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Auteur Ramdane Mahamdi |
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Affiner la recherche Interroger des sources externesContribution à l’étude d’une cellule solaire en couches minces à base de CuIn1-xGaxSe2 / Naima Touafek
Titre : Contribution à l’étude d’une cellule solaire en couches minces à base de CuIn1-xGaxSe2 Type de document : texte imprimé Auteurs : Naima Touafek, Auteur ; Ramdane Mahamdi, Directeur de thèse Editeur : Constantine : Université Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 124 f. Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Solar cell, CIGS, grading band gap, AMPS, SCAPS, SDL, EBR.
خلية شمسية التدرج الفجوي 1D-AMPS CIGS 1D-SCAPRS طبقة
العيوب SDL حقل عاكس للالكترونات EBRIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : This work focuses on the optimization of the physical and geometrical parameters of solar cell based on the CuIn1-xGaxSe2, the influence of the profile of grading band gap in the absorber as well as the properties of the regions interfaces CdS/CIGS and CIGS/Mo on the output parameters of the cell studied, using the AMPS-1D and SCAPS-1D simulation tool.
The optimization results showed the influence of the geometrical and physical parameters as well as the fraction of the gallium (x) in the alloy on the cell performance. The influence of the profile of the band gap grading on the performance of the solar cell, for different profiles is simulated. The results exhibit that the Fermi profile grading band gap in the absorber has more impact on the performance compared to the profile close to the linear.
The defects of the SDL layer present at the interface CdS/CIGS and its band gap greatly influence the performance of the cell. A wide band gap of this layer reduces the loss of cell efficiency caused by concentrations of defects. At the interface CIGS/Mo, the results showed that the back surface recombination velocity and the presence of the Electron Back Reflector (EBR) have a great influence on the electrical parameters of the cell when the thickness of the absorber is reduced.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/TOU6750.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9865 Contribution à l’étude d’une cellule solaire en couches minces à base de CuIn1-xGaxSe2 [texte imprimé] / Naima Touafek, Auteur ; Ramdane Mahamdi, Directeur de thèse . - Constantine : Université Mentouri Constantine, 2015 . - 124 f. ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Solar cell, CIGS, grading band gap, AMPS, SCAPS, SDL, EBR.
خلية شمسية التدرج الفجوي 1D-AMPS CIGS 1D-SCAPRS طبقة
العيوب SDL حقل عاكس للالكترونات EBRIndex. décimale : 621 Electronique Résumé : This work focuses on the optimization of the physical and geometrical parameters of solar cell based on the CuIn1-xGaxSe2, the influence of the profile of grading band gap in the absorber as well as the properties of the regions interfaces CdS/CIGS and CIGS/Mo on the output parameters of the cell studied, using the AMPS-1D and SCAPS-1D simulation tool.
The optimization results showed the influence of the geometrical and physical parameters as well as the fraction of the gallium (x) in the alloy on the cell performance. The influence of the profile of the band gap grading on the performance of the solar cell, for different profiles is simulated. The results exhibit that the Fermi profile grading band gap in the absorber has more impact on the performance compared to the profile close to the linear.
The defects of the SDL layer present at the interface CdS/CIGS and its band gap greatly influence the performance of the cell. A wide band gap of this layer reduces the loss of cell efficiency caused by concentrations of defects. At the interface CIGS/Mo, the results showed that the back surface recombination velocity and the presence of the Electron Back Reflector (EBR) have a great influence on the electrical parameters of the cell when the thickness of the absorber is reduced.
Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/electronique/TOU6750.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9865 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité TOU/6750 TOU/6750 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Etude de la redistribution et de l'activation après traitement thermique des dopants dans des films Si LPCVD dopés bore et codopes bore azote à de fortes concentrations Type de document : texte imprimé Auteurs : Ramdane Mahamdi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2003 Importance : 177 f. Note générale : 01 Disponible dans la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Diffusion LPCVD Bore Poly silicium Silicium dopé azote Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2646 Etude de la redistribution et de l'activation après traitement thermique des dopants dans des films Si LPCVD dopés bore et codopes bore azote à de fortes concentrations [texte imprimé] / Ramdane Mahamdi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2003 . - 177 f.
01 Disponible dans la salle de recherche
02 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Diffusion LPCVD Bore Poly silicium Silicium dopé azote Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2646 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAH/3981 MAH/3981 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Modélisation des mécanismes de dégradation de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Ramdane Mahamdi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Djahèi, Directeur de thèse Année de publication : 1997 Importance : 120 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centraleLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Modélisation Interface Mécanisme Dégradation Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2370 Modélisation des mécanismes de dégradation de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS [texte imprimé] / Ramdane Mahamdi ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; F. Djahèi, Directeur de thèse . - 1997 . - 120 f.
1 Disponible à la salle de recherche
2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Modélisation Interface Mécanisme Dégradation Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Magistère Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2370 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MAH/3012 MAH/3012 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : Propriétés de films bicouche POLYSI/NIDOS fortement dopés pour application aux capteurs CHEMFET's Type de document : texte imprimé Auteurs : Lynda Saci ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Ramdane Mahamdi, Directeur de thèse Année de publication : 2005 Importance : 93 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 DisquetteLangues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Diffusion Polysilicium Bore Nidos Capteur ISFET Bicouches Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2274 Propriétés de films bicouche POLYSI/NIDOS fortement dopés pour application aux capteurs CHEMFET's [texte imprimé] / Lynda Saci ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Ramdane Mahamdi, Directeur de thèse . - 2005 . - 93 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale
01 Disquette
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
ElectroniqueTags : Diffusion Polysilicium Bore Nidos Capteur ISFET Bicouches Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2274 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité SAC/4380 SAC/4380 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
