Résultat de la recherche
5 recherche sur le tag
'Silicium amorphe' 
Affiner la recherche Générer le flux rss de la recherche
Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externesElaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces / Kamel Mirouh
Titre : Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces Type de document : texte imprimé Auteurs : Kamel Mirouh ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Année de publication : 2001 Importance : 100 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Interface Réaction Diffusion Couches minces Silicium amorphe MET Carbure de silicium Coupes transversales Siliciums de chrome Recuit laser Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3058 Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces [texte imprimé] / Kamel Mirouh ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - 2001 . - 100 f.
01 Disponible à la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Interface Réaction Diffusion Couches minces Silicium amorphe MET Carbure de silicium Coupes transversales Siliciums de chrome Recuit laser Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3058 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MIR/3691 MIR/3691 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Contribution à l'etude de la mitastabilité dans le silicium amorphe par des méthodes expérimentales et théoriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Amor Benzagouta ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Mohamed Salah Aida, Directeur de thèse Année de publication : 2004 Importance : 123 p. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium amorphe Dynamique moléculaire Métastabilité Modèle liaisons fortes Modèle empirique Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3040 Contribution à l'etude de la mitastabilité dans le silicium amorphe par des méthodes expérimentales et théoriques [texte imprimé] / Amor Benzagouta ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Mohamed Salah Aida, Directeur de thèse . - 2004 . - 123 p.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Silicium amorphe Dynamique moléculaire Métastabilité Modèle liaisons fortes Modèle empirique Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3040 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/4121 BEN/4121 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude au moyen deprofils SIMS de la diffusion du bore in-situ dans des films bicouches polysilicium/amorphe Type de document : texte imprimé Auteurs : Houcine Karboua ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2004 Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Modèle Diffusion Polysilicium Silicium amorphe LPCVD Bore In-situ Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2386 Etude au moyen deprofils SIMS de la diffusion du bore in-situ dans des films bicouches polysilicium/amorphe [texte imprimé] / Houcine Karboua ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2004.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Modèle Diffusion Polysilicium Silicium amorphe LPCVD Bore In-situ Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2386 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité KAR/4174 KAR/4174 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible 
Titre : Diagnostic d’un Plasma de Procédé de Couches Minces par Pulvérisation Cathodique Type de document : texte imprimé Auteurs : Nedjoua Benchiheb, Auteur ; Nadhir Attaf, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 145 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Amorphous silicon Sputtering Plasma Optical emission spectroscopy Fast neutral Silicium amorphe Pulvérisation cathodique Spectroscopie d’émission optique Neutre rapide سيليسيوم لامتبلور رش مهبطي بلازما مطيافية الإنبعاث الضوئي الحيادي
السريعIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Our study was carried out to a better understanding of the phenomena governing Rf glow discharge plasmas used for the deposition of amorphous silicon thin films by sputtering technique. The optical emission spectroscopy (OES) diagnostic technique allowed us to identify the different excited species present in the plasma and to study the influence of preparation conditions on their distributions in the space between electrodes. The transition
phenomena between α and γ regimes, as well as the multiplication by Penning effect, are observed.
A new tool to estimate the sputtering yield based on the rate of sputtered atom intensity to projectile atom is proposed. It allows us to estimate experimentally the contribution of the fast atom created from the symmetric charge transfer collision in the target sputtering process.
A physicochemical analysis shows the existence of a correlation between the three essential regions in the
reactor : target / plasma / substrate.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BEN6755.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9860 Diagnostic d’un Plasma de Procédé de Couches Minces par Pulvérisation Cathodique [texte imprimé] / Nedjoua Benchiheb, Auteur ; Nadhir Attaf, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2015 . - 145 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Amorphous silicon Sputtering Plasma Optical emission spectroscopy Fast neutral Silicium amorphe Pulvérisation cathodique Spectroscopie d’émission optique Neutre rapide سيليسيوم لامتبلور رش مهبطي بلازما مطيافية الإنبعاث الضوئي الحيادي
السريعIndex. décimale : 530 Physique Résumé : Our study was carried out to a better understanding of the phenomena governing Rf glow discharge plasmas used for the deposition of amorphous silicon thin films by sputtering technique. The optical emission spectroscopy (OES) diagnostic technique allowed us to identify the different excited species present in the plasma and to study the influence of preparation conditions on their distributions in the space between electrodes. The transition
phenomena between α and γ regimes, as well as the multiplication by Penning effect, are observed.
A new tool to estimate the sputtering yield based on the rate of sputtered atom intensity to projectile atom is proposed. It allows us to estimate experimentally the contribution of the fast atom created from the symmetric charge transfer collision in the target sputtering process.
A physicochemical analysis shows the existence of a correlation between the three essential regions in the
reactor : target / plasma / substrate.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BEN6755.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9860 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BEN/6755 BEN/6755 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude energétique d'une décharge luminescente utilisée dans le dép?t de couches minces de A-Si : H Type de document : texte imprimé Auteurs : Nadhir Attaf ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Mohamed Salah Aida, Directeur de thèse Année de publication : 2003 Importance : 168 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Pulvérisation Plasma Silicium amorphe Sonde de Langmuir Emission optique Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3113 Etude energétique d'une décharge luminescente utilisée dans le dép?t de couches minces de A-Si : H [texte imprimé] / Nadhir Attaf ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Mohamed Salah Aida, Directeur de thèse . - 2003 . - 168 f.
01 Disponible à la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Pulvérisation Plasma Silicium amorphe Sonde de Langmuir Emission optique Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3113 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ATT/3947 ATT/3947 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
