Catalogue des Mémoires de master
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| Titre : |
Contribution à l’amélioration des performances d’un capteur de pression piézorésistif |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Hocine Merabet, Auteur ; Ferhat Chemori, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse |
| Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
| Année de publication : |
2017 |
| Importance : |
41 f. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Une copie électronique PDF disponible en BUC. |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Tags : |
Capteur de pression au silicium Capacitif Piézorésistif Membrane. |
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
L’objectif de ce mémoire est l'étude du comportement mécanique des capteurs de
pression piézorésistifs au silicium. Un modèle de capteur piézorésistif a été établi sous
environnement COMSOL multi physiques. Les résultats obtenus ont été comparés à ceux de
la littérature permettant ainsi la validation du modèle établi.
En premier lieu, nous avons donné un aperçu général sur les capteurs de pression au silicium
et leurs types, ainsi que les principales caractéristiques. Le principe de fonctionnement des
capteurs de pression « capacitifs, piézorésistifs et piézoélectriques ».
En second lieu, nous avons décrit brièvement le capteur de pression piézorésistif au silicium.
Et donné les fondements théoriques qui régissent le fonctionnement du dispositif. Son
principe est basé sur l’utilisation des jauges des contraintes piézorésistives diffusées,
implantées ou déposées sur la membrane. L’emplacement des jauges et leurs orientations ont
été choisies judicieusement afin d’obtenir une réponse optimale et linéaire ainsi qu’une valeur
maximale de sensibilité du capteur.
Par la suite, et après avoir décrit l’outil de simulation COMSOL multi physiques, nous avons
déterminé la déflexion et les valeurs optimales des contraintes engendrées sur la membrane.
Ce qui nous a permis de déduire la réponse du capteur de pression piézorésistif au silicium en
fonction de la pression. Une étude paramétrique en fonction de la forme de la membrane et de
l’emplacement des jauges a été effectuée. Ce travail constitue une contribution Ã
l’amélioration des performances d’un capteur de pression piézorésistif |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8433 |
Contribution à l’amélioration des performances d’un capteur de pression piézorésistif [texte imprimé] / Hocine Merabet, Auteur ; Ferhat Chemori, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 41 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français ( fre)
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Tags : |
Capteur de pression au silicium Capacitif Piézorésistif Membrane. |
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
L’objectif de ce mémoire est l'étude du comportement mécanique des capteurs de
pression piézorésistifs au silicium. Un modèle de capteur piézorésistif a été établi sous
environnement COMSOL multi physiques. Les résultats obtenus ont été comparés à ceux de
la littérature permettant ainsi la validation du modèle établi.
En premier lieu, nous avons donné un aperçu général sur les capteurs de pression au silicium
et leurs types, ainsi que les principales caractéristiques. Le principe de fonctionnement des
capteurs de pression « capacitifs, piézorésistifs et piézoélectriques ».
En second lieu, nous avons décrit brièvement le capteur de pression piézorésistif au silicium.
Et donné les fondements théoriques qui régissent le fonctionnement du dispositif. Son
principe est basé sur l’utilisation des jauges des contraintes piézorésistives diffusées,
implantées ou déposées sur la membrane. L’emplacement des jauges et leurs orientations ont
été choisies judicieusement afin d’obtenir une réponse optimale et linéaire ainsi qu’une valeur
maximale de sensibilité du capteur.
Par la suite, et après avoir décrit l’outil de simulation COMSOL multi physiques, nous avons
déterminé la déflexion et les valeurs optimales des contraintes engendrées sur la membrane.
Ce qui nous a permis de déduire la réponse du capteur de pression piézorésistif au silicium en
fonction de la pression. Une étude paramétrique en fonction de la forme de la membrane et de
l’emplacement des jauges a été effectuée. Ce travail constitue une contribution Ã
l’amélioration des performances d’un capteur de pression piézorésistif |
| Diplome : |
Master 2 |
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https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8433 |
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| MSELE170030 | MSELE170030 | Document électronique | Bibliothèque principale | Mémoires | Disponible |
Documents numériques
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| Titre : |
Etude et Simulation COMSOL Multi physiques D’unCapteur De Pression PSFET |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Yasmine Ouarezguia, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse |
| Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
| Année de publication : |
2015 |
| Importance : |
30 f. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Une copie électronique PDF disponible en BUC. |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Tags : |
Micro-Electronique Multi physiques COMSOL Pression PSFET Capteur |
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
ues d’un capteur de pression à effet de champ PSFET. Il est réparti comme suit :
Le premier chapitre à été consacré à la description du MOSFET et de l’explication de son
principe de fonctionnement. Nous avons aussi précisé toutes les caractéristiques importantes du
transistor ainsi que toutes les expressions nécessaires à la compréhension des différents
phénomènes régissant son fonctionnement, qui nous seront utiles par la suite pour notre simulation.
Dans le second chapitre nous avons présenté la simulation COMSOL d’un capteur de
pression à effet de champ (PSFET). Nous avons commencé en premier lieu, par la présentation
de l’outil de simulation COMSOL multi physiques et la description de la procédure de simulation
ainsi que la mise en évidence des différentes équations régissant le fonctionnement de ce
dispositif.
La seconde étape consiste à développer un modèle de PSFET tenant en compte de
l’intégralité de la structure. On peut noter que le dispositif fonctionne dans le régime de saturation,
permettant ainsi l’obtention d’un courant pratiquement constant, qui peut être modulé par la
pression appliquée.
