Catalogue des Mémoires de master
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Auteur M. S Aida |
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Titre : Déposition de couches absorbantes CuO par spray pyrolyse Type de document : texte imprimé Auteurs : Fatima Zohra Boutebakh, Auteur ; Nawel Guerfi, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2013 Importance : 50 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : CuO Couche absorbant Spray ultrasonique couche mince cellules
solaireIndex. décimale : 530 Physique Résumé : L’oxyde de cuivre (CuO) est un matériau binaire, semi-conducteur à gap direct
(1.2 eV) .Vu leurs bonnes propriétés optoélectroniques, les couches minces trouvent
plusieurs applications telles que : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs
…etc. Les films minces CuO peuvent être élaborés par plusieurs techniques, il faut
citer : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation
laser…et.
Dans ce travail, des couches minces d'oxyde cuivre ont été déposées par la technique
de spray ultrasonique sur des substrats en verre. Notre intérêt consiste Ã
améliorer la qualité de ces couches par l’étude de l’influence température de
substrat sur les propriétés optiques, électriques et structurales afin d’obtenir des
couches absorbantes. Nous avons utilisé le chlorure de cuivre (CuCl2) comme un
précurseur (source de Cu) et varions la température de dépôt dans le domaine 280 Ã
400°C .La caractérisation optique des films a été réalisée à l’aide d’une spectromètre
UV- Visible dans la gamme spectrale allant de 300 à 3000 nm. L’analyse des spectres
de transmittance nous a permis de déterminer les épaisseurs, l’indice de réfraction et
les gaps des films. A partir des spectres de transmittance nous avons déduit les gaps
optiques Eg des films de CuO. Selon les conditions d’élaboration les valeurs des
gaps obtenues varient entre 1.44 à 1.76 eV. Les mesures électriques ont été réalisées
à l’aide de la technique des deux pointes qui permet de déduire la conductivité et
l’énergie d’activation. Les spectres Raman confirment la présence de la phase CuO.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6230 Déposition de couches absorbantes CuO par spray pyrolyse [texte imprimé] / Fatima Zohra Boutebakh, Auteur ; Nawel Guerfi, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2013 . - 50 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : CuO Couche absorbant Spray ultrasonique couche mince cellules
solaireIndex. décimale : 530 Physique Résumé : L’oxyde de cuivre (CuO) est un matériau binaire, semi-conducteur à gap direct
(1.2 eV) .Vu leurs bonnes propriétés optoélectroniques, les couches minces trouvent
plusieurs applications telles que : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs
…etc. Les films minces CuO peuvent être élaborés par plusieurs techniques, il faut
citer : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation
laser…et.
Dans ce travail, des couches minces d'oxyde cuivre ont été déposées par la technique
de spray ultrasonique sur des substrats en verre. Notre intérêt consiste Ã
améliorer la qualité de ces couches par l’étude de l’influence température de
substrat sur les propriétés optiques, électriques et structurales afin d’obtenir des
couches absorbantes. Nous avons utilisé le chlorure de cuivre (CuCl2) comme un
précurseur (source de Cu) et varions la température de dépôt dans le domaine 280 Ã
400°C .La caractérisation optique des films a été réalisée à l’aide d’une spectromètre
UV- Visible dans la gamme spectrale allant de 300 à 3000 nm. L’analyse des spectres
de transmittance nous a permis de déterminer les épaisseurs, l’indice de réfraction et
les gaps des films. A partir des spectres de transmittance nous avons déduit les gaps
optiques Eg des films de CuO. Selon les conditions d’élaboration les valeurs des
gaps obtenues varient entre 1.44 à 1.76 eV. Les mesures électriques ont été réalisées
à l’aide de la technique des deux pointes qui permet de déduire la conductivité et
l’énergie d’activation. Les spectres Raman confirment la présence de la phase CuO.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6230 Réservation
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texte intégreAdobe Acrobat PDFElaboration et caractérisation des couches minces d’Oxyde de Cuivre CuO par spray pyrolyse / Amina Khelifi
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Titre : Elaboration et caractérisation des couches minces d’Oxyde de Cuivre CuO par spray pyrolyse Type de document : texte imprimé Auteurs : Amina Khelifi, Auteur ; Khadidja Benameur, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2014 Importance : 60 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : CuO Couche absorbant Spray ultrasonique couche mince cellules
Solaire SCLC.Index. décimale : 530 Physique Résumé : L’oxyde de cuivre (CuO) est un semi-conducteur de gap direct (1.2 eV).a
cause de leurs incroyables propriétés les couches minces utilisent en plusieurs
application : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs…etc. il ya plusieurs
techniques d’élaboration des films minces de CuO : spray pyrolyse, évaporation
thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation laser…ect.
