Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium / Abdelhadi Belhatem  

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelhadi Belhatem ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 1990 Importance : 120 f. Note générale : 3 Disponibles au magasin de la bibliothèque universitaire Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Champ  Gallium  Transistor Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/BEL2173.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2594 Contribution à l'étude des propriétés statiques du transistor à effet de champ à grille schottky à l'arseniure de gallium [texte imprimé] / Abdelhadi Belhatem ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 1990 . - 120 f. 3 Disponibles au magasin de la bibliothèque universitaire Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Champ  Gallium  Transistor Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère En ligne : ../theses/electronique/BEL2173.pdf Format de la ressource électronique : pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2594

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BEL/2173	BEL/2173	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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