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Etude ab initio du graphéne / Ilhem Boubakour 

Public ISBD Titre : Etude ab initio du graphéne : Application de la théorie de la fonctionnelle densité (DFT) à l’étude du graphéne Type de document : texte imprimé Auteurs : Ilhem Boubakour, Auteur ; Ammar Toumiat, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2018 Importance : 41 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie elelctronique PDF disponible en Buc Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : graphène  DFT  LDA  GGA  ELK  et structure de bandes d’énergie Index. décimale : 530 Physique Résumé : a densité (DFT) utilisée pour effectuer des calculs ab initio. L'échange électronique et les corrélations sont considérés en utilisant l'approximation de densité locale (LDA) et l'approximation de gradient généralisée (GGA). La base d'ondes planes linéaires augmentées à potentiel complet telle que mise en Å“uvre dans le code ELK a été utilisée pour réaliser cette étude. L'optimisation La structure électronique du graphène pur a été étudiée au moyen de la théorie fonctionnelle de de la géométrie en utilisant différentes supercellules avec 2, 8 et 32 atomes a été réalisée à l’aide de fonctionnelles LDA et GGA. Nous avons constaté que la précision est d'environ 6,9% et 6% par rapport à la valeur expérimentale pour LDA et GGA respectivement. La densité d'états obtenue et la structure de bande sont analysées et les résultats montrent qu'il existe une bande interdite nulle dans le graphène non dopé et que la bande de conduction et de valence se rencontre au niveau de Fermi au point de haute symétrie K. L’analyse de la densité d’états partiels (PDOS) montre que les électrons 2pz sont responsables de ce comportement au voisinage du niveau de Fermi Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=9607 Etude ab initio du graphéne : Application de la théorie de la fonctionnelle densité (DFT) à l’étude du graphéne [texte imprimé] / Ilhem Boubakour, Auteur ; Ammar Toumiat, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2018 . - 41 f. ; 30 cm. Une copie elelctronique PDF disponible en Buc Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : graphène  DFT  LDA  GGA  ELK  et structure de bandes d’énergie Index. décimale : 530 Physique Résumé : a densité (DFT) utilisée pour effectuer des calculs ab initio. L'échange électronique et les corrélations sont considérés en utilisant l'approximation de densité locale (LDA) et l'approximation de gradient généralisée (GGA). La base d'ondes planes linéaires augmentées à potentiel complet telle que mise en Å“uvre dans le code ELK a été utilisée pour réaliser cette étude. L'optimisation La structure électronique du graphène pur a été étudiée au moyen de la théorie fonctionnelle de de la géométrie en utilisant différentes supercellules avec 2, 8 et 32 atomes a été réalisée à l’aide de fonctionnelles LDA et GGA. Nous avons constaté que la précision est d'environ 6,9% et 6% par rapport à la valeur expérimentale pour LDA et GGA respectivement. La densité d'états obtenue et la structure de bande sont analysées et les résultats montrent qu'il existe une bande interdite nulle dans le graphène non dopé et que la bande de conduction et de valence se rencontre au niveau de Fermi au point de haute symétrie K. L’analyse de la densité d’états partiels (PDOS) montre que les électrons 2pz sont responsables de ce comportement au voisinage du niveau de Fermi Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=9607

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Etude ab initio du graphène dope au bore Etude structurale et fonctionnelle par DFT / Nadia Benchibouta 