Dans notre travail, ont été déposées des couches minces d'oxyde cuivre par la
technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. L’objectif dans cet exposé
est l’étude de l’influence de température de substrat et débit de la solution sur les
propriétés optiques, électriques et structurales après d’obtenir des couches
absorbantes.
Pour préparer notre solution nous avons utilisé le chlorure de cuivre comme un
produit source pour Cu et varions la température de dépôt (300 °C ,400 °C) et le débit
de la solution (5 ml/h ,30 ml/h). Les propriétés optiques ont été fondées sur la
spectroscopie de transmission dans l'UV-Visible, nous pouvons calculer le gap
optique d’après l’utilisation des spectres tel que Selon les conditions d’élaboration les
valeurs des gaps obtenues varient de 1.37 à 1.59 eV. Pour l’étude de la structure nous
avons utilisé la spectroscopie Raman, ces spectres Raman confirment la présence de
la phase CuO. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la mesure de la
conductivité par l’effet hall. Enfin Nous exposons les résultats des mesures de la
densité d’états dans la bande interdite par la méthode du courant limité par la charge
d’espace (SCLC), tel que la densité d’états dans la bande interdite proche du niveau
de Fermi est de l’ordre de 1013 à 1014 cm-3 eV-1 dans le modèle de Den Boer et varie
de 1014 à 1017 dans le cas de modèle de weisfield.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7159 Elaboration et caractérisation des couches minces d’Oxyde de Cuivre CuO par spray pyrolyse [texte imprimé] / Amina Khelifi, Auteur ; Khadidja Benameur, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2014 . - 60 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : CuO Couche absorbant Spray ultrasonique couche mince cellules
Solaire SCLC.Index. décimale : 530 Physique Résumé : L’oxyde de cuivre (CuO) est un semi-conducteur de gap direct (1.2 eV).a
cause de leurs incroyables propriétés les couches minces utilisent en plusieurs
application : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs…etc. il ya plusieurs
techniques d’élaboration des films minces de CuO : spray pyrolyse, évaporation
thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation laser…ect.
Dans notre travail, ont été déposées des couches minces d'oxyde cuivre par la
technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. L’objectif dans cet exposé
est l’étude de l’influence de température de substrat et débit de la solution sur les
propriétés optiques, électriques et structurales après d’obtenir des couches
absorbantes.
Pour préparer notre solution nous avons utilisé le chlorure de cuivre comme un
produit source pour Cu et varions la température de dépôt (300 °C ,400 °C) et le débit
de la solution (5 ml/h ,30 ml/h). Les propriétés optiques ont été fondées sur la
spectroscopie de transmission dans l'UV-Visible, nous pouvons calculer le gap
optique d’après l’utilisation des spectres tel que Selon les conditions d’élaboration les
valeurs des gaps obtenues varient de 1.37 à 1.59 eV. Pour l’étude de la structure nous
avons utilisé la spectroscopie Raman, ces spectres Raman confirment la présence de
la phase CuO. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la mesure de la
conductivité par l’effet hall. Enfin Nous exposons les résultats des mesures de la
densité d’états dans la bande interdite par la méthode du courant limité par la charge
d’espace (SCLC), tel que la densité d’états dans la bande interdite proche du niveau
de Fermi est de l’ordre de 1013 à 1014 cm-3 eV-1 dans le modèle de Den Boer et varie
de 1014 à 1017 dans le cas de modèle de weisfield.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7159 Réservation
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Titre : Etude de la structure ZnO/Si(n) Type de document : texte imprimé Auteurs : Imadeddine Bellili, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2012 Importance : 43 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : ZnO Couche Mince Spray ultrasonique hétérojonction Caractérisation électrique. Résumé : Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation d’une hétérojonction à base de
ZnO. Nous avons étudié l’influence du dopage des couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Nous
avons utilisé la technique spray ultrasonique, à partir d’une solution d’acétate de zinc en utilisant
une source de dopant InCl3, la concentration se solution est de (0,05 mole/l). Nous avons préparé
deux séries de couches (ZnO/Si(N) et ZnO/Si(p)) à déférentes températures de 250 °C jusqu'à 400
°C et déférents taux de dopages (pur, 1%, 2%, 4%).
La caractérisation des structures réalisées a été menée à l’aide de deux méthodes, I(V) et
C(V) pour déterminer les paramètres électriques des hétérojonctions réalisées.
Les allures I(V) et C(V) sont typiques d’une diode, le dopage influe le facteur d’idéalité, la
barrière de potentiel et le courant de fuite qui est élevé a cause de la présence des états d’interfaces
ZnO-Si.
