Titre :	Etude ab initio du graphène dope au bore Etude structurale et fonctionnelle par DFT
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Nadia Benchibouta, Auteur ; Ammar Toumiat, Directeur de thèse
Editeur :	CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine
Année de publication :	2018
Importance :	50 f.
Format :	3 cm.
Note générale :	Une copie elelctronique PDF disponible en Buc
Langues :	Français (fre)
Catégories :	Sciences Exactes:Chimie
Tags :	graphène  DFT  LDA  GGA  ELK  et structure de bandes d’énergie
Index. décimale :	540 Chimie
Résumé :	La structure électronique du graphène pur a été étudiée au moyen de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT) utilisée pour effectuer des calculs ab initio. L'échange électronique et les corrélations sont considérés en utilisant l'approximation de densité locale (LDA) et l'approximation de gradient généralisée (GGA). La base d'ondes planes linéaires augmentées à potentiel complet telle que mise en œuvre dans le code ELK a été utilisée pour réaliser cette étude. L'optimisation de la géométrie en utilisant différentes supercellules avec 2, 8 et 32 atomes a été réalisée à l’aide de fonctionnelles LDA et GGA. Nous avons constaté que la précision est d'environ 6,9% et 6% par rapport à la valeur expérimentale pour LDA et GGA respectivement. La densité d'états obtenue et la structure de bande sont analysées et les résultats montrent qu'il existe une bande interdite nulle dans le graphène non dopé et que la bande de conduction et de valence se rencontre au niveau de Fermi au point de haute symétrie K. L’analyse de la densité d’états partiels (PDOS) montre que les électrons 2pz sont responsables de ce comportement au voisinage du niveau de Fermi. Le dopage du graphène au Bore montre un caractère semi-conducteur expliqué comme une compensation des charges autours de l’atome du dopant, ce dopage résulte en un semi-conducteur de type p.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=10350

Etude ab initio du graphène dope au bore Etude structurale et fonctionnelle par DFT [texte imprimé] / Nadia Benchibouta, Auteur ; Ammar Toumiat, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2018 . - 50 f. ; 3 cm.
Une copie elelctronique PDF disponible en Buc
Langues : Français (fre)

Catégories :	Sciences Exactes:Chimie
Tags :	graphène  DFT  LDA  GGA  ELK  et structure de bandes d’énergie
Index. décimale :	540 Chimie
Résumé :	La structure électronique du graphène pur a été étudiée au moyen de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT) utilisée pour effectuer des calculs ab initio. L'échange électronique et les corrélations sont considérés en utilisant l'approximation de densité locale (LDA) et l'approximation de gradient généralisée (GGA). La base d'ondes planes linéaires augmentées à potentiel complet telle que mise en œuvre dans le code ELK a été utilisée pour réaliser cette étude. L'optimisation de la géométrie en utilisant différentes supercellules avec 2, 8 et 32 atomes a été réalisée à l’aide de fonctionnelles LDA et GGA. Nous avons constaté que la précision est d'environ 6,9% et 6% par rapport à la valeur expérimentale pour LDA et GGA respectivement. La densité d'états obtenue et la structure de bande sont analysées et les résultats montrent qu'il existe une bande interdite nulle dans le graphène non dopé et que la bande de conduction et de valence se rencontre au niveau de Fermi au point de haute symétrie K. L’analyse de la densité d’états partiels (PDOS) montre que les électrons 2pz sont responsables de ce comportement au voisinage du niveau de Fermi. Le dopage du graphène au Bore montre un caractère semi-conducteur expliqué comme une compensation des charges autours de l’atome du dopant, ce dopage résulte en un semi-conducteur de type p.
Diplome :	Master 2
Permalink :	https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=10350