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'Carbure de silicium' 
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Titre : Elaboration et etude structurale des couches minces de carbure de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Salah Nemouchi, Auteur ; Mohamed-Salah Ferah, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2012 Importance : 102 f. Format : 31 cm. Note générale : Doctorat d’état
2 copies imprimées disponiblesLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Carbure de Silicium Etude structurale Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/physique/NEM6280.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=6240 Elaboration et etude structurale des couches minces de carbure de silicium [texte imprimé] / Salah Nemouchi, Auteur ; Mohamed-Salah Ferah, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2012 . - 102 f. ; 31 cm.
Doctorat d’état
2 copies imprimées disponibles
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PhysiqueTags : Carbure de Silicium Etude structurale Index. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/physique/NEM6280.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=6240 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité NEM/6280 NEM/6280 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible Etude des défauts introduits par différentes techniques (irradiation, dopage) sur les propriétés mécaniques du carbure de silicium / Leila Khalfallah
Titre : Etude des défauts introduits par différentes techniques (irradiation, dopage) sur les propriétés mécaniques du carbure de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Leila Khalfallah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; N. Boukheit, Directeur de thèse Année de publication : 2000 Importance : 78 f. Format : 30 cm Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Dopage Frottement Irradiation Carbure de silicium Ténacité Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3000 Etude des défauts introduits par différentes techniques (irradiation, dopage) sur les propriétés mécaniques du carbure de silicium [texte imprimé] / Leila Khalfallah ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; N. Boukheit, Directeur de thèse . - 2000 . - 78 f. ; 30 cm.
1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
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Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Dopage Frottement Irradiation Carbure de silicium Ténacité Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3000 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KHA/3403 KHA/3403 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude des propriétés des couches minces de carbure de silicium amorphe : Application couche antireflet et passivation Type de document : texte imprimé Auteurs : Saloua Merazga, Auteur ; Aissa Keffous, Directeur de thèse ; Kamel Mirouh, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 146 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
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PhysiqueTags : carbure de silicium antireflet passivation couche mince silicon carbide antireflection Thin film السيليكون الكربوني المضادة للانعكاس تخميل السطح الشرائح الرقيقة Index. décimale : 530 Physique Résumé : Thin films of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) are long time used in solar cells based on silicon. Various applications can be considered an example is cited as:
antireflection coating for solar cells based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) and dielectric layers for crystalline silicon (c-Si) for surface passivation. These layers have a good optical structural, electrical property and can provide exceptional surface passivation, essentially for crystalline silicon solar cells with high efficiency. This thesis reflects a fundamental study of the properties of the a-SiC: H layers deposited by sputtering and the a-Si1-x (CH3)x:H layers prepared by RF-PECVD. The deposition conditions were optimized in conjunction with the structural characterization, optical, electrical. A high minority carrier lifetime has reached as 121 μs for a 5% carbon content.
In addition, an optical gap can be increased by 1.91 eV to 2.10 eV by varying the deposition temperature and 1.97 to 2.41 eV according to the carbon content with a refractive index (n) adjustable of 1.57 to 2.61. Thin films a-SiC:H with 5% of carbon has been used for passivation of a crystalline silicon solar cell type n+pSi.Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/physique/MER6774.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9836 Etude des propriétés des couches minces de carbure de silicium amorphe : Application couche antireflet et passivation [texte imprimé] / Saloua Merazga, Auteur ; Aissa Keffous, Directeur de thèse ; Kamel Mirouh, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2015 . - 146 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
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PhysiqueTags : carbure de silicium antireflet passivation couche mince silicon carbide antireflection Thin film السيليكون الكربوني المضادة للانعكاس تخميل السطح الشرائح الرقيقة Index. décimale : 530 Physique Résumé : Thin films of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H) are long time used in solar cells based on silicon. Various applications can be considered an example is cited as:
antireflection coating for solar cells based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) and dielectric layers for crystalline silicon (c-Si) for surface passivation. These layers have a good optical structural, electrical property and can provide exceptional surface passivation, essentially for crystalline silicon solar cells with high efficiency. This thesis reflects a fundamental study of the properties of the a-SiC: H layers deposited by sputtering and the a-Si1-x (CH3)x:H layers prepared by RF-PECVD. The deposition conditions were optimized in conjunction with the structural characterization, optical, electrical. A high minority carrier lifetime has reached as 121 μs for a 5% carbon content.
