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Auteur Wassila Aliouat (Née Saidi) |
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Affiner la recherche Interroger des sources externesEtude des propriétés des transistors à effet de champ à grille Shottky à l'arsenuire de Gallium / Wassila Aliouat (Née Saidi)
Titre : Etude des propriétés des transistors à effet de champ à grille Shottky à l'arsenuire de Gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Wassila Aliouat (Née Saidi) ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse Année de publication : 2006 Importance : 77 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Simulation Modélisation GaAs MESFET Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/ALI4475.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3561 Etude des propriétés des transistors à effet de champ à grille Shottky à l'arsenuire de Gallium [texte imprimé] / Wassila Aliouat (Née Saidi) ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; C. Kenzai, Directeur de thèse . - 2006 . - 77 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : Simulation Modélisation GaAs MESFET Index. décimale : 530 Physique En ligne : ../theses/physique/ALI4475.pdf Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=3561 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ALI/4475 ALI/4475 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
Titre : modelisation bidimentionnelle du mesfet GaAs. Type de document : texte imprimé Auteurs : Wassila Aliouat (Née Saidi), Auteur ; Yasmina Saidi, Directeur de thèse Editeur : constantine [Algérie] : Université Constantine 1 Année de publication : 2014 Importance : 114 f . Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : MESFET, GaAs, dispersion fréquentielle, Modélisation Transistor, MESFET,Gallium arsendi, Microwaves
ترانزستور ، زرنيخ الغاليوم،الميكرومجيIndex. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/ALI6498.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9616 modelisation bidimentionnelle du mesfet GaAs. [texte imprimé] / Wassila Aliouat (Née Saidi), Auteur ; Yasmina Saidi, Directeur de thèse . - constantine [Algérie] : Université Constantine 1, 2014 . - 114 f . ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : MESFET, GaAs, dispersion fréquentielle, Modélisation Transistor, MESFET,Gallium arsendi, Microwaves
ترانزستور ، زرنيخ الغاليوم،الميكرومجيIndex. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/ALI6498.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9616 Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire
Titre : modelisation bidimentionnelle du mesfet GaAs. Type de document : texte imprimé Auteurs : Wassila Aliouat (Née Saidi), Auteur ; Yasmina Saidi, Directeur de thèse Editeur : constantine [Algérie] : Université Constantine 1 Année de publication : 2014 Importance : 114 f . Format : 30 cm. Note générale : 2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : MESFET, GaAs, dispersion fréquentielle, Modélisation Transistor, MESFET,Gallium arsendi, Microwaves
ترانزستور ، زرنيخ الغاليوم،الميكرومجيIndex. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/ALI6498.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9617 modelisation bidimentionnelle du mesfet GaAs. [texte imprimé] / Wassila Aliouat (Née Saidi), Auteur ; Yasmina Saidi, Directeur de thèse . - constantine [Algérie] : Université Constantine 1, 2014 . - 114 f . ; 30 cm.
2 copies imprimées disponibles
Langues : Français (fre)
Catégories : Français - Anglais
PhysiqueTags : MESFET, GaAs, dispersion fréquentielle, Modélisation Transistor, MESFET,Gallium arsendi, Microwaves
ترانزستور ، زرنيخ الغاليوم،الميكرومجيIndex. décimale : 530 Physique Diplôme : Doctorat en sciences En ligne : ../theses/physique/ALI6498.pdf Format de la ressource électronique : Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=9617 Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité ALI/6498 ALI/6498 Thèse Bibliothèque principale Thèses Disponible
