Influence des paramètres physiques et géométriques sur les propriétés statiques du transistor mesfet GaAs / Samir Bouzina

Public ISBD Titre : Influence des paramètres physiques et géométriques sur les propriétés statiques du transistor mesfet GaAs Type de document : texte imprimé Auteurs : Samir Bouzina ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 2003 Importance : 74 f. Note générale : 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Physique Tags : Transistor  Micro-ondes  MESFET  Arséniure de Gallium Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3114 Influence des paramètres physiques et géométriques sur les propriétés statiques du transistor mesfet GaAs [texte imprimé] / Samir Bouzina ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 2003 . - 74 f. 1 Disponible à la salle de recherche 2 Disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Physique Tags : Transistor  Micro-ondes  MESFET  Arséniure de Gallium Index. décimale : 530 Physique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3114

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