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Partager le résultat de cette rechercheIntegration des puits canadiens pour la reduction de la consommation d’energie.calcul par logiciel / Amina Boufenghour
Titre : Integration des puits canadiens pour la reduction de la consommation d’energie.calcul par logiciel : Comsol Type de document : texte imprimé Auteurs : Amina Boufenghour, Auteur ; Azzedine Belhamri, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2014 Importance : 143 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie electronique PDF disponible au BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Génie climatique Tags : Energie renouvelables géothermie confort
thermique échangeur air/sol Comsol Régime stationnaire.Index. décimale : 650 Génie Climatique Résumé : Il s’agie de proposer et d’étudier un système de ventilation
à bas coût énergétique.
On effectue des simulations sur le comportement thermique
en régime stationnaire d’un local.
Les paramètres: déperdition, capacité de stockage et la
puissance de chauffage, doivent être pris en considération pour
l’évaluation des performances du local.
Les simulations avec le logiciel « COMSOL », concernant
les échangeurs air-sol, montrent qui on peut gagner 7°c
pendant la période hivernale et 14°c pendant la période
estivale.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7920 Integration des puits canadiens pour la reduction de la consommation d’energie.calcul par logiciel : Comsol [texte imprimé] / Amina Boufenghour, Auteur ; Azzedine Belhamri, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2014 . - 143 f. ; 30 cm.
Une copie electronique PDF disponible au BUC.
Langues : Français (fre)
Catégories : Sciences de la technologie:Génie climatique Tags : Energie renouvelables géothermie confort
thermique échangeur air/sol Comsol Régime stationnaire.Index. décimale : 650 Génie Climatique Résumé : Il s’agie de proposer et d’étudier un système de ventilation
à bas coût énergétique.
On effectue des simulations sur le comportement thermique
en régime stationnaire d’un local.
Les paramètres: déperdition, capacité de stockage et la
puissance de chauffage, doivent être pris en considération pour
l’évaluation des performances du local.
Les simulations avec le logiciel « COMSOL », concernant
les échangeurs air-sol, montrent qui on peut gagner 7°c
pendant la période hivernale et 14°c pendant la période
estivale.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=7920 Réservation
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Titre : Etude et Simulation COMSOL Multi physiques D’unCapteur De Pression PSFET Type de document : texte imprimé Auteurs : Yasmine Ouarezguia, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2015 Importance : 30 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Micro-Electronique Multi physiques COMSOL Pression PSFET Capteur Index. décimale : 610 Electronique Résumé : ues d’un capteur de pression à effet de champ PSFET. Il est réparti comme suit :
Le premier chapitre à été consacré à la description du MOSFET et de l’explication de son
principe de fonctionnement. Nous avons aussi précisé toutes les caractéristiques importantes du
transistor ainsi que toutes les expressions nécessaires à la compréhension des différents
phénomènes régissant son fonctionnement, qui nous seront utiles par la suite pour notre simulation.
Dans le second chapitre nous avons présenté la simulation COMSOL d’un capteur de
pression à effet de champ (PSFET). Nous avons commencé en premier lieu, par la présentation
de l’outil de simulation COMSOL multi physiques et la description de la procédure de simulation
ainsi que la mise en évidence des différentes équations régissant le fonctionnement de ce
dispositif.
La seconde étape consiste à développer un modèle de PSFET tenant en compte de
l’intégralité de la structure. On peut noter que le dispositif fonctionne dans le régime de saturation,
permettant ainsi l’obtention d’un courant pratiquement constant, qui peut être modulé par la
pression appliquée.
A partir du modèle établi sous COMSOL, nous avons déterminé, en premier lieu, la
déflexion au centre de la membrane de forme carrée, et puis la réponse capacitive C (P) ainsi que
le courant de saturation. Les résultats obtenus montrent qu’il y a une bonne concordance avec ceux
établis dans la littérature.
