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Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces / Kamel Mirouh

Public ISBD Titre : Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces Type de document : texte imprimé Auteurs : Kamel Mirouh ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; A. Bouabellou, Directeur de thèse Année de publication : 2001 Importance : 100 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Interface  Réaction  Diffusion  Couches minces  Silicium amorphe  MET  Carbure de silicium  Coupes transversales  Siliciums de chrome  Recuit laser Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3058 Elaboration et étude par microscopie électronique à transmission en coupes transversales de l'influence des traitements thermiques sur les interfaces Cr/Si et le silicium amorphe en couches minces [texte imprimé] / Kamel Mirouh ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; A. Bouabellou, Directeur de thèse . - 2001 . - 100 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Interface  Réaction  Diffusion  Couches minces  Silicium amorphe  MET  Carbure de silicium  Coupes transversales  Siliciums de chrome  Recuit laser Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3058

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Contribution à l'etude de la mitastabilité dans le silicium amorphe par des méthodes expérimentales et théoriques / Amor Benzagouta

Public ISBD Titre : Contribution à l'etude de la mitastabilité dans le silicium amorphe par des méthodes expérimentales et théoriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Amor Benzagouta ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Mohamed Salah Aida, Directeur de thèse Année de publication : 2004 Importance : 123 p. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Silicium amorphe  Dynamique moléculaire  Métastabilité  Modèle liaisons fortes  Modèle empirique Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3040 Contribution à l'etude de la mitastabilité dans le silicium amorphe par des méthodes expérimentales et théoriques [texte imprimé] / Amor Benzagouta ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Mohamed Salah Aida, Directeur de thèse . - 2004 . - 123 p. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Silicium amorphe  Dynamique moléculaire  Métastabilité  Modèle liaisons fortes  Modèle empirique Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3040

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Etude au moyen deprofils SIMS de la diffusion du bore in-situ dans des films bicouches polysilicium/amorphe / Houcine Karboua

Public ISBD Titre : Etude au moyen deprofils SIMS de la diffusion du bore in-situ dans des films bicouches polysilicium/amorphe Type de document : texte imprimé Auteurs : Houcine Karboua ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2004 Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Modèle  Diffusion  Polysilicium  Silicium amorphe  LPCVD  Bore  In-situ Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2386 Etude au moyen deprofils SIMS de la diffusion du bore in-situ dans des films bicouches polysilicium/amorphe [texte imprimé] / Houcine Karboua ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2004. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Modèle  Diffusion  Polysilicium  Silicium amorphe  LPCVD  Bore  In-situ Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2386

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Diagnostic d’un Plasma de Procédé de Couches Minces par Pulvérisation Cathodique / Nedjoua Benchiheb  

Public ISBD Titre : Diagnostic d’un Plasma de Procédé de Couches Minces par Pulvérisation Cathodique Type de document : texte imprimé Auteurs : Nedjoua Benchiheb, Auteur ; Nadhir Attaf, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 145 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles Langues : Français (fre) Tags : Amorphous silicon  Sputtering  Plasma  Optical emission spectroscopy  Fast neutral  Silicium amorphe  Pulvérisation cathodique  Spectroscopie d’émission optique  Neutre rapide  ???????? ????????  ?? ?????  ??????  ??????? ???????? ??????  ??????? ?????? Index. décimale : 530 Physique Résumé : Our study was carried out to a better understanding of the phenomena governing Rf glow discharge plasmas used for the deposition of amorphous silicon thin films by sputtering technique. The optical emission spectroscopy (OES) diagnostic technique allowed us to identify the different excited species present in the plasma and to study the influence of preparation conditions on their distributions in the space between electrodes. The transition phenomena between α and γ regimes, as well as the multiplication by Penning effect, are observed. A new tool to estimate the sputtering yield based on the rate of sputtered atom intensity to projectile atom is proposed. It allows us to estimate experimentally the contribution of the fast atom created from the symmetric charge transfer collision in the target sputtering process. A physicochemical analysis shows the existence of a correlation between the three essential regions in the reactor : target / plasma / substrate. Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BEN6755.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9860 Diagnostic d’un Plasma de Procédé de Couches Minces par Pulvérisation Cathodique [texte imprimé] / Nedjoua Benchiheb, Auteur ; Nadhir Attaf, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2015 . - 145 f. ; 30 cm. 2 copies imprimées disponibles Langues : Français (fre) Tags : Amorphous silicon  Sputtering  Plasma  Optical emission spectroscopy  Fast neutral  Silicium amorphe  Pulvérisation cathodique  Spectroscopie d’émission optique  Neutre rapide  ???????? ????????  ?? ?????  ??????  ??????? ???????? ??????  ??????? ?????? Index. décimale : 530 Physique Résumé : Our study was carried out to a better understanding of the phenomena governing Rf glow discharge plasmas used for the deposition of amorphous silicon thin films by sputtering technique. The optical emission spectroscopy (OES) diagnostic technique allowed us to identify the different excited species present in the plasma and to study the influence of preparation conditions on their distributions in the space between electrodes. The transition phenomena between α and γ regimes, as well as the multiplication by Penning effect, are observed. A new tool to estimate the sputtering yield based on the rate of sputtered atom intensity to projectile atom is proposed. It allows us to estimate experimentally the contribution of the fast atom created from the symmetric charge transfer collision in the target sputtering process. A physicochemical analysis shows the existence of a correlation between the three essential regions in the reactor : target / plasma / substrate. Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/BEN6755.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=9860

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Etude energétique d'une décharge luminescente utilisée dans le dép?t de couches minces de A-Si / Nadhir Attaf

Public ISBD Titre : Etude energétique d'une décharge luminescente utilisée dans le dép?t de couches minces de A-Si : H Type de document : texte imprimé Auteurs : Nadhir Attaf ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Mohamed Salah Aida, Directeur de thèse Année de publication : 2003 Importance : 168 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Pulvérisation  Plasma  Silicium amorphe  Sonde de Langmuir  Emission optique Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3113 Etude energétique d'une décharge luminescente utilisée dans le dép?t de couches minces de A-Si : H [texte imprimé] / Nadhir Attaf ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; Mohamed Salah Aida, Directeur de thèse . - 2003 . - 168 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Pulvérisation  Plasma  Silicium amorphe  Sonde de Langmuir  Emission optique Index. décimale : 530 Physique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=3113

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