A partir du modèle établi sous COMSOL, nous avons déterminé, en premier lieu, la
déflexion au centre de la membrane de forme carrée, et puis la réponse capacitive C (P) ainsi que
le courant de saturation. Les résultats obtenus montrent qu’il y a une bonne concordance avec ceux
établis dans la littérature.
En second lieu, nous avons utilisé notre modèle dans un système de mesure de
pression plantaire réalisé à partir d’un couplage COMSOL et MATLAB-SIMULINK |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8120 |
Etude et Simulation COMSOL Multi physiques D’unCapteur De Pression PSFET [texte imprimé] / Yasmine Ouarezguia, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2015 . - 30 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français ( fre)
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Tags : |
Micro-Electronique Multi physiques COMSOL Pression PSFET Capteur |
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
ues d’un capteur de pression à effet de champ PSFET. Il est réparti comme suit :
Le premier chapitre à été consacré à la description du MOSFET et de l’explication de son
principe de fonctionnement. Nous avons aussi précisé toutes les caractéristiques importantes du
transistor ainsi que toutes les expressions nécessaires à la compréhension des différents
phénomènes régissant son fonctionnement, qui nous seront utiles par la suite pour notre simulation.
Dans le second chapitre nous avons présenté la simulation COMSOL d’un capteur de
pression à effet de champ (PSFET). Nous avons commencé en premier lieu, par la présentation
de l’outil de simulation COMSOL multi physiques et la description de la procédure de simulation
ainsi que la mise en évidence des différentes équations régissant le fonctionnement de ce
dispositif.
La seconde étape consiste à développer un modèle de PSFET tenant en compte de
l’intégralité de la structure. On peut noter que le dispositif fonctionne dans le régime de saturation,
permettant ainsi l’obtention d’un courant pratiquement constant, qui peut être modulé par la
pression appliquée.
A partir du modèle établi sous COMSOL, nous avons déterminé, en premier lieu, la
déflexion au centre de la membrane de forme carrée, et puis la réponse capacitive C (P) ainsi que
le courant de saturation. Les résultats obtenus montrent qu’il y a une bonne concordance avec ceux
établis dans la littérature.
En second lieu, nous avons utilisé notre modèle dans un système de mesure de
pression plantaire réalisé à partir d’un couplage COMSOL et MATLAB-SIMULINK |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8120 |
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| Titre : |
Etude et simulation COMSOL multiphysics d’un capteur de pression PSFET |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Mohamed Tayeb Boulcherab, Auteur ; Zouleikha Benhamouda, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse |
| Editeur : |
CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine |
| Année de publication : |
2016 |
| Importance : |
39 f. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Une copie électronique PDF disponible en BUC. |
| Langues : |
Français (fre) |
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
L’objectif de ce travail est l’étude et la simulation d’un capteur de pression Ã
transistor à effet de champ à (PSFET) piézorésistif. Ce dispositif est composé de trois
fonctions principales, le premier mécanique permettant de transformer la pression
appliquée en contraintes, la seconde consiste dans le couplage piézorésistif déterminant les
variations de résistance, qui en fait, dans notre cas devient une variation de mobilité, et
enfin la troisième électrique permettant l’obtention du courant de sortie en fonction de la
pression appliquée. Le modèle est établi sous environnement COMSOL multi-physiques
version 5.2. En premier temps, une étude particulière du comportement mécanique de la
membrane nous a permis de localiser la position optimale des jauges (MOSFET). Par la
suite simulation 3D du dispositif (PSFET) nous a permis d’obtenir sa réponse Idsat =f(P).
Les résultats obtenus sont semblables à ceux de la littérature. |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8799 |
Etude et simulation COMSOL multiphysics d’un capteur de pression PSFET [texte imprimé] / Mohamed Tayeb Boulcherab, Auteur ; Zouleikha Benhamouda, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2016 . - 39 f. ; 30 cm. Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français ( fre)
| Catégories : |
Sciences de la technologie:Electronique
|
| Index. décimale : |
610 Electronique |
| Résumé : |
L’objectif de ce travail est l’étude et la simulation d’un capteur de pression Ã
transistor à effet de champ à (PSFET) piézorésistif. Ce dispositif est composé de trois
fonctions principales, le premier mécanique permettant de transformer la pression
appliquée en contraintes, la seconde consiste dans le couplage piézorésistif déterminant les
variations de résistance, qui en fait, dans notre cas devient une variation de mobilité, et
enfin la troisième électrique permettant l’obtention du courant de sortie en fonction de la
pression appliquée. Le modèle est établi sous environnement COMSOL multi-physiques
version 5.2. En premier temps, une étude particulière du comportement mécanique de la
membrane nous a permis de localiser la position optimale des jauges (MOSFET). Par la
suite simulation 3D du dispositif (PSFET) nous a permis d’obtenir sa réponse Idsat =f(P).
Les résultats obtenus sont semblables à ceux de la littérature. |
| Diplome : |
Master 2 |
| Permalink : |
https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8799 |
|
Réservation
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|
| MSELE160062 | MSELE160062 | Document électronique | Bibliothèque principale | Mémoires | Disponible |
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Contribution à l’amélioration des performances d’un capteur de pression piézorésistif / Hocine Merabet