Public ISBD Titre : Etude ab initio du graphène dope au bore Etude structurale et fonctionnelle par DFT Type de document : texte imprimé Auteurs : Nadia Benchibouta, Auteur ; Ammar Toumiat, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2018 Importance : 50 f. Format : 3 cm. Note générale : Une copie elelctronique PDF disponible en Buc Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Chimie Tags : graphène  DFT  LDA  GGA  ELK  et structure de bandes d’énergie Index. décimale : 540 Chimie Résumé : La structure électronique du graphène pur a été étudiée au moyen de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT) utilisée pour effectuer des calculs ab initio. L'échange électronique et les corrélations sont considérés en utilisant l'approximation de densité locale (LDA) et l'approximation de gradient généralisée (GGA). La base d'ondes planes linéaires augmentées à potentiel complet telle que mise en Å“uvre dans le code ELK a été utilisée pour réaliser cette étude. L'optimisation de la géométrie en utilisant différentes supercellules avec 2, 8 et 32 atomes a été réalisée à l’aide de fonctionnelles LDA et GGA. Nous avons constaté que la précision est d'environ 6,9% et 6% par rapport à la valeur expérimentale pour LDA et GGA respectivement. La densité d'états obtenue et la structure de bande sont analysées et les résultats montrent qu'il existe une bande interdite nulle dans le graphène non dopé et que la bande de conduction et de valence se rencontre au niveau de Fermi au point de haute symétrie K. L’analyse de la densité d’états partiels (PDOS) montre que les électrons 2pz sont responsables de ce comportement au voisinage du niveau de Fermi. Le dopage du graphène au Bore montre un caractère semi-conducteur expliqué comme une compensation des charges autours de l’atome du dopant, ce dopage résulte en un semi-conducteur de type p. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=10350 Etude ab initio du graphène dope au bore Etude structurale et fonctionnelle par DFT [texte imprimé] / Nadia Benchibouta, Auteur ; Ammar Toumiat, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2018 . - 50 f. ; 3 cm. Une copie elelctronique PDF disponible en Buc Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Chimie Tags : graphène  DFT  LDA  GGA  ELK  et structure de bandes d’énergie Index. décimale : 540 Chimie Résumé : La structure électronique du graphène pur a été étudiée au moyen de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT) utilisée pour effectuer des calculs ab initio. L'échange électronique et les corrélations sont considérés en utilisant l'approximation de densité locale (LDA) et l'approximation de gradient généralisée (GGA). La base d'ondes planes linéaires augmentées à potentiel complet telle que mise en Å“uvre dans le code ELK a été utilisée pour réaliser cette étude. L'optimisation de la géométrie en utilisant différentes supercellules avec 2, 8 et 32 atomes a été réalisée à l’aide de fonctionnelles LDA et GGA. Nous avons constaté que la précision est d'environ 6,9% et 6% par rapport à la valeur expérimentale pour LDA et GGA respectivement. La densité d'états obtenue et la structure de bande sont analysées et les résultats montrent qu'il existe une bande interdite nulle dans le graphène non dopé et que la bande de conduction et de valence se rencontre au niveau de Fermi au point de haute symétrie K. L’analyse de la densité d’états partiels (PDOS) montre que les électrons 2pz sont responsables de ce comportement au voisinage du niveau de Fermi. Le dopage du graphène au Bore montre un caractère semi-conducteur expliqué comme une compensation des charges autours de l’atome du dopant, ce dopage résulte en un semi-conducteur de type p. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=10350

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Etude théorique DFT des propriétés optique et électronique de NiO-MgO. / Soumia Grabsi 

Public ISBD Titre : Etude théorique DFT des propriétés optique et électronique de NiO-MgO. Type de document : texte imprimé Auteurs : Soumia Grabsi, Auteur ; Samir Meskaldji, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2020 Importance : 60 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : DFT  MgO dopé NiO  GGA  QS  DOS et structure de bands. Index. décimale : 530 Physique Résumé : a structure électronique du MgO dopé Ni a été étudiée par calculs ab-initio dans le cadre de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). L'échange électronique et les corrélations sont considérés en utilisant l'approximation du gradient généralisée (GGA). La base d'ondes planes telle que mise en Å“uvre dans le code Quantum Espresso a été utilisée pour réaliser cette étude. La densité d'états obtenue et la structure de bande sont analysées et les résultats montrent qu'il existe un rétrécissement de la largeur du Gap du MgO dopé Ni, et que la bande de conduction et de valence séparé par une valeur énergétique 1.4eV au point de haute symétrie [Γ − R]. L’analyse de la densité d’états partiels (PDOS) montre que les électrons 3d et 4s sont responsables du rétrécissement de la largeur du Gap. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14162 Etude théorique DFT des propriétés optique et électronique de NiO-MgO. [texte imprimé] / Soumia Grabsi, Auteur ; Samir Meskaldji, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2020 . - 60 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : DFT  MgO dopé NiO  GGA  QS  DOS et structure de bands. Index. décimale : 530 Physique Résumé : a structure électronique du MgO dopé Ni a été étudiée par calculs ab-initio dans le cadre de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). L'échange électronique et les corrélations sont considérés en utilisant l'approximation du gradient généralisée (GGA). La base d'ondes planes telle que mise en Å“uvre dans le code Quantum Espresso a été utilisée pour réaliser cette étude. La densité d'états obtenue et la structure de bande sont analysées et les résultats montrent qu'il existe un rétrécissement de la largeur du Gap du MgO dopé Ni, et que la bande de conduction et de valence séparé par une valeur énergétique 1.4eV au point de haute symétrie [Γ − R]. L’analyse de la densité d’états partiels (PDOS) montre que les électrons 3d et 4s sont responsables du rétrécissement de la largeur du Gap. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=14162

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