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Déposition de couches absorbantes CuO par spray pyrolyse / Fatima Zohra Boutebakh 

Public ISBD Titre : Déposition de couches absorbantes CuO par spray pyrolyse Type de document : texte imprimé Auteurs : Fatima Zohra Boutebakh, Auteur ; Nawel Guerfi, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2013 Importance : 50 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Tags : CuO  Couche absorbant  Spray ultrasonique  couche mince  cellules solaire Index. décimale : 530 Physique Résumé : L’oxyde de cuivre (CuO) est un matériau binaire, semi-conducteur à gap direct (1.2 eV) .Vu leurs bonnes propriétés optoélectroniques, les couches minces trouvent plusieurs applications telles que : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs …etc. Les films minces CuO peuvent être élaborés par plusieurs techniques, il faut citer : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation laser…et. Dans ce travail, des couches minces d'oxyde cuivre ont été déposées par la technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. Notre intérêt consiste à améliorer la qualité de ces couches par l’étude de l’influence température de substrat sur les propriétés optiques, électriques et structurales afin d’obtenir des couches absorbantes. Nous avons utilisé le chlorure de cuivre (CuCl2) comme un précurseur (source de Cu) et varions la température de dépôt dans le domaine 280 à 400°C .La caractérisation optique des films a été réalisée à l’aide d’une spectromètre UV- Visible dans la gamme spectrale allant de 300 à 3000 nm. L’analyse des spectres de transmittance nous a permis de déterminer les épaisseurs, l’indice de réfraction et les gaps des films. A partir des spectres de transmittance nous avons déduit les gaps optiques Eg des films de CuO. Selon les conditions d’élaboration les valeurs des gaps obtenues varient entre 1.44 à 1.76 eV. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la technique des deux pointes qui permet de déduire la conductivité et l’énergie d’activation. Les spectres Raman confirment la présence de la phase CuO. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6230 Déposition de couches absorbantes CuO par spray pyrolyse [texte imprimé] / Fatima Zohra Boutebakh, Auteur ; Nawel Guerfi, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2013 . - 50 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Tags : CuO  Couche absorbant  Spray ultrasonique  couche mince  cellules solaire Index. décimale : 530 Physique Résumé : L’oxyde de cuivre (CuO) est un matériau binaire, semi-conducteur à gap direct (1.2 eV) .Vu leurs bonnes propriétés optoélectroniques, les couches minces trouvent plusieurs applications telles que : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs …etc. Les films minces CuO peuvent être élaborés par plusieurs techniques, il faut citer : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation laser…et. Dans ce travail, des couches minces d'oxyde cuivre ont été déposées par la technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. Notre intérêt consiste à améliorer la qualité de ces couches par l’étude de l’influence température de substrat sur les propriétés optiques, électriques et structurales afin d’obtenir des couches absorbantes. Nous avons utilisé le chlorure de cuivre (CuCl2) comme un précurseur (source de Cu) et varions la température de dépôt dans le domaine 280 à 400°C .La caractérisation optique des films a été réalisée à l’aide d’une spectromètre UV- Visible dans la gamme spectrale allant de 300 à 3000 nm. L’analyse des spectres de transmittance nous a permis de déterminer les épaisseurs, l’indice de réfraction et les gaps des films. A partir des spectres de transmittance nous avons déduit les gaps optiques Eg des films de CuO. Selon les conditions d’élaboration les valeurs des gaps obtenues varient entre 1.44 à 1.76 eV. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la technique des deux pointes qui permet de déduire la conductivité et l’énergie d’activation. Les spectres Raman confirment la présence de la phase CuO. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=6230

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Elaboration et caractérisation des couches minces d’Oxyde de Cuivre CuO par spray pyrolyse / Amina Khelifi 