In addition, an optical gap can be increased by 1.91 eV to 2.10 eV by varying the deposition temperature and 1.97 to 2.41 eV according to the carbon content with a refractive index (n) adjustable of 1.57 to 2.61. Thin films a-SiC:H with 5% of carbon has been used for passivation of a crystalline silicon solar cell type n+pSi.Diplôme : Doctorat En ligne : ../theses/physique/MER6774.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9836 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MER/6774 MER/6774 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces Type de document : texte imprimé Auteurs : Kamel Mirouh ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Année de publication : 2001 Importance : 100 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Interface Réaction Diffusion Couches minces Silicium amorphe MET Carbure de silicium Coupes transversales Siliciums de chrome Recuit laser Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3058 Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces [texte imprimé] / Kamel Mirouh ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - 2001 . - 100 f.
01 Disponible à la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Interface Réaction Diffusion Couches minces Silicium amorphe MET Carbure de silicium Coupes transversales Siliciums de chrome Recuit laser Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3058 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MIR/3691 MIR/3691 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Theoretical and computational approach of physical properties of materials : Tension-strain relationships, Type de document : texte imprimé Auteurs : Hocine Chorfi, Auteur ; Boubekeur Boudine, Directeur de thèse ; Fahima Boudjada, Directeur de thèse Mention d'édition : 28/10/2020 Editeur : جامعة الإخوة منتوري قسنطينة Année de publication : 2020 Importance : 165 f. Format : 30 cm. Note générale : 1 copies imprimées disponibles
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PhysiqueTags : physique: Crystallography carbure de silicium oxyde de zinc bisulfure de molybdène défaillance mécanique contrainte-déformation premiers principes théorie fonctionnelle de la densité équation spinodale carburo de silicio óxido de zinc desulfuro de molibdeno falla mecánica tensión-deformación primeros principios teoría funcional de la densidad ecuación espinodal كربید السیلیكون أكسید الزنك ثاني كبریتید المولیبدینوم الفشل المیكانیكي إجھاد الإجھاد المبادئ الأولى نظریة الكثافة الوظیفیة المعادلة اللفافة Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Silicon carbide (SiC), Zinc oxyde (ZnO), graphite and molybdenum disulfide (MoS2) attract much interest as materials with technological applications for the development of new electronic devices, in particular the new generation of semiconductors known as Power Semiconductor Devices (PSDs) or Field Effect Transistors (FETs). One of the biggest challenges is to understand the mechanical failure that occurs in the manufacturing process of these materials as a result of the stresses induced during the heating cycles to which they are subjected. Therefore, the fundamental objective of this thesis is the evaluation and analysis in chemical-physical terms of the stress-strain relationships. From these relationships, the limit of mechanical stability of these systems can be determined. Computational simulation allow acces to these relationships in a quantitative way, thus providing information that is difficult to acces, sometimes experimentally.In this study, we present results fromfirstprinciples density functional theory calculations that quantitatively account for the response of selected covalent, ionic and layered materials to general stress conditions. In particular, we have evaluated the ideal strength along the main crystallographic directions of 3C and 2H polytypes ofSiC, hexagonal ABA stacking of graphite, ZnO and 2H-MoS2. Transverse superimposed stress on thetensile stress was taken into account in order to evaluate how the critical strength is affected by thesemulti-load conditions. In general, increasing transverse
stress from negative to positive values leads to the expected decreasing of the critical strength. Few exceptions found in the compressive stressregion correlate with the trends in the density of bonds along the directions with the unexpectedbehavior. In addition, we propose a modified spinodal equation of state able to accurately describethe calculated stress–strain curves. This analytical function is of general use and can also be appliedto experimental data anticipating critical strengths and strain values, and for providing informationon the energy stored in tensile stress processes. The first part of this Doctoral Thesis will be devoted to the presentation of the theoretical and methodological bases of the computational tools that are used in the simulations of the mechanical behavior that will be investigated in these materials. In the second part, stressstrain relationships are evaluated along relevant crystallographic directions, the ideal voltage is calculated and the results are interpreted and explained in terms of the chemical bond and the thermodynamic stability limit using the spinodal equation. The thesis will conclude with a summary of the most relevant contributions of this study.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/CHO7695.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=11529 Theoretical and computational approach of physical properties of materials : Tension-strain relationships, [texte imprimé] / Hocine Chorfi, Auteur ; Boubekeur Boudine, Directeur de thèse ; Fahima Boudjada, Directeur de thèse . - 28/10/2020 . - جامعة الإخوة منتوري قسنطينة, 2020 . - 165 f. ; 30 cm.
