Etude par simulation des phénomènes de polarisations et les contacts ohmiques dans les transistors HEMTS base de GAN / Chahrazed Djimli  

Public ISBD Titre : Etude par simulation des phénomènes de polarisations et les contacts ohmiques dans les transistors HEMTS base de GAN Type de document : texte imprimé Auteurs : Chahrazed Djimli ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse Année de publication : 2005 Importance : 64 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Simulation  Transistors HEMTs  Phénomènes de polarisations  Contacts ohmiques Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/DJI4307.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2769 Etude par simulation des phénomènes de polarisations et les contacts ohmiques dans les transistors HEMTS base de GAN [texte imprimé] / Chahrazed Djimli ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; A. Telia, Directeur de thèse . - 2005 . - 64 f. 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la bibliothèque centrale 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Simulation  Transistors HEMTs  Phénomènes de polarisations  Contacts ohmiques Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/DJI4307.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2769

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DJI/4307	DJI/4307	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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