En second lieu, nous avons utilisé notre modèle dans un système de mesure de
pression plantaire réalisé à partir d’un couplage COMSOL et MATLAB-SIMULINKDiplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8120 Etude et Simulation COMSOL Multi physiques D’unCapteur De Pression PSFET [texte imprimé] / Yasmine Ouarezguia, Auteur ; F Kerrour, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2015 . - 30 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Micro-Electronique Multi physiques COMSOL Pression PSFET Capteur Index. décimale : 610 Electronique Résumé : ues d’un capteur de pression à effet de champ PSFET. Il est réparti comme suit :
Le premier chapitre à été consacré à la description du MOSFET et de l’explication de son
principe de fonctionnement. Nous avons aussi précisé toutes les caractéristiques importantes du
transistor ainsi que toutes les expressions nécessaires à la compréhension des différents
phénomènes régissant son fonctionnement, qui nous seront utiles par la suite pour notre simulation.
Dans le second chapitre nous avons présenté la simulation COMSOL d’un capteur de
pression à effet de champ (PSFET). Nous avons commencé en premier lieu, par la présentation
de l’outil de simulation COMSOL multi physiques et la description de la procédure de simulation
ainsi que la mise en évidence des différentes équations régissant le fonctionnement de ce
dispositif.
La seconde étape consiste à développer un modèle de PSFET tenant en compte de
l’intégralité de la structure. On peut noter que le dispositif fonctionne dans le régime de saturation,
permettant ainsi l’obtention d’un courant pratiquement constant, qui peut être modulé par la
pression appliquée.
A partir du modèle établi sous COMSOL, nous avons déterminé, en premier lieu, la
déflexion au centre de la membrane de forme carrée, et puis la réponse capacitive C (P) ainsi que
le courant de saturation. Les résultats obtenus montrent qu’il y a une bonne concordance avec ceux
établis dans la littérature.
En second lieu, nous avons utilisé notre modèle dans un système de mesure de
pression plantaire réalisé à partir d’un couplage COMSOL et MATLAB-SIMULINKDiplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8120 Réservation
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Titre : Etude des transistors HEMTs à base de GaN : Utilisant COMSOL Type de document : texte imprimé Auteurs : Ilhem Azioune, Auteur ; L. Semra, Directeur de thèse Editeur : CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine Année de publication : 2017 Importance : 39 f. Format : 30 cm. Note générale : Une copie électronique PDF disponible en BUC. Langues : Français (fre) Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Transistor à effet de champ à double-hétérojonction (HEMT) nitrure de gallium
(GaN) nitrure d’aluminium de gallium (AlGaN) COMSOLIndex. décimale : 610 Electronique Résumé : l'ère des nanotechnologies, les transistors à effet de champ à hétérojonction à base de nitrure de gallium (GaN) apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, de puissance. Les avantages intrinsèques de ces transistors résident dans une
tension de claquage et une vitesse de saturation élevée, une grande linéarité. Notre travail consiste à simuler un transistor HEMT à base de GaN, en tenant compte de toutes les grandeurs qui puissent influencer ses performances. Ainsi, nous pourrions optimiser notre dispositive.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8492 Etude des transistors HEMTs à base de GaN : Utilisant COMSOL [texte imprimé] / Ilhem Azioune, Auteur ; L. Semra, Directeur de thèse . - CONSTANTINE [ALGERIE] : Université Frères Mentouri Constantine, 2017 . - 39 f. ; 30 cm.
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Catégories : Sciences de la technologie:Electronique Tags : Transistor à effet de champ à double-hétérojonction (HEMT) nitrure de gallium
(GaN) nitrure d’aluminium de gallium (AlGaN) COMSOLIndex. décimale : 610 Electronique Résumé : l'ère des nanotechnologies, les transistors à effet de champ à hétérojonction à base de nitrure de gallium (GaN) apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, de puissance. Les avantages intrinsèques de ces transistors résident dans une
tension de claquage et une vitesse de saturation élevée, une grande linéarité. Notre travail consiste à simuler un transistor HEMT à base de GaN, en tenant compte de toutes les grandeurs qui puissent influencer ses performances. Ainsi, nous pourrions optimiser notre dispositive.Diplome : Master 2 Permalink : https://bu.umc.edu.dz/master/index.php?lvl=notice_display&id=8492 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité MSELE170042 MSELE170042 Document électronique Bibliothèque principale Mémoires Disponible Documents numériques
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