Hole traps in Ga As fets / Nouredine Sengoura

Public ISBD Titre : Hole traps in Ga As fets : characterisation and backscattering effects Type de document : texte imprimé Auteurs : Nouredine Sengoura ; University of Lancaster, Éditeur scientifique ; B.K. Jones, Directeur de thèse Année de publication : 1991 Importance : 240 f. Note générale : 01 disponible à la salle de recherche Langues : Anglais (eng) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Défaut  Transistor  Ga As Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2852 Hole traps in Ga As fets : characterisation and backscattering effects [texte imprimé] / Nouredine Sengoura ; University of Lancaster, Éditeur scientifique ; B.K. Jones, Directeur de thèse . - 1991 . - 240 f. 01 disponible à la salle de recherche Langues : Anglais (eng) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Défaut  Transistor  Ga As Index. décimale : 621 Electronique Diplôme : Doctorat en sciences Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2852

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SEN/2432	SEN/2432	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible

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