Pour obtenir une meilleure qualité des structures, il faut les réaliser dans une salle blanche.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6449 Etude de la structure ZnO/Si(n) [texte imprimé] / Imadeddine Bellili, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2012 . - 43 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : ZnO Couche Mince Spray ultrasonique hétérojonction Caractérisation électrique. Résumé : Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation d’une hétérojonction à base de
ZnO. Nous avons étudié l’influence du dopage des couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Nous
avons utilisé la technique spray ultrasonique, à partir d’une solution d’acétate de zinc en utilisant
une source de dopant InCl3, la concentration se solution est de (0,05 mole/l). Nous avons préparé
deux séries de couches (ZnO/Si(N) et ZnO/Si(p)) à déférentes températures de 250 °C jusqu'à 400
°C et déférents taux de dopages (pur, 1%, 2%, 4%).
La caractérisation des structures réalisées a été menée à l’aide de deux méthodes, I(V) et
C(V) pour déterminer les paramètres électriques des hétérojonctions réalisées.
Les allures I(V) et C(V) sont typiques d’une diode, le dopage influe le facteur d’idéalité, la
barrière de potentiel et le courant de fuite qui est élevé a cause de la présence des états d’interfaces
ZnO-Si.
Pour obtenir une meilleure qualité des structures, il faut les réaliser dans une salle blanche.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6449 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MSPHY120006 MSPHY120006 Document électronique Bibliothèque principale Mémoires Disponible Documents numériques
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texte intégreAdobe Acrobat PDFSynthèse des films minces CZTS comme nouveau matériau pour la couche absorbante dans les cellules solaires en couches minces / yaaqoub Abdelbaki
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Titre : Synthèse des films minces CZTS comme nouveau matériau pour la couche absorbante dans les cellules solaires en couches minces Type de document : texte imprimé Auteurs : yaaqoub Abdelbaki, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2013 Importance : 58 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces CZTS Spray ultrason Cellules solaires Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail de recherche porte sur l’élaboration et la caractérisation des couches minces
Cu2ZnSnS4, (CZTS) préparées par spray ultrasonique. Notre objectif est de mener une étude
compréhensive sur l’effet des paramètres de déposition (température de la solution et débit de
dépôt) sur les propriétés physiques de couches minces de CZTS.
Les diverses analyses des films CZTS post déposés ont montré que les propriétés
fondamentales dépendent des conditions opératoires, la valeur du gap optique varie de 1.3 Ã
1.7 eV, les faibles valeurs du gap sont dues à l’augmentation de désordre. Les mesures
électriques ont révélé que la résistivité varie dans le domaine 39.15 à 0.01 (Ω.cm)-1, cette
dernière est contrôlée par la mobilité des porteurs. D’autre part les films ont une forte
absorption (coefficient d’absorption supérieur à 104 cm-1). Les films préparés avec les
conditions : température de substrat de 200°C et un débit de 10 ml/h, ont montré des
caratéristiques intéressantes et prometteuse pour leur utilisation dans la fabrication des
cellules solaire photovoltaïque.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6561 Synthèse des films minces CZTS comme nouveau matériau pour la couche absorbante dans les cellules solaires en couches minces [texte imprimé] / yaaqoub Abdelbaki, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2013 . - 58 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible en BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences Exactes:Physique Tags : Couches minces CZTS Spray ultrason Cellules solaires Index. décimale : 530 Physique Résumé : Ce travail de recherche porte sur l’élaboration et la caractérisation des couches minces
Cu2ZnSnS4, (CZTS) préparées par spray ultrasonique. Notre objectif est de mener une étude
compréhensive sur l’effet des paramètres de déposition (température de la solution et débit de
dépôt) sur les propriétés physiques de couches minces de CZTS.
Les diverses analyses des films CZTS post déposés ont montré que les propriétés
fondamentales dépendent des conditions opératoires, la valeur du gap optique varie de 1.3 Ã
1.7 eV, les faibles valeurs du gap sont dues à l’augmentation de désordre. Les mesures
électriques ont révélé que la résistivité varie dans le domaine 39.15 à 0.01 (Ω.cm)-1, cette
dernière est contrôlée par la mobilité des porteurs. D’autre part les films ont une forte
absorption (coefficient d’absorption supérieur à 104 cm-1). Les films préparés avec les
conditions : température de substrat de 200°C et un débit de 10 ml/h, ont montré des
caratéristiques intéressantes et prometteuse pour leur utilisation dans la fabrication des
cellules solaire photovoltaïque.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6561 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MSPHY130039 MSPHY130039 Document électronique Bibliothèque principale Mémoires Disponible Documents numériques
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