Contribution à l'étude des dégradations induites par les rayons X de faible énergie sur la couche de transition interfaciale oxyde-silicium des structures M.O.S. / Ali Boukabache

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude des dégradations induites par les rayons X de faible énergie sur la couche de transition interfaciale oxyde-silicium des structures M.O.S. Type de document : texte imprimé Auteurs : Ali Boukabache ; Université Paul Sabatier, Éditeur scientifique ; J. Martin, Directeur de thèse Année de publication : 1983 Importance : 174 f. Présentation : graph. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistor  Capacité Mos  Diode à grille de commande  Rayon X  Interface SISI02  Piège  Bruit en 1/f Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2418 Contribution à l'étude des dégradations induites par les rayons X de faible énergie sur la couche de transition interfaciale oxyde-silicium des structures M.O.S. [texte imprimé] / Ali Boukabache ; Université Paul Sabatier, Éditeur scientifique ; J. Martin, Directeur de thèse . - 1983 . - 174 f. : graph. 1 Disponible dans la salle de recherche Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Transistor  Capacité Mos  Diode à grille de commande  Rayon X  Interface SISI02  Piège  Bruit en 1/f Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2418

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BOU/61	BOU/61	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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