Public ISBD Titre : Elaboration et caractérisation des couches minces d’Oxyde de Cuivre CuO par spray pyrolyse Type de document : texte imprimé Auteurs : Amina Khelifi, Auteur ; Khadidja Benameur, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2014 Importance : 60 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Tags : CuO  Couche absorbant  Spray ultrasonique  couche mince  cellules Solaire  SCLC. Index. décimale : 530 Physique Résumé : L’oxyde de cuivre (CuO) est un semi-conducteur de gap direct (1.2 eV).a cause de leurs incroyables propriétés les couches minces utilisent en plusieurs application : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs…etc. il ya plusieurs techniques d’élaboration des films minces de CuO : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation laser…ect. Dans notre travail, ont été déposées des couches minces d'oxyde cuivre par la technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. L’objectif dans cet exposé est l’étude de l’influence de température de substrat et débit de la solution sur les propriétés optiques, électriques et structurales après d’obtenir des couches absorbantes. Pour préparer notre solution nous avons utilisé le chlorure de cuivre comme un produit source pour Cu et varions la température de dépôt (300 °C ,400 °C) et le débit de la solution (5 ml/h ,30 ml/h). Les propriétés optiques ont été fondées sur la spectroscopie de transmission dans l'UV-Visible, nous pouvons calculer le gap optique d’après l’utilisation des spectres tel que Selon les conditions d’élaboration les valeurs des gaps obtenues varient de 1.37 à 1.59 eV. Pour l’étude de la structure nous avons utilisé la spectroscopie Raman, ces spectres Raman confirment la présence de la phase CuO. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la mesure de la conductivité par l’effet hall. Enfin Nous exposons les résultats des mesures de la densité d’états dans la bande interdite par la méthode du courant limité par la charge d’espace (SCLC), tel que la densité d’états dans la bande interdite proche du niveau de Fermi est de l’ordre de 1013 à1014 cm-3 eV-1 dans le modèle de Den Boer et varie de 1014 à 1017 dans le cas de modèle de weisfield. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7159 Elaboration et caractérisation des couches minces d’Oxyde de Cuivre CuO par spray pyrolyse [texte imprimé] / Amina Khelifi, Auteur ; Khadidja Benameur, Auteur ; M. S Aida, Directeur de thèse . - CONSTANTINE (Route Ain el bey, BP 325, ALGERIE) : Université Frères Mentouri Constantine, 2014 . - 60 f. ; 30 cm. Une copie electronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Tags : CuO  Couche absorbant  Spray ultrasonique  couche mince  cellules Solaire  SCLC. Index. décimale : 530 Physique Résumé : L’oxyde de cuivre (CuO) est un semi-conducteur de gap direct (1.2 eV).a cause de leurs incroyables propriétés les couches minces utilisent en plusieurs application : cellules solaires, capteurs à gaz, supraconducteurs…etc. il ya plusieurs techniques d’élaboration des films minces de CuO : spray pyrolyse, évaporation thermique, pulvérisation réactive, sol gel, ablation laser…ect. Dans notre travail, ont été déposées des couches minces d'oxyde cuivre par la technique de spray ultrasonique sur des substrats en verre. L’objectif dans cet exposé est l’étude de l’influence de température de substrat et débit de la solution sur les propriétés optiques, électriques et structurales après d’obtenir des couches absorbantes. Pour préparer notre solution nous avons utilisé le chlorure de cuivre comme un produit source pour Cu et varions la température de dépôt (300 °C ,400 °C) et le débit de la solution (5 ml/h ,30 ml/h). Les propriétés optiques ont été fondées sur la spectroscopie de transmission dans l'UV-Visible, nous pouvons calculer le gap optique d’après l’utilisation des spectres tel que Selon les conditions d’élaboration les valeurs des gaps obtenues varient de 1.37 à 1.59 eV. Pour l’étude de la structure nous avons utilisé la spectroscopie Raman, ces spectres Raman confirment la présence de la phase CuO. Les mesures électriques ont été réalisées à l’aide de la mesure de la conductivité par l’effet hall. Enfin Nous exposons les résultats des mesures de la densité d’états dans la bande interdite par la méthode du courant limité par la charge d’espace (SCLC), tel que la densité d’états dans la bande interdite proche du niveau de Fermi est de l’ordre de 1013 à1014 cm-3 eV-1 dans le modèle de Den Boer et varie de 1014 à 1017 dans le cas de modèle de weisfield. Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7159

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