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Modélisation de transistors mosfet à canaux courts ou étroits / Kamel Laidi

Public ISBD Titre : Modélisation de transistors mosfet à canaux courts ou étroits Type de document : texte imprimé Auteurs : Kamel Laidi ; Universite de Constantine, Editeur scientifique ; Farida Hobar, Directeur de thèse Année de publication : 1998 Importance : 107 f. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Modélisation  Transistor Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2298 Modélisation de transistors mosfet à canaux courts ou étroits [texte imprimé] / Kamel Laidi ; Universite de Constantine, Editeur scientifique ; Farida Hobar, Directeur de thèse . - 1998 . - 107 f. 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Modélisation  Transistor Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2298

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Conception assistée par ordinateur des circuits à transistors mesfet Ga As, grille schollky / Med Salah Benbouza

Public ISBD Titre : Conception assistée par ordinateur des circuits à transistors mesfet Ga As, grille schollky : Modélisation Type de document : texte imprimé Auteurs : Med Salah Benbouza ; Universite de Constantine, Editeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 1993 Importance : 113 f. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Transistor  Circuit  Conception assistée par ordinateur Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2357 Conception assistée par ordinateur des circuits à transistors mesfet Ga As, grille schollky : Modélisation [texte imprimé] / Med Salah Benbouza ; Universite de Constantine, Editeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 1993 . - 113 f. 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Transistor  Circuit  Conception assistée par ordinateur Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2357

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Effects of non uniform doping in field effect transistors / Zine-Edine Abid

Public ISBD Titre : Effects of non uniform doping in field effect transistors Type de document : texte imprimé Auteurs : Zine-Edine Abid ; Anand Gopinath, Directeur de thèse ; University of Minnesota, Editeur scientifique Année de publication : 1991 Importance : 129 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche Langues : Anglais (eng) Tags : Transistor Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2435 Effects of non uniform doping in field effect transistors [texte imprimé] / Zine-Edine Abid ; Anand Gopinath, Directeur de thèse ; University of Minnesota, Editeur scientifique . - 1991 . - 129 f. 1 Disponible à la salle de recherche Langues : Anglais (eng) Tags : Transistor Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2435

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Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium / Abdelhadi Belhatem  

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelhadi Belhatem ; Universite de Constantine, Editeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 1990 Importance : 120 f. Note générale : 3 Disponibles au magasin de la bibliothèque universitaire Langues : Français (fre) Tags : Champ  Gallium  Transistor Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/BEL2173.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2594 Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium [texte imprimé] / Abdelhadi Belhatem ; Universite de Constantine, Editeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 1990 . - 120 f. 3 Disponibles au magasin de la bibliothèque universitaire Langues : Français (fre) Tags : Champ  Gallium  Transistor Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/BEL2173.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2594

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Etude des proriétés électriques d'un transistor bipolère à hétérojonction Ga ALas/Ga As / Messaoud Amiar

Public ISBD Titre : Etude des proriétés électriques d'un transistor bipolère à hétérojonction Ga ALas/Ga As Type de document : texte imprimé Auteurs : Messaoud Amiar ; Universite de Constantine, Editeur scientifique ; L. Abida, Directeur de thèse Année de publication : 1990 Importance : 112 f. Note générale : 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Transistor Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2608 Etude des proriétés électriques d'un transistor bipolère à hétérojonction Ga ALas/Ga As [texte imprimé] / Messaoud Amiar ; Universite de Constantine, Editeur scientifique ; L. Abida, Directeur de thèse . - 1990 . - 112 f. 1 Disponible dans la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Tags : Transistor Index. décimale : 621 Electronique Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2608

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Optimisation des performances statiques du transistor à effet de champs à barrière schottky à l'arseniure de gallium mesfet GaAs / Ouassila Benzaoui

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Influence des paramètres physiques et géométriques sur les propriétés statiques du transistor mesfet GaAs / Samir Bouzina

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Simulation du transistor à effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium MESFET GaAs / Souad Belhour  

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Contribution à l'étude des dégradations induites par les rayons X de faible énergie sur la couche de transition interfaciale oxyde-silicium des structures M.O.S. / Ali Boukabache

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Modélisation physique numérique des structures MESFETs et CNTFET / farida Kebaili

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Hole traps in Ga As fets / Nouredine Sengoura

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Le Transfert à l'effet de champ à grille Schottky à l'arseniure de gallium.<< Propriétés statiques et dynamiques>> / Chahrazed Kaddour

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