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Partager le résultat de cette recherche Interroger des sources externesModélisation du transistor à effet de champ (TEC) en couches minces à base de silicium polycristallin Si-L.P.C.V.D / Nour El Houda Kheniene (Née Touidjen)
Titre : Modélisation du transistor à effet de champ (TEC) en couches minces à base de silicium polycristallin Si-L.P.C.V.D Type de document : texte imprimé Auteurs : Nour El Houda Kheniene (Née Touidjen) ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse Année de publication : 2010 Importance : 129 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Tags : Polycilicium Transistor en couche mince Densité d'etats Modèle analytique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/KHE5796.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2709 Modélisation du transistor à effet de champ (TEC) en couches minces à base de silicium polycristallin Si-L.P.C.V.D [texte imprimé] / Nour El Houda Kheniene (Née Touidjen) ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; F. Mansour, Directeur de thèse . - 2010 . - 129 f.
01 Disponible à la salle de recherche 01 Disponible au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Tags : Polycilicium Transistor en couche mince Densité d'etats Modèle analytique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/KHE5796.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2709 Exemplaires
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Titre : Etude des potentialités des films de SiNx pour le développement de capteurs de type ISFET Type de document : texte imprimé Auteurs : Chahra Boukaous ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; R. Mahmadi, Directeur de thèse Année de publication : 2006 Importance : 112 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Tags : Azote Bore Polycilicium ISFET Recuit Résistivité Liaison chimique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4714.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2735 Etude des potentialités des films de SiNx pour le développement de capteurs de type ISFET [texte imprimé] / Chahra Boukaous ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; R. Mahmadi, Directeur de thèse . - 2006 . - 112 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Tags : Azote Bore Polycilicium ISFET Recuit Résistivité Liaison chimique Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/BOU4714.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2735 Exemplaires
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Titre : Etude de la diffusion et de la redistribution du bore dans les films bicouches polySi/NIDOS déstinés à des structures MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Lynda Saci ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; R. Mahmadi, Directeur de thèse Année de publication : 2009 Importance : 137 f. Note générale : 01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD Langues : Français (fre) Tags : Modèle Diffusion SIMS Nidos Polycilicium Bicouche Liaison BN Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/SAC5494.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2818 Etude de la diffusion et de la redistribution du bore dans les films bicouches polySi/NIDOS déstinés à des structures MOS [texte imprimé] / Lynda Saci ; Université Mentouri, Editeur scientifique ; R. Mahmadi, Directeur de thèse . - 2009 . - 137 f.
01 Disponible à la salle de recherche 02 Disponibles au magazin de la B.U.C. 01 CD
Langues : Français (fre)
Tags : Modèle Diffusion SIMS Nidos Polycilicium Bicouche Liaison BN Index. décimale : 621 Electronique En ligne : ../theses/electronique/SAC5494.pdf Permalink : https://bu.umc.edu.dz/md/index.php?lvl=notice_display&id=2818 Exemplaires
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