2015 Importance : 167 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Interface Dislocation Force image Contrainte de Peierls système de glissement structure
hexagonale élasticité anisotrope Dislocations Image Force Peierls stress slip system hexagonal structure elastic anisotropy
إنخلاع مستوى الانزلاق بنية سداسية قوة الصورة طاقة التفاعل المرن إجهاد Peierls تباين الخواص المرونيةIndex. décimale : 530 Physique Résumé : The movement of a dislocation in interaction with an interface, in the absence of external
stresses, is controlled by the balance of internal stresses. This assessment includes the friction force in the Peierls-Nabarro network stress and a force due to the anisotropy of the material called image force. We study the mobility of the perfect dislocation 1/3 <11-20> in the (0001) basal and prismatic (10-10) slip planes of the hexagonal structure. The dislocations are located in crystal (1) of a bicrystal among Zn, Be, Co, Hf, Ti, Zr, Cd, Y, Mg and Tl which are elastically anisotrope metals. They are parallel to the interface plane and are in elastic interaction with this interface and situated at a distance d therefrom. Each dislocation is characterized by its line direction and Burgers vector b. The interface is defined by its plane which is basal one for the two crystals and a null disorientation. The setting of the dislocation movement under the effect of the image force depends on the intensity of the elastic energy interaction of dislocation with interphase boundary and of the distance d where the dislocation is located.
The setting in motion is effective if the intensity of the image force (Fi = - E / d, E is the elastic interaction energy) is greater than the Peierls constraint. The dislocation is attracted or repelled upon the direction of image force. A critical distance, dc, is defined when image force is equal to the Peierls force. The dislocation is attracted to the interface when the crystal (2) is softer than the crystal (1), it is repelled when the crystal (2) is the hardest. The efficiency distance of image force increases with the absolute value of the difference in shear modulus of the materials constituting the bicrystal.
The favored slip plane is selected by the c/a ratio of the crystal which is located dislocation.
The result is in accordance with those of the behavior of dislocations in single crystals except for the cases crystals of the c/a ratio close to (8/3) (Mg and Co).Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/AYA6802.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10055 Interaction elastique dislocation-interface dans des aux bicristaux elastiquement anisotropes de structure hexagonale [texte imprimé] / Aicha Ayadi, Auteur ; Omar Khalfallah, Directeur de thèse . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2015 . - 167 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Interface Dislocation Force image Contrainte de Peierls système de glissement structure
hexagonale élasticité anisotrope Dislocations Image Force Peierls stress slip system hexagonal structure elastic anisotropy
إنخلاع مستوى الانزلاق بنية سداسية قوة الصورة طاقة التفاعل المرن إجهاد Peierls تباين الخواص المرونيةIndex. décimale : 530 Physique Résumé : The movement of a dislocation in interaction with an interface, in the absence of external
stresses, is controlled by the balance of internal stresses. This assessment includes the friction force in the Peierls-Nabarro network stress and a force due to the anisotropy of the material called image force. We study the mobility of the perfect dislocation 1/3 <11-20> in the (0001) basal and prismatic (10-10) slip planes of the hexagonal structure. The dislocations are located in crystal (1) of a bicrystal among Zn, Be, Co, Hf, Ti, Zr, Cd, Y, Mg and Tl which are elastically anisotrope metals. They are parallel to the interface plane and are in elastic interaction with this interface and situated at a distance d therefrom. Each dislocation is characterized by its line direction and Burgers vector b. The interface is defined by its plane which is basal one for the two crystals and a null disorientation. The setting of the dislocation movement under the effect of the image force depends on the intensity of the elastic energy interaction of dislocation with interphase boundary and of the distance d where the dislocation is located.
The setting in motion is effective if the intensity of the image force (Fi = - E / d, E is the elastic interaction energy) is greater than the Peierls constraint. The dislocation is attracted or repelled upon the direction of image force. A critical distance, dc, is defined when image force is equal to the Peierls force. The dislocation is attracted to the interface when the crystal (2) is softer than the crystal (1), it is repelled when the crystal (2) is the hardest. The efficiency distance of image force increases with the absolute value of the difference in shear modulus of the materials constituting the bicrystal.
The favored slip plane is selected by the c/a ratio of the crystal which is located dislocation.
The result is in accordance with those of the behavior of dislocations in single crystals except for the cases crystals of the c/a ratio close to (8/3) (Mg and Co).Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/AYA6802.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=10055 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité AYA/6802 AYA/6802 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Permalink
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