1 copies imprimées disponibles
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PhysiqueTags : physique: Crystallography carbure de silicium oxyde de zinc bisulfure de molybdène défaillance mécanique contrainte-déformation premiers principes théorie fonctionnelle de la densité équation spinodale carburo de silicio óxido de zinc desulfuro de molibdeno falla mecánica tensión-deformación primeros principios teoría funcional de la densidad ecuación espinodal كربید السیلیكون أكسید الزنك ثاني كبریتید المولیبدینوم الفشل المیكانیكي إجھاد الإجھاد المبادئ الأولى نظریة الكثافة الوظیفیة المعادلة اللفافة Index. décimale : 530 Physique Résumé :
Silicon carbide (SiC), Zinc oxyde (ZnO), graphite and molybdenum disulfide (MoS2) attract much interest as materials with technological applications for the development of new electronic devices, in particular the new generation of semiconductors known as Power Semiconductor Devices (PSDs) or Field Effect Transistors (FETs). One of the biggest challenges is to understand the mechanical failure that occurs in the manufacturing process of these materials as a result of the stresses induced during the heating cycles to which they are subjected. Therefore, the fundamental objective of this thesis is the evaluation and analysis in chemical-physical terms of the stress-strain relationships. From these relationships, the limit of mechanical stability of these systems can be determined. Computational simulation allow acces to these relationships in a quantitative way, thus providing information that is difficult to acces, sometimes experimentally.In this study, we present results fromfirstprinciples density functional theory calculations that quantitatively account for the response of selected covalent, ionic and layered materials to general stress conditions. In particular, we have evaluated the ideal strength along the main crystallographic directions of 3C and 2H polytypes ofSiC, hexagonal ABA stacking of graphite, ZnO and 2H-MoS2. Transverse superimposed stress on thetensile stress was taken into account in order to evaluate how the critical strength is affected by thesemulti-load conditions. In general, increasing transverse
stress from negative to positive values leads to the expected decreasing of the critical strength. Few exceptions found in the compressive stressregion correlate with the trends in the density of bonds along the directions with the unexpectedbehavior. In addition, we propose a modified spinodal equation of state able to accurately describethe calculated stress–strain curves. This analytical function is of general use and can also be appliedto experimental data anticipating critical strengths and strain values, and for providing informationon the energy stored in tensile stress processes. The first part of this Doctoral Thesis will be devoted to the presentation of the theoretical and methodological bases of the computational tools that are used in the simulations of the mechanical behavior that will be investigated in these materials. In the second part, stressstrain relationships are evaluated along relevant crystallographic directions, the ideal voltage is calculated and the results are interpreted and explained in terms of the chemical bond and the thermodynamic stability limit using the spinodal equation. The thesis will conclude with a summary of the most relevant contributions of this study.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/CHO7695.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=11529 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité CHO/7695 CHO/7695 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
