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Modélisation bidimensionnelle de transistors bipolaires à heterojonctions à base Si1-x Gex intégrés en technologie Cmos / Maya Lakhdara

Public ISBD Titre : Modélisation bidimensionnelle de transistors bipolaires à heterojonctions à base Si1-x Gex intégrés en technologie Cmos Type de document : texte imprimé Auteurs : Maya Lakhdara ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Sa?da Latreche, Directeur de thèse Année de publication : 2001 Importance : 90 f. Note générale : 01 disponible dans la salle de recherche 02 disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modélisation électrique  Technologie BioCmos  Hétérojonction  TBH  L'Alliage SiGe " Bandgap narroing "  BGN Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2509 Modélisation bidimensionnelle de transistors bipolaires à heterojonctions à base Si1-x Gex intégrés en technologie Cmos [texte imprimé] / Maya Lakhdara ; Univ. de Constantine, Éditeur scientifique ; Sa?da Latreche, Directeur de thèse . - 2001 . - 90 f. 01 disponible dans la salle de recherche 02 disponibles au magasin de la bibliothèque centrale Langues : Français (fre) Catégories : Français - Anglais Electronique Tags : Modélisation électrique  Technologie BioCmos  Hétérojonction  TBH  L'Alliage SiGe " Bandgap narroing "  BGN Index. décimale : 621 Electronique Permalink : index.php?lvl=notice_display&id=2509

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LAK/3607	LAK/3607	Thèse	Bibliothèque principale	Thèses	Disponible